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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 전류 - 출력 피크 현재 -홀드 (ih) (최대) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 전압 - 파괴 scrs, 수 다이오드 현재 - 오버 브레이크
CQ202-4B Central Semiconductor Corp CQ202-4B -
RFQ
ECAD 6336 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-202 긴 2 TO-202 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 25 MA 내부적으로 내부적으로 200 v 4 a 2.5 v - 50 MA
VS-ST083S08PFM1P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST083S08pfm1p 91.9600
RFQ
ECAD 1844 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 ST083 TO-209AC (TO-94) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 25 600 MA 800 v 135 a 3 v 2060a, 2160a 200 MA 2.15 v 85 a 30 MA 표준 표준
2N685A Solid State Inc. 2N685A 6.5000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - 상자 활동적인 - 스터드 스터드 TO-208AA, TO-48-3, 스터드 To-48 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2383-2N685A 귀 99 8541.10.0080 10 200 v - 25 a -
BT236X-800,127 WeEn Semiconductors BT236X-800,127 0.3417
RFQ
ECAD 8210 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BT236 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 20 MA 기준 800 v 6 a 1.5 v 65a, 71a 35 MA
BTA410Y-800BT,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-800BT, 127 0.4822
RFQ
ECAD 9666 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 BTA410 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934066159127 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 60 MA 기준 800 v 10 a 1.5 v 100A, 110A 50 MA
BT148-600R,127 WeEn Semiconductors BT148-600R, 127 0.6700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 SOT-82 BT148 SOT-82-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 6 MA 600 v 4 a 1.5 v 35a, 38a 200 µA 1.8 v 2.5 a 500 µA 민감한 민감한
CQ220-25N Central Semiconductor Corp CQ220-25N -
RFQ
ECAD 4045 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 50 MA 내부적으로 내부적으로 800 v 25 a 2.5 v - 60 MA
S6X8ES Littelfuse Inc. S6X8ES 0.5900
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -s6x8es 귀 99 8541.30.0080 2,500 5 MA 600 v 800 MA 800 MV 8A, 10A 200 µA 1.7 v 510 MA 3 µA 민감한 민감한
T1635T-8FP STMicroelectronics T1635T-8FP 2.1400
RFQ
ECAD 139 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 T1635 TO-220FPAB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 40 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 16 a 1.3 v 120a, 126a 35 MA
K3601GLRP Littelfuse Inc. K3601GLRP 0.9024
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 Littelfuse Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) DO-204AC, DO-15, 축 방향 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 -K3601GLRP 귀 99 8541.30.0080 5,000 50 a 30 MA 348 ~ 380V 10 µA
T2160N26TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T2160N26TOFVTXPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 8317 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 do-200ae T2160N26 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 300 MA 2.8kV 4600 a 3 v 44000a @ 50Hz 300 MA 2400 a 1 scr
BTA212-600D,127 WeEn Semiconductors BTA212-600D, 127 0.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA212 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 12 a 1.5 v 95a, 105a 5 MA
K1100S Littelfuse Inc. K1100S -
RFQ
ECAD 3776 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) DO-214AA, SMB DO-214 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.30.0080 5,000 1 a 150 MA 104 ~ 118V 10 µA
BTA2008-1000D,126 WeEn Semiconductors BTA2008-1000D, 126 0.0986
RFQ
ECAD 4794 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & t (TB) 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BTA2008 To-92-3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 10,000 하나의 10 MA 기준 1kv 800 MA 1 v 9A, 9.9A 5 MA
CQ220-16N Central Semiconductor Corp CQ220-16N -
RFQ
ECAD 6136 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 25 MA 내부적으로 내부적으로 800 v 16 a 2.5 v -
VHF55-14IO7 IXYS VHF55-14IO7 -
RFQ
