SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
FDS6982 Fairchild Semiconductor FDS6982 -
RFQ
 ECAD 3920 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS69 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6.3a, 8.6a 28mohm @ 6.3a, 10V 3V @ 250µA 12NC @ 5V 760pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI1028X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1028X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1028 MOSFET (금속 (() 220MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V - 650mohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 2NC @ 10V 16pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDW2521C Fairchild Semiconductor FDW2521C 1.0000
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET (금속 (() 600MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 및 p 채널 20V 5.5A, 3.8A 21mohm @ 5.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1082pf @ 10v 논리 논리 게이트
MSCSM70DUM025AG Microchip Technology MSCSM70DUM025AG 623.4600
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM70 실리콘 실리콘 (sic) 1882W (TC) - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM70DUM025AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 700V 689A (TC) 3.2mohm @ 240a, 20V 2.4V @ 24MA 1290NC @ 20V 27000pf @ 700V -
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HB11BPSA1 263.3300
RFQ
 ECAD 1912 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF4MR12 실리콘 실리콘 (sic) 20MW 기준 기준 - Rohs3 준수 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1 귀 99 8542.39.0001 15 2 n 채널 (채널 교량) 1200V 170A (TJ) 4mohm @ 200a, 18V 5.15V @ 80MA 594NC @ 18V 17600pf @ 800V 실리콘 실리콘 (sic)
SI1033X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1033X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9858 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1033 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 145ma 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
BSO350N03 Infineon Technologies BSO350N03 -
RFQ
 ECAD 6117 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO350N03 MOSFET (금속 (() 1.4W PG-DSO-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5a 35mohm @ 6a, 10V 2V @ 6µA 3.7nc @ 5v 480pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMC4029SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4029SSDQ-13 0.3502
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC4029 MOSFET (금속 (() 1.8W (TA) 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 보완 p 채널 및 40V 9A (TA), 6.5A (TA) 24mohm @ 6a, 10v, 45mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5v, 10.6nc @ 4.5v 1060pf @ 20V, 1154pf @ 20V -
DMN2400UV-7 Diodes Incorporated DMN2400UV-7 0.4700
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN2400 MOSFET (금속 (() 530MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.33A 480mohm @ 200ma, 5V 900MV @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 36pf @ 16v 논리 논리 게이트
NVMFD5C470NWFT1G onsemi NVMFD5C470NWFT1G 0.8764
RFQ
 ECAD 5950 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5 MOSFET (금속 (() 3.1W (TA), 28W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 11.7A (TA), 36A (TC) 11.7mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 8NC @ 10V 420pf @ 25V -
AON3810 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON3810 -
RFQ
 ECAD 4156 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 AON381 MOSFET (금속 (() 2.5W 8-DFN (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V - 24mohm @ 7a, 10V 1V @ 250µA 5.2NC @ 4.5V 280pf @ 10V 논리 논리 게이트
AON3814L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON3814L -
RFQ
 ECAD 2369 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 AON381 MOSFET (금속 (() 2.5W 8-DFN (3x3) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 6A (TC) 17mohm @ 6a, 4.5v 1.1V @ 250µA 13NC @ 4.5V 1100pf @ 10V -
BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO150N03MDGXUMA1 1.2300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO150 MOSFET (금속 (() 1.4W PG-DSO-8 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8a 15mohm @ 9.3a, 10V 2V @ 250µA 17nc @ 10V 1300pf @ 15V 논리 논리 게이트
STS3DNE60L STMicroelectronics STS3DNE60L -
RFQ
 ECAD 3030 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS3D MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 3A 80mohm @ 1.5a, 10V 1V @ 250µA 13.5NC @ 4.5V 815pf @ 25v 논리 논리 게이트
NVMFD5C470NLT1G onsemi NVMFD5C470NLT1G 1.7100
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5 MOSFET (금속 (() 3W (TA), 24W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 11A (TA), 36A (TC) 11.5mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 20µA 4NC @ 4.5V 590pf @ 25V -
UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor um6k31nfhatcn 0.4900
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UM6K31 MOSFET (금속 (() 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 250MA (TA) 2.4ohm @ 250ma, 10V 2.3v @ 1ma - 15pf @ 25V -
BSS8402DWQ-13 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-13 0.1273
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS8402 MOSFET (금속 (() 200MW (TA) SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BSS8402DWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 60V, 50V 115MA (TA), 130MA (TA) 13.5ohm @ 500ma, 10v, 10ohm @ 100ma, 5v 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA - 50pf @ 25v, 45pf @ 25v -
MCB30P1200LB-TRR IXYS MCB30P1200LB-TRR -
RFQ
 ECAD 8033 0.00000000 ixys MCB30P1200LB 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 9-powersmd MCB30P1200 실리콘 실리콘 (sic) - 9-SMPD-B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MCB30P1200LB-TRRTR 귀 99 8541.29.0095 200 4 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) - - - - - -
FDC6000NZ_F077 onsemi FDC6000NZ_F077 -
RFQ
 ECAD 4196 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP FDC6000 MOSFET (금속 (() 1.2W SUPERSOT ™ -6 FLMP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 7.3A 20mohm @ 6.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 11nc @ 4.5v 840pf @ 10V 논리 논리 게이트
ECH8674-TL-H Sanyo ECH8674-TL-H 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Sanyo - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8674 MOSFET (금속 (() 1.3W (TA) SOT-28FL/ech8 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 5A (TA) 41mohm @ 3a, 4.5v 1.3v @ 1ma 6.9nc @ 4.5v 660pf @ 6v -
CPH5614-TL-E Sanyo CPH5614-TL-E 0.3200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 CPH5614 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 -
TSM6963SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6963SDCA RVG 1.9300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) TSM6963 MOSFET (금속 (() 1.14W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A (TC) 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1500pf @ 10V -
UPA503T-T2-A Renesas Electronics America Inc UPA503T-T2-A 0.2900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-74A, SOT-753 UPA503 MOSFET (금속 (() 300MW SC-59-5, 미니 곰팡이 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 50V 100ma 60ohm @ 10ma, 10V 2.5V @ 1µa - 17pf @ 5V -
DMC2710UDW-13 Diodes Incorporated DMC2710UDW-13 0.0565
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMC2710 MOSFET (금속 (() 290MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMC2710UDW-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 750ma (TA), 600ma (TA) 450mohm @ 600ma, 4.5v, 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6nc @ 4.5v, 0.7nc @ 4.5v 42pf @ 16v, 49pf @ 16v -
FPF1C2P5BF07A Fairchild Semiconductor fpf1c2p5bf07a 71.4300
RFQ
 ECAD 433 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 F1 모듈 FPF1C2 MOSFET (금속 (() 250W F1 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 5 n 채널 (채널 인버터) 650V 36a 90mohm @ 27a, 10V 3.8V @ 250µA - - -
ZXMN6A09DN8TC Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TC -
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN6 MOSFET (금속 (() 1.25W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 4.3A 40mohm @ 8.2a, 10V 3V @ 250µA 24.2NC @ 5V 1407pf @ 40v 논리 논리 게이트
DMN2710UVQ-13 Diodes Incorporated dmn2710uvq-13 0.3400
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN2710 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 920MA (TA) 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 42pf @ 16V 기준
SQJB60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb60ep-t1_be3 1.3100
RFQ
 ECAD 7339 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB60 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 다운로드 1 (무제한) 742-sqjb60ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 30A (TC) 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1600pf @ 25V -
NDS9955 onsemi NDS9955 -
RFQ
 ECAD 4499 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS995 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 50V 3A 130mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 30NC @ 10V 345pf @ 25v 논리 논리 게이트
PJS6600_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6600_S1_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6600 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 1.6A (TA), 1.1A (TA) 200mohm @ 1.6a, 4.5v, 370mohm @ 1.1a, 4.5v 1.3V @ 250µA 1.5nc @ 4.5v, 1.6nc @ 4.5v 93pf @ 15v, 125pf @ 15v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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