SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
SI1965DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1965DH-T1-BE3 0.5100
RFQ
 ECAD 9846 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1965 MOSFET (금속 (() 740MW (TA), 1.25W (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 1.14A (TA), 1.3A (TC) 390mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 4.2NC @ 8V 120pf @ 6v -
BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies BSC0910ndiatma1 2.5600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0910 MOSFET (금속 (() 1W PG-Tison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 11a, 31a 4.6mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 6.6NC @ 4.5V 4500pf @ 12v 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
ALD1110ESAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1110esal 6.8234
RFQ
 ECAD 7127 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1110 MOSFET (금속 (() 600MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10V - 500ohm @ 5V 1.01V @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101PAL 8.2700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1101 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1002 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 75ohm @ 5v 1V @ 10µA - - -
SMA5133 Sanken Electric USA Inc. SMA5133 12.1100
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 12-sip SMA51 MOSFET (금속 (() - 12-sip 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SMA5133 DK 귀 99 8541.29.0095 18 3 n 및 3 p 및 (3 상 브리지) 500V 2.5A - - - - -
SI4900DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4900DY-T1-GE3 1.2500
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4900 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 5.3A 58mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 665pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated DMP6110SSD-13 0.5900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP6110 MOSFET (금속 (() 1.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 3.3a 105mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 17.2NC @ 10V 969pf @ 30v -
ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated zxmn6a11dn8ta 0.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN6 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 n 채널 (채널) 60V 2.5A 120mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 5.7nc @ 10V 330pf @ 40v 논리 논리 게이트
FDS6961A onsemi FDS6961A -
RFQ
 ECAD 7892 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS69 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 90mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 4NC @ 5V 220pf @ 15V 논리 논리 게이트
NTLLD4901NFTWG onsemi ntlld4901nftwg -
RFQ
 ECAD 3392 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 NTLLD4901 MOSFET (금속 (() 800MW, 810MW 8-wdfn (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 5.5A, 6.3A 17.4mohm @ 9a, 10V 2.2V @ 250µA 12NC @ 10V 605pf @ 15V 논리 논리 게이트
MTM684110LBF Panasonic Electronic Components MTM684110LBF -
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 MTM68411 MOSFET (금속 (() 1W WMINI8-F1 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.8a 32mohm @ 1a, 5v 1V @ 1mA - 1400pf @ 10V -
SI4567DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4567DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8024 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4567 MOSFET (금속 (() 2.75W, 2.95W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 5a, 4.4a 60mohm @ 4.1a, 10V 2.2V @ 250µA 12NC @ 10V 355pf @ 20V -
EFC4619R-TR onsemi EFC4619R-TR 0.5300
RFQ
 ECAD 425 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, FCBGA EFC4619 MOSFET (금속 (() 1.6W EFCP1616-4CE-022 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) - - - - 21.7NC @ 4.5V - 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
AO6804A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6804A -
RFQ
 ECAD 2484 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 AO680 MOSFET (금속 (() 1.3W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 5a 28mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V 225pf @ 10V 논리 논리 게이트
UP0487800L Panasonic Electronic Components UP0487800L -
RFQ
 ECAD 1816 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 UP04878 MOSFET (금속 (() 125MW SSMINI6-F1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 2 n 채널 (채널) 50V 100ma 12ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 1µa - 12pf @ 3v 논리 논리 게이트
94-3449 Infineon Technologies 94-3449 -
RFQ
 ECAD 7978 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7342 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 2 p 채널 (채널) 55V 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10V 1V @ 250µA 38NC @ 10V 690pf @ 25V 논리 논리 게이트
MSCSM70HM038CAG Microchip Technology MSCSM70HM038CAG 1.0000
RFQ
 ECAD 4439 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 MSCSM70 - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM70HM038CAG 귀 99 8541.29.0095 1 -
DMC3061SVTQ-7 Diodes Incorporated DMC3061SVTQ-7 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC3061 MOSFET (금속 (() 880MW TSOT-26 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 3.4A (TA), 2.7A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 6.6NC @ 10V, 6.8NC @ 10V 278pf @ 15v, 287pf @ 15v -
APTSM120AM14CD3AG Microsemi Corporation APTSM120AM14CD3AG -
RFQ
 ECAD 5294 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 APTSM120 실리콘 실리콘 (sic) 2140W 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널), Schottky 1200V (1.2kv) 337A (TC) 11mohm @ 180a, 20V 3V @ 9mA 1224NC @ 20V 23000pf @ 1000V -
SI4943BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4943BDY-T1-E3 2.0800
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4943 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 6.3A 19mohm @ 8.4a, 10V 3V @ 250µA 25NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SI4944DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4944DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8283 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4944 MOSFET (금속 (() 1.3W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 9.3a 9.5mohm @ 12.2a, 10V 3V @ 250µA 21NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
APTMC60TLM55CT3AG Microchip Technology APTMC60TLM55CT3AG -
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTMC60 실리콘 실리콘 (sic) 250W SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (3 채널 인버터) 1200V (1.2kv) 48A (TC) 49mohm @ 40a, 20V 2.2V @ 2MA (유형) 98NC @ 20V 1900pf @ 1000V -
NDH8321C Fairchild Semiconductor NDH8321C 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSP (0.130 ", 3.30mm 너비) NDH8321 MOSFET (금속 (() 800MW (TA) SUPERSOT ™ -8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 3.8A (TA), 2.7A (TA) 35mohm @ 3.8a, 4.5v, 70mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 28nc @ 4.5v, 23nc @ 4.5v 700pf @ 10v, 865pf @ 10v -
FDS6961A_F011 onsemi FDS6961A_F011 -
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS69 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 90mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 4NC @ 5V 220pf @ 15V 논리 논리 게이트
AUIRF7304QTR Infineon Technologies auirf7304qtr -
RFQ
 ECAD 1628 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRF7304 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001515778 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.3A 90mohm @ 2.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 22NC @ 4.5V 610pf @ 15V 논리 논리 게이트
VWM200-01P IXYS VWM200-01p -
RFQ
 ECAD 9347 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 v2-pak VWM200 MOSFET (금속 (() - v2-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5 6 n 채널 (3 채널 교량) 100V 210A 5.2MOHM @ 100A, 10V 4V @ 2MA 430NC @ 10V - -
G100C04D52 Goford Semiconductor G100C04D52 0.2895
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 65W (TC), 50W (TC) 8-DFN (4.9x5.75) - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-G100C04D52TR 귀 99 8541.29.0000 5,000 - 40V 40A (TC), 24A (TC) 9mohm @ 30a, 10v, 16mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250µA 29NC @ 10V, 45NC @ 10V 2213pf @ 20V, 2451pf @ 20V 기준
SI6926ADQ-T1-BE3 Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-BE3 1.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6926 MOSFET (금속 (() 830MW (TA) 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 742-SI6926ADQ-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.1A (TA) 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 10.5nc @ 4.5v - -
AOND62930 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Aond62930 0.5263
RFQ
 ECAD 8756 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 Aond629 MOSFET (금속 (() 3.5W (TA), 7.3W (TC) 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aond62930tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 100V 4.5A (TA), 7A (TC) 68mohm @ 5a, 10V 2.8V @ 250µA 12NC @ 10V 415pf @ 50V 기준
SI5902BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5902BDC-T1-E3 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5902 MOSFET (금속 (() 3.12W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4A (TC) 65mohm @ 3.1a, 10V 3V @ 250µA 7NC @ 10V 220pf @ 15V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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