SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
AOCA24106C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA24106C 0.9700
RFQ
 ECAD 2289 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 AOCA24106 MOSFET (금속 (() 2.7W (TA) 6- 알파드프 (alphadfn) (1.9x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 12V 20A (TA) 5.6mohm @ 4a, 4.5v 1.1V @ 250µA 16nc @ 4.5v - -
APTM50AM19FG Microchip Technology aptm50am19fg 302.5800
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM50 MOSFET (금속 (() 1136W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 500V 163a 22.5mohm @ 81.5a, 10V 5V @ 10MA 492NC @ 10V 22400pf @ 25v -
BSS138PS,115 Nexperia USA Inc. BSS138PS, 115 0.4300
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (금속 (() 420MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 320MA 1.6ohm @ 300ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 50pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRF7328TRPBF Infineon Technologies IRF7328TRPBF 1.8100
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF732 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 8a 21mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 78NC @ 10V 2675pf @ 25V 논리 논리 게이트
FDMS8860AS Fairchild Semiconductor FDMS8860AS 0.2900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDMS8860 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
DMN601DWK-7 Diodes Incorporated DMN601DWK-7 0.4900
RFQ
 ECAD 481 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN601 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 305MA 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
AON6936 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6936 -
RFQ
 ECAD 2571 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AON693 MOSFET (금속 (() 3.6W, 4.3W 8-DFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 22A, 40A 4.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 24NC @ 10V 984pf @ 15V 논리 논리 게이트
SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB04ELP-T1_GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB04 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 11mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 1055pf @ 25v -
IRF7103TRPBF Infineon Technologies IRF7103TRPBF 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF71 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 50V 3A 130mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 30NC @ 10V 290pf @ 25V -
IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies irlhs6376trpbf 0.6700
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IRLHS6376 MOSFET (금속 (() 1.5W 6-pqfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.6a 63mohm @ 3.4a, 4.5v 1.1V @ 10µA 2.8nc @ 4.5v 270pf @ 25V 논리 논리 게이트
FDC6303N onsemi FDC6303N 0.4600
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC6303 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25V 680ma 450mohm @ 500ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 2.3NC @ 4.5V 50pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRF7311PBF Infineon Technologies IRF7311PBF -
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572034 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 20V 6.6a 29mohm @ 6a, 4.5v 700MV @ 250µA 27NC @ 4.5V 900pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI4816BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4816BDY-T1-E3 1.6400
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4816 MOSFET (금속 (() 1W, 1.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 5.8A, 8.2A 18.5mohm @ 6.8a, 10V 3V @ 250µA 10nc @ 5v - 논리 논리 게이트
SI4931DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3 1.2300
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4931 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V 6.7a 18mohm @ 8.9a, 4.5v 1V @ 350µA 52NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated DMP3085LSD-13 0.3700
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3085 MOSFET (금속 (() 1.1W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 3.9a 70mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 563pf @ 25v 논리 논리 게이트
FDMB3800N onsemi FDMB3800N 1.3400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMB3800 MOSFET (금속 (() 750MW 8-mlp,, 펫 (3x1.9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.8a 4.8A, 10V 40mohm 3V @ 250µA 5.6NC @ 5V 465pf @ 15V 논리 논리 게이트
AON5802BG Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802BG -
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-Wfdfn d 패드 패드 AON5802 MOSFET (금속 (() 3.1W (TA) 6-DFN-EP (2x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AON5802BGTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 10A (TA) 18mohm @ 7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 32NC @ 10V 1050pf @ 15V -
TT8K2TR Rohm Semiconductor tt8k2tr 0.8900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TT8K2 MOSFET (금속 (() 1.25W 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 2.5A 90mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 3.2NC @ 4.5V 180pf @ 10V 논리 논리 게이트
DMP2004VK-7 Diodes Incorporated DMP2004VK-7 0.4500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMP2004 MOSFET (금속 (() 400MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 530ma 900mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA - 175pf @ 16v 논리 논리 게이트
SIZ998BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ998BDT-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz998 MOSFET (금속 (() 3.8W (TA), 20W (TC), 4.8W (TA), 32.9W (TC) 8-PowerPair® (6x5) - 1 (무제한) 742-SIZ998BDT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 23.7A (TA), 54.8A (TC), 36.2A (TA), 94.6A (TC) 4.39mohm @ 15a, 10v, 2.4mohm @ 19a, 10v 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V, 46.7NC @ 10V 790pf @ 15v, 2130pf @ 15v -
ZXMC3AM832TA Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA -
RFQ
 ECAD 6208 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8-vdfn d 패드 ZXMC3 MOSFET (금속 (() 1.7W 8MLP (3x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 2.9a, 2.1a 120mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.9NC @ 10V 190pf @ 25V 논리 논리 게이트
NTMFD4901NFT1G onsemi NTMFD4901NFT1G -
RFQ
 ECAD 4879 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFD4901 MOSFET (금속 (() 1.1W, 1.2W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8fl-dual-Asymmetrical) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 10.3a, 17.9a 6.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 9.7NC @ 4.5V 1150pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC1030UFDBQ-7 0.6100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC1030 MOSFET (금속 (() 1.36W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 12V 5.1A 34mohm @ 4.6a, 4.5v 1V @ 250µA 23.1NC @ 10V 1003pf @ 6v -
AO5804EL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5804EL -
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 AO580 MOSFET (금속 (() 280MW SC-89-6 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 500ma 550mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 1NC @ 4.5V 45pf @ 10V -
SIZ980DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ980DT-T1-GE3 1.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz980 MOSFET (금속 (() 20W, 66W 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 20A (TC), 60A (TC) 6.7mohm @ 15a, 10v, 1.6mohm @ 19a, 10v 2.2V @ 250µA 8.1nc @ 4.5v, 35nc @ 4.5v 930pf @ 15v, 4600pf @ 15v -
SI1563EDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1563EDH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9088 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1563 MOSFET (금속 (() 570MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 1.13a, 880ma 280mohm @ 1.13a, 4.5v 1V @ 100µA 1NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
FDMD8440L onsemi FDMD8440L 6.9300
RFQ
 ECAD 4421 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMD8440 MOSFET (금속 (() 2.1W (TA), 33W (TC) 3.3x5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 21A (TA), 87A (TC) 2.6mohm @ 21a, 10V 3V @ 250µA 62NC @ 10V 4150pf @ 20V -
SP8M6FRATB Rohm Semiconductor SP8M6FRATB -
RFQ
 ECAD 1442 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M6 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5A (TA), 3.5A (TA) 51mohm @ 5a, 10v, 90mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v, 5.5nc @ 5v 230pf @ 10V, 490pf @ 10V -
DMP2900UV-7 Diodes Incorporated DMP2900UV-7 0.0974
RFQ
 ECAD 8254 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMP2900 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP2900UV-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 850MA (TA) 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 49pf @ 16v -
SI3139KDW-TP Micro Commercial Co SI3139KDW-TP -
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI3139 MOSFET (금속 (() 150MW (TA) SOT-363 - 353-SI3139KDW-TP 귀 99 8541.21.0095 1 2 p 채널 (채널) 20V 660ma 520mohm @ 1a, 4.5v 1.1V @ 250µA - 175pf @ 16v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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