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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
TSS4B03G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B03G C2G -
RFQ
ECAD 1395 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-4B TSS4B03 기준 TS4B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 980 MV @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
TSS4B03GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B03GHD2G -
RFQ
ECAD 8319 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-4B TSS4B03 기준 TS4B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 980 MV @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
DBL105GH Taiwan Semiconductor Corporation dbl105gh 0.2394
RFQ
ECAD 7244 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DBL105 기준 DBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
DBL205GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL205GH 0.2874
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DBL205 기준 DBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
DBL207GH Taiwan Semiconductor Corporation dbl207gh 0.2874
RFQ
ECAD 8013 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DBL207 기준 DBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
DBLS102G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS102G C1G -
RFQ
ECAD 5804 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS102 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
DBLS152G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS152G C1G -
RFQ
ECAD 2547 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS152 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 100 v 1.5 a 단일 단일 100 v
DBLS155G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS155G C1G -
RFQ
ECAD 4793 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS155 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
DBLS203G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS203G C1G -
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS203 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
GBL005 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL005 D2G -
RFQ
ECAD 7572 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL005 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 5 v 4 a 단일 단일 50 v
GBL06HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL06HD2G -
RFQ
ECAD 7456 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL06 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
GBL08HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL08HD2G -
RFQ
ECAD 5113 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL08 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
GBLA04 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA04 -
RFQ
ECAD 7650 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBLA04 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1 V @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
GBU1001HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1001HD2G -
RFQ
ECAD 1281 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU1001 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
GBU401HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401HD2G -
RFQ
ECAD 6141 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU401 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
GBU604HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU604HD2G -
RFQ
ECAD 1395 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU604 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
GBU804 Taiwan Semiconductor Corporation GBU804 0.7104
RFQ
ECAD 2618 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU804 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 400 v 8 a 단일 단일 400 v
GBU805H Taiwan Semiconductor Corporation GBU805H 0.8550
RFQ
ECAD 6497 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU805 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 600 v 8 a 단일 단일 600 v
HDBL105G Taiwan Semiconductor Corporation HDBL105G 0.3999
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) HDBL105 기준 DBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.7 V @ 1 a 5 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
HDBLS102G C1G Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS102G C1G -
RFQ
ECAD 4716 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 HDBLS102 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1 V @ 1 a 5 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
BU25H06-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25H06-m3/p 1.9637
RFQ
ECAD 3218 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Isocink+™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip, bu BU25H06 기준 Isocink+™ BU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 BU25H06-M3/PGI 귀 99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 3.5 a 단일 단일 600 v
BU25H06-E3/A Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25H06-E3/A. 1.8414
RFQ
ECAD 1541 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Isocink+™ 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip, bu BU25H06 기준 Isocink+™ BU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 BU25H06-E3/AGI 귀 99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 3.5 a 단일 단일 600 v
BU25H06-E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25H06-E3/p 1.9637
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Isocink+™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip, bu BU25H06 기준 Isocink+™ BU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 BU25H06-E3/PGI 귀 99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 3.5 a 단일 단일 600 v
2KBP02ML-6192E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP02ML-6192E4/72 -
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 2KBP02 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
2KBP06ML-6145E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP06ML-6145E4/72 -
RFQ
ECAD 3294 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 2KBP06 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
2KBP06ML-6762E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP06ML-6762E4/72 -
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 2KBP06 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
2KBP08ML-6581E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP08ML-6581E4/72 -
RFQ
ECAD 1605 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 2KBP08 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
2KBP10M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2kbp10m-e4/72 -
RFQ
ECAD 3342 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 2KBP10 기준 KBPM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 600 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
2KBP10ML-6767E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP10ML-6767E4/51 -
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 2KBP10 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 600 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
3KBP08M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3kbp08m-e4/72 -
RFQ
ECAD 7983 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3KBP08 기준 KBPM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 a 5 µa @ 800 v 3 a 단일 단일 800 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고