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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
JANTX1N2814RB Microchip Technology jantx1n2814rb -
RFQ
ECAD 9090 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/114 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2814 10 W. TO-204AD (TO-3) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 12.2 v 16 v 1.6 옴
JANTX1N2991RB Microchip Technology jantx1n2991rb -
RFQ
ECAD 8053 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/124 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 10 W. DO-213AA (DO-4) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 27.4 v 36 v 10 옴
JANTXV1N3330B Microchip Technology jantxv1n3330b -
RFQ
ECAD 3434 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/358 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 50 W. DO-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 35.8 v 47 v 5 옴
JANTXV1N4562RB Microchip Technology jantxv1n4562rb -
RFQ
ECAD 3134 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/114 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AD 50 W. TO-204AD (TO-3) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 20 µa @ 2 v 6.2 v 0.14 옴
JANTX1N6355CUS Microchip Technology jantx1n6355cus -
RFQ
ECAD 1721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 152 v 200 v 1800 옴
JANTX1N6486DUS Microchip Technology jantx1n6486dus -
RFQ
ECAD 4516 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w A, SQ-Mell - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
JANTX1N6490DUS Microchip Technology jantx1n6490dus -
RFQ
ECAD 8887 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w A, SQ-Mell - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
JANTX1N6636DUS Microchip Technology jantx1n6636dus -
RFQ
ECAD 5057 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 20 µa @ 1 v 4.7 v 2 옴
JANTX1N991C-1 Microchip Technology jantx1n991c-1 -
RFQ
ECAD 7353 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.3 v @ 200 ma 500 NA @ 137 v 180 v 2200 옴
JANS1N4113D-1 Microchip Technology JANS1N4113D-1 101.3100
RFQ
ECAD 2431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 14.5 v 19 v 150 옴
JANS1N4122C-1 Microchip Technology JANS1N4122C-1 67.5450
RFQ
ECAD 8550 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 27.4 v 36 v 200 옴
JANS1N4123C-1 Microchip Technology JANS1N4123C-1 67.5450
RFQ
ECAD 6991 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 29.7 v 39 v 200 옴
JANS1N4126CUR-1 Microchip Technology JANS1N4126CUR-1 97.9650
RFQ
ECAD 4064 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 38.8 v 51 v 300 옴
JANS1N4127D-1 Microchip Technology JANS1N4127D-1 101.3100
RFQ
ECAD 4108 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 42.6 v 56 v 300 옴
JANS1N4130DUR-1 Microchip Technology JANS1N4130DUR-1 147.2700
RFQ
ECAD 6308 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 51.7 v 68 v 700 옴
JANS1N4134C-1 Microchip Technology JANS1N4134C-1 67.5450
RFQ
ECAD 8356 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 69.2 v 91 v 1200 옴
JANS1N4461US Microchip Technology JANS1N4461US 92.7750
RFQ
ECAD 4368 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w A, SQ-Mell - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µa @ 4.08 v 6.8 v 2.5 옴
JANTXV1N2973B Microchip Technology jantxv1n2973b -
RFQ
ECAD 2274 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/124 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 10 W. DO-213AA (DO-4) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 25 µa @ 6.9 v 9.1 v 2 옴
JANTX1N3320RB Microchip Technology jantx1n3320rb -
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/358 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 50 W. DO-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 16.7 v 22 v 2.5 옴
GBU2506 Taiwan Semiconductor Corporation GBU2506 2.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU2506 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.2 v @ 25 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
BZX84-C22/DG/B3,21 Nexperia USA Inc. BZX84-C22/DG/B3,21 -
RFQ
ECAD 1580 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065271215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22.05 v 55 옴
BZX84-C3V9/DG/B3:2 Nexperia USA Inc. BZX84-C3V9/DG/B3 : 2 -
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065278235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZX84J-B43/DG/B3,1 Nexperia USA Inc. BZX84J-B43/DG/B3,1 -
RFQ
ECAD 2186 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065778115 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 30.1 v 43 v 80 옴
PDZ33BF Nexperia USA Inc. PDZ33BF 0.2100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ33 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 25 v 32.97 v 40
PDZ33BZ Nexperia USA Inc. PDZ33BZ 0.2100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ33 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 25 v 32.97 v 40
PDZ10BF Nexperia USA Inc. PDZ10BF 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ10 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7 v 10.21 v 60 옴
PDZ24BZ Nexperia USA Inc. PDZ24BZ 0.2100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ24 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 19 v 24.25 v 30 옴
BZX84-B18/ZLR Nexperia USA Inc. BZX84-B18/ZLR -
RFQ
ECAD 5438 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069944215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
BZX84-C11/DG/B3,21 Nexperia USA Inc. BZX84-C11/DG/B3,21 -
RFQ
ECAD 2124 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065289215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
BZX84-C36/DG/B3VL Nexperia USA Inc. BZX84-C36/DG/B3VL -
RFQ
ECAD 1812 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070213235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고