- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
다이오드 (166326)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 현재- 정류 평균 (IO) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GBU8M-M3/45 | 2.2100 |  | 4411 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 1000 v | 8 a | 단일 단일 | 1kv | |||||
 | GSIB1540N-M3/45 | 1.8371 | | 5936 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB1540 | 기준 | GSIB-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 950 MV @ 7.5 a | 10 µa @ 400 v | 15 a | 단일 단일 | 400 v | |||||
| GSIB2520N-M3/45 | 2.2333 | | 9498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB2520 | 기준 | GSIB-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 200 v | 25 a | 단일 단일 | 200 v | |||||
| GSIB620N-M3/45 | 1.5423 | | 2226 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB620 | 기준 | GSIB-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 950 MV @ 3 a | 10 µa @ 200 v | 6 a | 단일 단일 | 200 v | |||||
| GSIB640N-M3/45 | 1.5423 | | 3629 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB640 | 기준 | GSIB-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 950 MV @ 3 a | 10 µa @ 400 v | 6 a | 단일 단일 | 400 v | |||||
| GSIB660N-M3/45 | 1.5423 | | 4526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB660 | 기준 | GSIB-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 950 MV @ 3 a | 10 µa @ 600 v | 6 a | 단일 단일 | 600 v | |||||
| LVB1560-M3/45 | 6.9300 | | 889 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GSIB-5S | LVB1560 | 기준 | GSIB-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 900 MV @ 7.5 a | 10 µa @ 600 v | 15 a | 단일 단일 | 600 v | |||||
 | MMSZ5239B-G3-08 | 0.0409 | | 4551 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5239 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µa @ 7 v | 9.1 v | 10 옴 | ||||||
| MMSZ5242C-G3-08 | 0.0483 | | 2159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5242 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 30 옴 | ||||||
| MMSZ5245B-G3-08 | 0.3100 | | 23 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5245 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 옴 | ||||||
| MMSZ5246C-HE3-08 | 0.0454 | | 2264 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5246 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 12 v | 16 v | 17 옴 | ||||||
| MMSZ5247C-G3-08 | 0.0483 | | 1158 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5247 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 옴 | ||||||
| MMSZ5248C-E3-08 | 0.3200 | | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5248 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 옴 | ||||||
| MMSZ5249B-E3-08 | 0.0360 | | 1511 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5249 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 14 v | 19 v | 23 옴 | ||||||
| MMSZ5249C-G3-08 | 0.0483 | | 8539 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5249 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 14 v | 19 v | 23 옴 | ||||||
| MMSZ5250B-G3-08 | 0.3100 | | 1844 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5250 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 15 v | 20 v | 25 옴 | ||||||
| MMSZ5253B-G3-08 | 0.0409 | | 9049 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5253 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 19 v | 25 v | 35 옴 | ||||||
| MMSZ5260B-G3-08 | 0.0409 | | 2497 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5260 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 33 v | 43 v | 93 옴 | ||||||
| MMSZ5260C-G3-08 | 0.0483 | | 6728 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5260 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 33 v | 43 v | 93 옴 | ||||||
| MMSZ5265C-E3-08 | 0.3200 | | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5265 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 47 v | 62 v | 185 옴 | ||||||
| MMSZ5266C-G3-08 | 0.0483 | | 9134 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5266 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 52 v | 68 v | 230 옴 | ||||||
 | 3KBP01M-M4/51 | - | | 2337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBPM | 3KBP01 | 기준 | KBPM | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.05 V @ 3 a | 5 µa @ 100 v | 3 a | 단일 단일 | 50 v | |||||
| 3N250-M4/51 | - | | 9581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBPM | 3N250 | 기준 | KBPM | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 600 v | 1.5 a | 단일 단일 | 600 v | |||||
| 3N253-M4/51 | - | | 6713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBPM | 3N253 | 기준 | KBPM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 v @ 3.14 a | 5 µa @ 50 v | 2 a | 단일 단일 | 50 v | |||||
 | BU1008A-M3/51 | 1.2098 | | 3478 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-sip, bu | BU1008 | 기준 | Isocink+™ BU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 v @ 5 a | 5 µa @ 800 v | 10 a | 단일 단일 | 800 v | |||||
| BU1010-M3/51 | 1.3185 | | 2341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-sip, bu | BU1010 | 기준 | Isocink+™ BU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 5 a | 5 µa @ 1000 v | 10 a | 단일 단일 | 1kv | |||||
 | MMBZ5233B-HE3-08 | - | | 2844 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5233 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µa @ 3.5 v | 6 v | 7 옴 | ||||||
| MMBZ5233C-HE3-08 | - | | 5941 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5233 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µa @ 3.5 v | 6 v | 7 옴 | ||||||
| MMBZ5236B-E3-08 | - | | 5275 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5236 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µa @ 6 v | 7.5 v | 6 옴 | ||||||
| MMBZ5236C-HE3-08 | - | | 7547 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5236 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µa @ 6 v | 7.5 v | 6 옴 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)