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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	scrs, 수 다이오드
BTB24-800BWRG	3.0500	RFQ	4821	stmicroelectronics	Snubberless ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BTB24		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50	하나의	75 MA	대안 - 너버리스 스	800 v	25 a	1.3 v	250A, 260A	50 MA
efe19ff	-	RFQ	3176	sensata-crydom	ef	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		다리, 3 상 -Scrs/다이오드		다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1				1.2kV		3 v	600A @ 60Hz	80 MA					3 개의 scr, 3 개의 다이오드
Q6016NH4TP	1.8883	RFQ	4596	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	Q6016		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-Q6016NH4TP	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의	50 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	16 a	1.3 v	167a, 200a	35 MA
C106mg	0.7000	RFQ	10	Littelfuse Inc.	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	C106		TO-225AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500		3 MA		600 v	4 a	800 MV	20A @ 60Hz	200 µA	2.2 v	2.55 a	10 µA	민감한 민감한
T9G0081003DH	-	RFQ	8361	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200 변형	T9G0081003	하나의		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1				800 v	1590 a	3 v	15500a, 17000a	200 MA		1000 a			1 scr
L6006L8	-	RFQ	5924	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭			TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		-L6006L8	귀 99	8541.30.0080	500	하나의	20 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	6 a	1.3 v	50a, 60a	10 MA
Q2016NH3TP	-	RFQ	9575	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500	하나의	35 MA	대안 - 너버리스 스	200 v	16 a	1.3 v	167a, 200a	20 MA
VS-P403	39.4490	RFQ	2124	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	8-pace-pak	P403	짐		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSP403	귀 99	8541.30.0080	10		130 MA		800 v	40 a	2 v	385A, 400A	60 MA					2 개의 scr, 2 개의 다이오드
T430N18TOFXPSA1	142.8878	RFQ	8212	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AA	T430N18	하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	18		300 MA		1.8 kV	700 a	2 v	5200A @ 50Hz	200 MA		433 a			1 scr
B554-2	65.1300	RFQ	1483	sensata-crydom	B-2	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	격리 격리 모듈		1 모든 모든 - 상 scr		다운로드	rohs 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	10				1.2kV		2.5 v	250A @ 60Hz	60 MA					2 scrs
vs-st183c08cfl0	71.9533	RFQ	9695	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	TO-200AB, A-PUK	ST183		TO-200AB, A-PUK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	12		600 MA		800 v	690 a	3 v	4900A, 5130A	200 MA	1.8 v	370 a	40 MA	표준 표준
Q2004F32	-	RFQ	6916	Littelfuse Inc.	-	대부분	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-202 긴 2			TO-202	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500	하나의	20 MA	논리 - 게이트 민감한	200 v	4 a	2 v	46A, 55A	10 MA
VS-ST330S14P0	224.1617	RFQ	5205	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ae, to-118-4, 스터드	ST330		TO-209AE (TO-118)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	6		600 MA		1.4kV	520 a	3 v	9000A, 9420A	200 MA	1.52 v	330 a	50 MA	표준 표준
Q6012RH5	-	RFQ	9250	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	Q6012		TO-220 침투화 비 된 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		-q6012RH5	귀 99	8541.30.0080	500	하나의	50 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	12 a	1.3 v	110A, 120A	50 MA
IRKL162/12	-	RFQ	7056	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	int-a-pak (3 + 2)	IRKL162	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3		200 MA		1.2kV	355 a	2.5 v	4870A, 5100A	150 MA		160 a			1 scr, 1 다이오드
VS-ST303C04LFL0	184.3000	RFQ	4001	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, E-PUK	ST303		TO-200AB (E-PUK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3		600 MA		400 v	995 a	3 v	7950A, 8320A	200 MA	2.16 v	515 a	50 MA	표준 표준
CTB24-1200bpt	-	RFQ	6754	sensata-crydom	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50	하나의	80 MA	기준	1.2kV	24 a	1.3 v	250A, 260A	50 MA
SK055MTP	6.3500	RFQ	2	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-218-3, TO-218AC			TO-218 비 8 된 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	25		60 MA		1kv	55 a	1.5 v	550A, 650A	40 MA	1.8 v	35 a	30 µA	표준 표준
S4006LS3	-	RFQ	2391	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭			TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500		8 MA		400 v	6 a	800 MV	83A, 100A	500 µA	1.6 v	3.8 a	5 µA	민감한 민감한
L2008V8TP	-	RFQ	3447	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			TO-251 (V-PAK/I-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	750	하나의	20 MA	논리 - 게이트 민감한	200 v	8 a	1.3 v	65a, 85a	10 MA
VS-82RIA120	37.5632	RFQ	1335	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	82RI120		TO-209AC (TO-94)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	25		200 MA		1.2kV	125 a	2.5 v	1900a, 1990a	120 MA	1.6 v	80 a	15 MA	표준 표준
S8025NRP	2.6400	RFQ	326	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	500		50 MA		800 v	25 a	1.5 v	300A, 350A	35 MA	1.6 v	16 a	20 µA	표준 표준
jantx2n2324au4	-	RFQ	7584	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/276	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	3-smd,, 없음			U4	-	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1		2 MA		100 v		600 MV	15A @ 60Hz	20 µA			10 µA	표준 표준
S4006LS2	-	RFQ	5473	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭			TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500		6 MA		400 v	6 a	800 MV	83A, 100A	200 µA	1.6 v	3.8 a	5 µA	민감한 민감한
VSKHF200-12HK	-	RFQ	4275	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	3-MAGN-A-PAK ™	VSKHF200	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2		600 MA		1.2kV	444 a	3 v	7600A, 8000A	200 MA		200a			1 scr, 1 다이오드
S4004DS2TP	0.8376	RFQ	1530	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-S4004DS2TP	귀 99	8541.30.0080	750		6 MA		400 v	4 a	800 MV	25A, 30A	200 µA	1.6 v	2.5 a	2 µA	민감한 민감한
S2008DRP	-	RFQ	6320	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			TO-252, (D-PAK)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	2,500		30 MA		200 v	8 a	1.5 v	83A, 100A	15 MA	1.6 v	5.1 a	10 µA	표준 표준
L401E375	-	RFQ	8278	Littelfuse Inc.	-	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			To-92	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	2,000	하나의	5 MA	논리 - 게이트 민감한	400 v	1 a	1.3 v	16.7a, 20a	3 MA
TN1625-1000G-TR	2.6000	RFQ	1432	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	TN1625		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000		40 MA		1kv	16 a	1.3 v	190a, 200a	25 MA	1.6 v	10 a	5 µA	표준 표준
VS-ST230C08C0	57.8625	RFQ	7749	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, A-PUK	ST230		TO-200AB, A-PUK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	12		600 MA		800 v	780 a	3 v	5700A, 5970A	150 MA	1.69 v	410 a	30 MA	표준 표준

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²