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다이오드 (168966)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 - 최대	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	저항 @ if, f	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건	Q @ vr, f
MPG06B-E3/73	-	RFQ	4660	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인		구멍을 구멍을	MPG06,, 방향	MPG06	기준	MPG06	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		100 v	1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
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1N2159	2.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	상자	활동적인		스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		기준	DO-5	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	2383-1N2159	귀 99	8541.10.0080	10	짐		500 v	1.19 v @ 90 a		10 µa @ 500 v	-65 ° C ~ 200 ° C	40a	-
jantx1n6629u	-	RFQ	9427	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/590	대부분	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	SQ-Mell, e		기준	D-5B	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v	1.4 V @ 1.4 a	50 ns	2 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.4a	-
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MD75S18M2	23.8413	RFQ	800	양지 양지	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		기준	M2	-	rohs 준수		영향을받지 영향을받지	4617-MD75S18M2	귀 99		8				1.6 V @ 150 a		300 µa @ 1800 v		75 a		3 단계	1.8 kV
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (168966)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²