SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
SI4562DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4562DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4562 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 20V - 25mohm @ 7.1a, 4.5v 1.6V @ 250µA 50NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
MSCSM170AM058CT6AG Microchip Technology MSCSM170AM058CT6AG 996.4300
RFQ
 ECAD 1888 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM170 실리콘 실리콘 (sic) 1.642kW (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM170AM058CT6AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1700V (1.7kv) 353A (TC) 7.5mohm @ 180a, 20V 3.3v @ 15ma 1068NC @ 20V 19800pf @ 1000V -
ZXMC3A17DN8TC Diodes Incorporated ZXMC3A17DN8TC -
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMC3 MOSFET (금속 (() 1.25W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 4.1a, 3.4a 50mohm @ 7.8a, 10V 1V @ 250µA (Min) 12.2NC @ 10V 600pf @ 25V 논리 논리 게이트
SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1922EEH-T1_GE3 0.4900
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SQ1922 MOSFET (금속 (() 1.5W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 840MA (TC) 350mohm @ 400ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.2NC @ 4.5V 50pf @ 10V -
SI4909DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4909DY-T1-GE3 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4909 MOSFET (금속 (() 3.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 40V 8a 27mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 63NC @ 10V 2000pf @ 20V 논리 논리 게이트
DMN33D8LDW-13 Diodes Incorporated DMN33D8LDW-13 0.0555
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN33 MOSFET (금속 (() 350MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 250ma 2.4ohm @ 250ma, 10V 1.5V @ 100µa 1.23NC @ 10V 48pf @ 5v -
AO4946 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4946 -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SRFET ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO494 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V - 16mohm @ 8.6a, 10V 2.4V @ 250µA 31nc @ 10V 1885pf @ 15V 논리 논리 게이트
ZXMD63C02XTA Diodes Incorporated ZXMD63C02XTA -
RFQ
 ECAD 4090 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXMD63 MOSFET (금속 (() 1.04W 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 및 p 채널 20V 2.4a, 1.7a 130mohm @ 1.7a, 4.5v 700MV @ 250µA 6NC @ 4.5V 350pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDMS0348 onsemi FDMS0348 -
RFQ
 ECAD 1908 0.00000000 온세미 * 대부분 쓸모 쓸모 FDMS03 - - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
PJS6833_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6833_S2_00001 0.0967
RFQ
 ECAD 4913 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6833 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6833_S2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 30V 1.1A (TA) 370mohm @ 1.1a, 4.5v 1.3V @ 250µA 1.6NC @ 4.5V 125pf @ 15V -
PJQ2800_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2800_R1_00001 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 PJQ2800 MOSFET (금속 (() 1.45W (TA) DFN2020-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ2800_R1_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 5.2A (TA) 32mohm @ 5.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 6.3NC @ 4.5V 515pf @ 10V -
CSD87502Q2T Texas Instruments CSD87502Q2T 1.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 CSD87502 MOSFET (금속 (() 2.3W 6- 웨슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 2 n 채널 (채널) 30V 5a 32.4mohm @ 4a, 10V 2V @ 250µA 6NC @ 10V 353pf @ 15V 로직 로직 게이트, 5V 드라이브
2N7002PS/ZLX Nexperia USA Inc. 2N7002PS/ZLX -
RFQ
 ECAD 1901 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 990MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 320MA (TA) 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 50pf @ 10V 논리 논리 게이트
AO4800 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4800 -
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO480 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 30V 6.9A 27mohm @ 6.9a, 10V 1.5V @ 250µA 7NC @ 4.5V 630pf @ 15V -
MSCSM120HM31TBL2NG Microchip Technology MSCSM120HM31TBL2NG 246.6500
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 310W - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120HM31TBL2NG 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 브리지) 1200V (1.2kv) 79a 31mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 3MA 232NC @ 20V 3020pf @ 1000V -
DMN3061SVT-13 Diodes Incorporated DMN3061SVT-13 0.1185
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN3061 MOSFET (금속 (() 880MW TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMN3061SVT-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.4A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10V 1.8V @ 250µA 6.6NC @ 10V 278pf @ 15V -
DMT3022UEV-7 Diodes Incorporated DMT3022UEV-7 0.2436
RFQ
 ECAD 1781 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT3022 MOSFET (금속 (() 900MW (TA) PowerDI3333-8 (유형 UXD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 30V 17A (TC) 22mohm @ 11a, 10V 1.8V @ 250µA 13.9NC @ 10V 903pf @ 15V -
IRF7754TR Infineon Technologies IRF7754TR -
RFQ
 ECAD 6363 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF775 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 12V 5.5A 25mohm @ 5.4a, 4.5v 900MV @ 250µA 22NC @ 4.5V 1984pf @ 6v 논리 논리 게이트
AON6938 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6938 -
RFQ
 ECAD 9328 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AON693 MOSFET (금속 (() 3.6W, 4.3W 8-DFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 17a, 33a 8.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 24NC @ 10V 1150pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI5933DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI593333DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6428 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5933 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.7a 110mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
UT6K3TCR Rohm Semiconductor UT6K3TCR 0.7700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn UT6K3 - 2W HUML2020L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 5.5A 42mohm @ 5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 4NC @ 4.5V 450pf @ 15V -
DMC4015SSD-13 Diodes Incorporated DMC4015SSD-13 1.0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC4015 MOSFET (금속 (() 1.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 8.6A, 6.2A 15mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 40NC @ 10V 1810pf @ 20V 논리 논리 게이트
AOCA33104A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA33104A 0.3960
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-smd,, 없음 AOCA33104 MOSFET (금속 (() 3.1W (TA) 10- 알파드프 (alphadfn) (2.98x1.49) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-aoca33104atr 귀 99 8541.29.0095 8,000 2 n 채널 (채널) 12V 30A (TA) 2.8mohm @ 5a, 4.5v 1.3V @ 250µA 32NC @ 4.5V - -
SI5943DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5943DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5749 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5943 MOSFET (금속 (() 8.3W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 6A 64mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 15nc @ 8v 460pf @ 6v 논리 논리 게이트
HP8M31TB1 Rohm Semiconductor HP8M31TB1 2.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn HP8M31 MOSFET (금속 (() 3W (TA) 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 8.5A (TA) 65mohm @ 8.5a, 10v, 70mohm @ 8.5a, 10v 3V @ 1mA 12.3nc @ 10v, 38nc @ 10v 470pf @ 30v, 2300pf @ 30v -
6706A Goford Semiconductor 6706A 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2W (TC) 8-SOP 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 4,000 - 30V 6.5A (TA), 5A (TA) 30mohm @ 5a, 10v, 60mohm @ 4a, 10v 5.2NC @ 10V, 9.2NC @ 10V 255pf @ 15v, 520pf @ 15v 기준
ALD212900APAL Advanced Linear Devices Inc. Ald212900apal 7.9200
RFQ
 ECAD 1494 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD212900 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1215 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma 14ohm 10MV @ 20µA - 30pf @ 5V 논리 논리 게이트
SI6928DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6928DQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7157 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6928 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4a 35mohm @ 4a, 10V 1V @ 250µA 14NC @ 5V - 논리 논리 게이트
FDMC0208 Fairchild Semiconductor FDMC0208 0.2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDMC02 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6P49 MOSFET (금속 (() 1W 6-udfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4a 45mohm @ 3.5a, 10V 1.2v @ 1ma 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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