ECAD 2360 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 fo-ta VHF55 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 1.4kV 1.5 v 550A, 600A 100 MA 53 a 2 개의 scr, 2 개의 다이오드
QJ6016NH2RP Littelfuse Inc. QJ6016NH2RP 4.4000
RFQ
ECAD 162 0.00000000 Littelfuse Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB QJ6016 To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 15 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 16 a 1.3 v 167a, 200a 10 MA
CLB40I1200PZ-TRL IXYS CLB40I1200PZ-TRL 4.2764
RFQ
ECAD 5207 0.00000000 ixys CLB40I1200PZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB CLB40 TO-263HV 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-CLB40I1200PZ-TRLTR 귀 99 8541.30.0080 800 70 MA 1.2kV 63 a 1.7 v 520A, 560A 30 MA 1.3 v 40 a 표준 표준
IRKH41/08A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKH41/08A -
RFQ
ECAD 3293 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 2) IRKH41 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 800 v 100 a 2.5 v 850A, 890A 150 MA 45 a 1 scr, 1 다이오드
T627081564DN Powerex Inc. T627081564DN -
RFQ
ECAD 6709 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 스터드 스터드 DO-200AA, A-PUK T627081564 T62 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 800 v 235 a 3 v 3500A @ 60Hz 150 MA 2.35 v 150 a 25 MA 표준 표준
MCO25-16IO1 IXYS MCO25-16IO1 19.7370
RFQ
ECAD 8273 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MCO25 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 100 MA 1.6kV 49 a 1.5 v 370A, 400A 55 MA 31 a 1 scr
CTB06-1000TW Sensata-Crydom CTB06-1000TW -
RFQ
ECAD 5646 0.00000000 sensata-crydom - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220AB 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 250 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 1kv 6 a 1.3 v 60a, 63a 5 MA
VS-ST730C16L1L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST730C16L1L 150.2467
RFQ
ECAD 3959 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AC, B-PUK ST730 TO-200AC, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsst730c16l1l 귀 99 8541.30.0080 3 600 MA 1.6kV 2000 a 3 v 15000A, 15700A 200 MA 1.62 v 990 a 80 MA 표준 표준
T7270645B4DN Powerex Inc. T7270645B4DN -
RFQ
ECAD 9218 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 스터드 스터드 SC-20, 스터드 T7270645 T-72 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 600 v 700 a 3 v 8000A @ 60Hz 150 MA 1.45 v 450 a 30 MA 표준 표준
CQ202-4N Central Semiconductor Corp CQ202-4N -
RFQ
ECAD 1142 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-202 긴 2 TO-202 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 25 MA 내부적으로 내부적으로 800 v 4 a 2.5 v - 50 MA
Q8040K4TP Littelfuse Inc. Q8040K4TP 11.6700
RFQ
ECAD 230 0.00000000 Littelfuse Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC Q8040 TO-218AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -Q8040K4TP 귀 99 8541.30.0080 250 하나의 80 MA 기준 800 v 40 a 1.3 v 335A, 400A 100 MA
CS202-4N Central Semiconductor Corp CS202-4N -
RFQ
ECAD 2218 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-202 긴 2 TO-202 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 500 2 MA 800 v 4 a 800 MV - 200 µA 1.8 v 표준 표준
L2X8E6 Littelfuse Inc. l2x8e6 -
RFQ
ECAD 1092 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 110 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 200 v 800 MA 1.3 v 8.3a, 10a 5 MA
SST08A-800CW SMC Diode Solutions SST08A-800CW 1.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 smc 다이오드 솔루션 SST08 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SST08 TO-220AINS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 -1655-2242 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 40 MA 기준 800 v 8 a 1.5 v 80A @ 50Hz 35 MA
Q4035RH5TP Littelfuse Inc. Q4035RH5TP 4.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Littelfuse Inc. qxx35xhx 튜브 활동적인 -25 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 Q4035 TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 75 MA 대안 - 너버리스 스 400 v 35 a 2 v 290A, 350A 50 MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고