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다이오드 (166326)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GBL406-BPC01 Micro Commercial Co GBL406-BPC01 0.2478
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL406 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,400 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
KBJA1002-BP Micro Commercial Co KBJA1002-BP 0.5408
RFQ
 ECAD 3371 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, JB KBJA1002 기준 JB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 200 v 10 a 단일 단일 200 v
KBJA1004-BP Micro Commercial Co KBJA1004-BP 0.5408
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, JB KBJA1004 기준 JB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 400 v 10 a 단일 단일 400 v
KBJA1008-BP Micro Commercial Co KBJA1008-BP 0.5408
RFQ
 ECAD 1684 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, JB KBJA1008 기준 JB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 800 v
GBJA2002-BP Micro Commercial Co GBJA2002-BP 0.5012
RFQ
 ECAD 2778 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, JA GBJA2002 기준 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.1 v @ 10 a 10 µa @ 200 v 20 a 단일 단일 200 v
GBJA2010-BP Micro Commercial Co GBJA2010-BP 0.5012
RFQ
 ECAD 1908 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, JA GBJA2010 기준 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.1 v @ 10 a 10 µa @ 1000 v 20 a 단일 단일 1kv
KBJL1501G-BP Micro Commercial Co KBJL1501G-BP -
RFQ
 ECAD 7022 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJL1501 기준 KBJ - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,400 1.05 V @ 7.5 a 5 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
KBJL1510G-BP Micro Commercial Co KBJL1510G-BP -
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJL1510 기준 KBJ - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,400 1.05 V @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
KBJL4005G-BP Micro Commercial Co KBJL4005G-BP -
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJL KBJL4005 기준 KBJL - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,400 1 V @ 2 a 10 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
KBJL404G-BP Micro Commercial Co KBJL404G-BP -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJL KBJL404 기준 KBJL - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,400 1 V @ 2 a 10 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
KBJL410G-BP Micro Commercial Co KBJL410G-BP -
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJL KBJL410 기준 KBJL - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,400 1 V @ 2 a 10 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
KBJL6005G-BP Micro Commercial Co KBJL6005G-BP -
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJL KBJL6005 기준 KBJL - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,400 1 V @ 3 a 5 µa @ 50 v 6 a 단일 단일 50 v
KBJL608G-BP Micro Commercial Co KBJL608G-BP -
RFQ
 ECAD 1744 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJL KBJL608 기준 KBJL - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,400 1 V @ 3 a 5 µa @ 800 v 6 a 단일 단일 800 v
KBJL8005G-BP Micro Commercial Co KBJL8005G-BP -
RFQ
 ECAD 9006 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJL KBJL8005 기준 KBJL - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,400 1 V @ 4 a 5 µa @ 50 v 8 a 단일 단일 50 v
TBSL30B-TP Micro Commercial Co TBSL30B-TP -
RFQ
 ECAD 3867 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 4-SMD,, 리드 TBSL30 기준 TBSL - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 100 v 3 a 단일 단일 100 v
GBJL10005-BP Micro Commercial Co GBJL10005-BP -
RFQ
 ECAD 5964 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJL GBJL10005 기준 GBJL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,200 1.05 V @ 5 a 10 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
GBJL2504-BP Micro Commercial Co GBJL2504-BP -
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJL GBJL2504 기준 GBJL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,200 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
GBJL2506-BP Micro Commercial Co GBJL2506-BP -
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJL GBJL2506 기준 GBJL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,200 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
GBJL3501-BP Micro Commercial Co GBJL3501-BP -
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJL GBJL3501 기준 GBJL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,200 1.05 V @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
GBJL606-BP Micro Commercial Co GBJL606-BP -
RFQ
 ECAD 3881 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJL GBJL606 기준 GBJL - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,200 1 V @ 3 a 5 µa @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
RABF156-13 Diodes Incorporated Rabf156-13 -
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 ECAD 9716 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 Rabf156 기준 4-SOPA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.3 V @ 1.5 a 5 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
KBP306G Diodes Incorporated KBP306G 0.8300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP KBP306 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 35 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 600 v 3 a 단일 단일 600 v
1N971BE3/TR Microchip Technology 1N971be3/tr 2.3275
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n971be3/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 20.6 v 27 v 41 옴
S2W-HF Comchip Technology S2W-HF 0.1205
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2W 기준 SMB/DO-214AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1600 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 1600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
HZS30NB2TD-E Renesas Electronics America Inc Hzs30nb2td-e 0.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 2,704
JANS1N4120UR-1/TR Microchip Technology JANS1N4120UR-1/TR 45.8600
RFQ
 ECAD 7168 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4120UR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 22.8 v 30 v 200 옴
1N5266B NTE Electronics, Inc 1N5266B 0.1600
RFQ
 ECAD 6912 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 ± 0.5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW - 다운로드 rohs 비준수 2368-1n5266b 귀 99 8541.10.0050 1 100 na @ 52 v 68 v 230 옴
20CTQ035STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20CTQ035STRL -
RFQ
 ECAD 8888 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 10A 640 mV @ 10 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
CDLL4582A Microchip Technology CDLL4582A 9.0151
RFQ
 ECAD 4191 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 DO-213AA CDLL4582 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 25 옴
S8GCH Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH 0.2111
RFQ
 ECAD 1683 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 985 MV @ 8 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 48pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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