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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ABS15M REG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15M Reg 0.2700
RFQ
ECAD 6601 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs15 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
ABS6 REG Taiwan Semiconductor Corporation abs6 reg 0.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs6 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 950 mV @ 400 mA 10 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
BZD27C24P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P RVG 0.2753
RFQ
ECAD 12 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18 v 24.2 v 15 옴
BZD27C43P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P 0.4400
RFQ
ECAD 251 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
BZT52C10 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10 RHG 0.2600
RFQ
ECAD 34 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 180 na @ 7 v 10 v 20 옴
MBS10 Taiwan Semiconductor Corporation MBS10 0.5200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4- 베스 외 (0.173 ", 4.40mm 너비) MBS10 기준 MBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 800 MA 단일 단일 1kv
MBS6 Taiwan Semiconductor Corporation MBS6 0.5000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4- 베스 외 (0.173 ", 4.40mm 너비) MBS6 기준 MBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 800 MA 단일 단일 600 v
BZT52C3V6 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V6 RHG 0.0412
RFQ
ECAD 7321 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 4.5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
DBLS107G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS107G 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS107 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
DBLS157G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS157G 0.7800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS157 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
DBLS205G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS205G 0.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS205 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
GBU1007 Taiwan Semiconductor Corporation GBU1007 1.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU1007 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
GBU406 Taiwan Semiconductor Corporation GBU406 1.1900
RFQ
ECAD 184 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU406 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 a 5 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
GBU407 Taiwan Semiconductor Corporation GBU407 1.1900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU407 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
GBU807 Taiwan Semiconductor Corporation GBU807 1.5600
RFQ
ECAD 293 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU807 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 8 a 단일 단일 1kv
1N4755AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755AHA0G -
RFQ
ECAD 3990 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4755 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
1N5244B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5244B A0G -
RFQ
ECAD 8297 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5244 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
BZX79B3V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B3V3 A0G -
RFQ
ECAD 8794 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 1 ma @ 25 v 3.3 v 95 옴
BZX79B4V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B4V3 A0G -
RFQ
ECAD 9617 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 1 ma @ 5 v 4.3 v 90 옴
BZX79B6V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B6V2 A0G -
RFQ
ECAD 8413 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 4 ma @ 3 v 6.2 v 10 옴
BZX79C16 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C16 A0G -
RFQ
ECAD 6129 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
BZX79C6V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C6V2 A0G -
RFQ
ECAD 7269 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BZX85C3V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C3V3 A0G -
RFQ
ECAD 1303 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 10 ma 40 µa @ 1 v 3.3 v 20 옴
BZX55B10 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B10 A0G -
RFQ
ECAD 6218 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
TSZL52C27 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C27 RWG -
RFQ
ECAD 9451 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) TSZL52 200 MW 1005 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 20 v 27 v 80 옴
2M43Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M43Z A0G -
RFQ
ECAD 2662 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M43 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 32.7 v 43 v 35 옴
2M91Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M91Z A0G -
RFQ
ECAD 8051 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M91 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 69.2 v 91 v 125 옴
2M12ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M12ZHA0G -
RFQ
ECAD 5992 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M12 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1 µa @ 9.1 v 12 v 4.5 옴
GBL410_HF Diodes Incorporated GBL410_HF 0.8800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL410 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
MSB15MH-13 Diodes Incorporated MSB15MH-13 0.2035
RFQ
ECAD 7562 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 MSB15 기준 4-MSBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고