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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZT52C3V3-TP-HF	-	RFQ	9722	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6.06%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C3V3		500MW	SOD-123	다운로드				353-BZT52C3V3-TP-HF	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						3.3 v	95 옴
BZX84B3V0-TP	0.0231	RFQ	7416	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B3V0		350 MW	SOT-23	다운로드				353-BZX84B3V0-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v						3 v	95 옴
FR207GP-TP	0.0614	RFQ	7996	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR207	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
SK32A-TP	0.5200	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	컷 컷 (CT)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK32	Schottky		DO-214AC (HSMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	-
3SMBJ5920B-TP	0.4500	RFQ	32	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5920		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 4 v						6.2 v	2 옴
MBRL10100FCT-BP	0.4395	RFQ	9415	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBRL10100	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBRL10100FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	10A	720 MV @ 5 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SR5150-TP	0.1502	RFQ	5736	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR5150	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR5150-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		920 MV @ 5 a		2 ma @ 150 v	-50 ° C ~ 150 ° C	5a	-
FR502-AP	-	RFQ	3127	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	FR502	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.35 V @ 5 a	150 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	65pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5240BHE3-TP	0.3200	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5240		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 8 v						10 v	17 옴
BZV55C12-TP	-	RFQ	6235	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C12		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 9.1 v						12 v	20 옴
BZT52C7V5LP-TP	-	RFQ	7400	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-882	BZT52C7V5		100MW	SOD-882	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v						7.5 v	15 옴
HER103S-AP	-	RFQ	2665	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	축	HER103	기준		A-405	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 ma @ 200 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
MBR2545FCT-BP	0.5700	RFQ	3734	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR2545	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBR2545FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	30A	820 MV @ 30 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5259B-TP	0.1800	RFQ	8634	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5259		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 30 v						39 v	80 옴
SMB2EZ43D5-TP	-	RFQ	9205	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ43		2 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB2EZ43D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 32.7 v						43 v	35 옴
BZT52B68S-TP	-	RFQ	1553	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B68		200 MW	SOD-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 51 v						68 v	200 옴
HER306G-TP	0.1483	RFQ	4568	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER306	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
GBJL1501-BP	-	RFQ	6375	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJL	GBJL1501	기준		GBJL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,200					1.05 V @ 7.5 a		10 µa @ 100 v		15 a		단일 단일	100 v
SMAJ5933BHE3-TP	0.1215	RFQ	3561	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5933		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAJ5933BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 16.7 v						22 v	17.5 옴
BAV19WS-TP	0.2000	RFQ	29	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	bav19	기준		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	1.5pf @ 0v, 1MHz
SMBJ5370BHE3-TP	0.2360	RFQ	4149	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5370		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5370BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 42.6 v						56 v	35 옴
SS14-TP	0.3300	RFQ	6246	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
SMBJ5340C-TP	-	RFQ	7629	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5340		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5340C-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 ma		1 µa @ 3 v						6 v	1 옴
SMA3EZ56D5-TP	-	RFQ	5902	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA3EZ56		3 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA3EZ56D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 42.6 v						56 v	50 옴
BZX584B22HE3-TP	0.3400	RFQ	7	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v						22 v	55 옴
SR808-BP	0.2271	RFQ	8763	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR808	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-sr808-bp	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mV @ 8 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	165pf @ 4v, 1MHz
1N4942-TP	-	RFQ	4523	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4942	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
mur1100-tp	-	RFQ	1336	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	mur1100	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.75 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
SIC0860PL8-TP	4.6400	RFQ	1056	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	4-powervsfn	SIC0860	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		DFN8080A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SIC0860PL8-TPTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.6 v @ 8 a	0 ns	36 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	346pf @ 0V, 1MHz
MMXZ5239B-TP	0.2700	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5239		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		3 µa @ 7 v						9.1 v	10 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²