SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
MTM763250LBF Panasonic Electronic Components MTM763250LBF -
RFQ
 ECAD 3882 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MTM76320 MOSFET (금속 (() 700MW WSMINI6-F1-B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 1.7a, 1a 120mohm @ 1a, 4v 1.3v @ 1ma - 280pf @ 10V 논리 논리 게이트
2SK3434-Z-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3434-Z-AZ 1.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 2SK3434 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 -
FDMJ1032C onsemi FDMJ1032C -
RFQ
 ECAD 7684 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-Wfdfn d 패드 패드 FDMJ1032 MOSFET (금속 (() 800MW SC-75,, 펫 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 3.2A, 2.5A 90mohm @ 3.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 270pf @ 10V 논리 논리 게이트
FDS8960C onsemi FDS8960C -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 및 p 채널 35V 7a, 5a 24mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 7.7NC @ 5V 570pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDC6302P onsemi FDC6302P -
RFQ
 ECAD 7812 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC6302 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 25V 120ma 10ohm @ 200ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 0.31NC @ 4.5V 11pf @ 10V 논리 논리 게이트
NX7002AKS/ZLX Nexperia USA Inc. NX7002AKS/ZLX -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX7002 MOSFET (금속 (() 1.06W 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070251115 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 170ma (TA) 4.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43NC @ 4.5V 17pf @ 10V -
FDS6984S onsemi FDS6984S -
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS69 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.5A, 8.5A 19mohm @ 8.5a, 10V 3V @ 250µA 12NC @ 5V 1233pf @ 15V 논리 논리 게이트
SP8J1FU6TB Rohm Semiconductor SP8J1FU6TB -
RFQ
 ECAD 7343 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8J1 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 5a 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 16nc @ 5v 1400pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRF7506TR Infineon Technologies irf7506tr -
RFQ
 ECAD 7669 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7506 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 1.7a 270mohm @ 1.2a, 10V 1V @ 250µA 11nc @ 10V 180pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRF7750TRPBF Infineon Technologies IRF7750TRPBF -
RFQ
 ECAD 6437 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF7750 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.7a 30mohm @ 4.7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 39NC @ 5V 1700pf @ 15V 논리 논리 게이트
MCH6626-TL-E onsemi MCH6626-TL-E 0.1000
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6626 MOSFET (금속 (() 800MW 6mcph - 적용 적용 수 할 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 및 p 채널 20V 1.6a, 1a 230mohm @ 800ma, 4v - 1.4nc @ 4v 105pf @ 10v 논리 논리 게이트
IRF7750GTRPBF Infineon Technologies IRF7750GTRPBF -
RFQ
 ECAD 8080 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF7750 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.7a 30mohm @ 4.7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 39NC @ 5V 1700pf @ 15V 논리 논리 게이트
BSS138DWQ-7-52 Diodes Incorporated BSS138DWQ-7-52 0.0666
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (금속 (() 200MW (TA) SOT-363 다운로드 1 (무제한) 31-BSS138DWQ-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 50V 200MA (TC) 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA - 50pf @ 10V 기준
QH8MA4TCR Rohm Semiconductor QH8MA4TCR 0.9000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8MA4 MOSFET (금속 (() 1.5W TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 9a, 8a 16mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 15.5NC @ 10V 640pf @ 15V -
FDPC4044 onsemi FDPC4044 -
RFQ
 ECAD 5278 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDPC4 MOSFET (금속 (() 1W 파워 파워 -33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 - - 4.3mohm @ 27a, 10V 3V @ 250µA 49NC @ 10V 3215pf @ 15V 논리 논리 게이트
PJQ2888_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2888_R1_00001 -
RFQ
 ECAD 8259 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 PJQ2888 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) DFN2020-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ2888_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.5A (TA) 325mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 2.2NC @ 4.5V 150pf @ 10V -
SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n42fe (te85l, f) -
RFQ
 ECAD 4807 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6N42 MOSFET (금속 (() 150MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 800ma 240mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 1mA 2NC @ 4.5V 90pf @ 10V 논리 논리 게이트
DMN5L06VK-7 Diodes Incorporated DMN5L06VK-7 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN5L06 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 280ma 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
AO8822 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8822 0.3679
RFQ
 ECAD 6273 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) AO882 MOSFET (금속 (() 1.5W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 7a 18mohm @ 7a, 10V 1V @ 250µA 18NC @ 10V 780pf @ 10V 논리 논리 게이트
DMC62D2SV-13 Diodes Incorporated DMC62D2SV-13 0.0578
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMC62D2SV-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 60V 480MA (TA), 320MA (TA) 1.7ohm @ 200ma, 10v, 4ohm @ 200ma, 10v 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA 1.04NC @ 10V, 1.1NC @ 10V 41pf @ 30v, 40pf @ 25v 기준
FSS275-TL-E-SA Sanyo FSS275-TL-E-SA 0.5200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 FSS275 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,000 -
NTQD6968R2 onsemi NTQD6968R2 -
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NTQD69 MOSFET (금속 (() 1.42W 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTQD6968R2OS 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 6.6a 22mohm @ 6.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 900pf @ 16V 논리 논리 게이트
NTHD2102PT1G onsemi nthd2102pt1g -
RFQ
 ECAD 7214 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 nthd21 MOSFET (금속 (() 1.1W Chipfet ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V 3.4a 58mohm @ 3.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 16nc @ 2.5v 715pf @ 6.4v 논리 논리 게이트
BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies BSG0811NDATMA1 2.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSG0811 MOSFET (금속 (() 2.5W PG-Tison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 19a, 41a 3MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 8.4nc @ 4.5v 1100pf @ 12v 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
AO4805L_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4805L_101 -
RFQ
 ECAD 9706 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO480 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 p 채널 (채널) 30V 9a 19mohm @ 8a, 10V 2.8V @ 250µA 39NC @ 10V 2600pf @ 15V 논리 논리 게이트
ALD110914SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110914SAL 4.7014
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110914 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1043 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 5.4v 1.42V @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
SQJB42EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb42ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB42 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 9.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1500pf @ 25v -
DMPH6050SSD-13 Diodes Incorporated DMPH6050SSD-13 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMPH6050 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 5.2A (TA) 48mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 14.5NC @ 4.5V 1525pf @ 30V -
SH8JC5TB1 Rohm Semiconductor SH8JC5TB1 2.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8JC5 MOSFET (금속 (() 1.4W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 7.5A (TA) 32MOHM @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 50NC @ 10V 2630pf @ 30V -
SP8M2FU6TB Rohm Semiconductor SP8M2FU6TB -
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M2 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 3.5a 83mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.5NC @ 5V 140pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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