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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	현재- 정류 평균 (IO)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MMBZ5250B-TP	0.2100	RFQ	14	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5250		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000		1.2 v @ 100 ma	100 na @ 15 v				20 v	25 옴
KBP210-BP	-	RFQ	9812	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPR	KBP210	기준		KBPR	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		1.1 v @ 2 a	10 µa @ 1000 v	2 a	단일 단일	1kv
MP501-BP	2.3628	RFQ	5160	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, MP-50	MP501	기준		MP-50	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400		1.2 v @ 25 a	10 µa @ 100 v	50 a	단일 단일	100 v
DL4739A-TP	-	RFQ	9140	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	DL4739		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DL4739A-TPMSTR	귀 99	8541.10.0050	5,000		1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 7 v				9.1 v	5 옴
KBP204G-BP	-	RFQ	1987	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBP	KBP204	기준		GBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	KBP204G-BPMS	귀 99	8541.10.0080	1,250		1.1 v @ 2 a	10 µa @ 400 v	2 a	단일 단일	400 v
KBP208G-BP	0.1796	RFQ	8479	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBP	KBP208	기준		GBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250		1.1 v @ 2 a	10 µa @ 800 v	2 a	단일 단일	800 v
SMBJ5379B-TP	0.6000	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5379		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000		1.2 v @ 1 a	500 NA @ 83.6 v				110 v	125 옴
SMBJ5380B-TP	0.4500	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5380		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000		1.2 v @ 1 a	500 NA @ 91.2 v				120 v	170 옴
3SMAJ5945B-TP	0.4800	RFQ	13	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5945		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500		1.5 v @ 200 ma	1 µa @ 51.7 v				68 v	120 옴
3SMAJ5956B-TP	0.0806	RFQ	2716	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5956		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500		1.5 v @ 200 ma	1 µa @ 152 v				200 v	1200 옴
3SMBJ5925B-TP	0.4400	RFQ	503	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5925		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000		1.5 v @ 200 ma	5 µa @ 8 v				10 v	4.5 옴
2KBP08-BP	-	RFQ	5517	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPL	2KBP08	기준		KBPL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		1.2 v @ 2 a	10 µa @ 800 v	2 a	단일 단일	800 v
GBJ35005-BP	1.9800	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ35005	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		1.05 V @ 17.5 a	10 µa @ 50 v	35 a	단일 단일	50 v
GBJ3504-BP	1.9800	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ3504	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-1142-GBJ3504-BP	귀 99	8541.10.0080	15		1.05 V @ 17.5 a	10 µa @ 400 v	35 a	단일 단일	400 v
MB14M-BP	-	RFQ	3207	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.200 ", 5.08mm)	MB14	Schottky		MB-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		500 mV @ 1 a	500 µa @ 40 v	1 a	단일 단일	40 v
MB18M-BP	-	RFQ	4776	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.200 ", 5.08mm)	MB18	Schottky		MB-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		850 mv @ 1 a	500 NA @ 80 v	1 a	단일 단일	80 v
MD60S16M2-BP	53.0400	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	M2 모듈	MD60S16	기준		M2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	8		1.8 V @ 150 a	300 µa @ 1600 v	60 a	3 단계	1.6kV
TBS22M-TP	0.4500	RFQ	8393	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 리드	TBS22	기준		4-TB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		1.1 v @ 2 a	5 µa @ 1000 v	2.2 a	단일 단일	1kv
GBJ5010-BP	2.6100	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ5010	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	GBJ5010-BPMS	귀 99	8541.10.0080	15		1.1 v @ 25 a	10 µa @ 1000 v	50 a	단일 단일	1kv
BZT52C3V6T-TP	0.1500	RFQ	3130	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C3V6		100MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000		900 mV @ 10 ma	5 µa @ 1 v				3.6 v	90 옴
BZT52C27T-TP	0.0237	RFQ	6849	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C27		100MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000		900 mV @ 10 ma	100 na @ 18.9 v				27 v	80 옴
1N4730A-TP	-	RFQ	9640	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4730		1 W.	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000		1.2 v @ 200 ma	50 µa @ 1 v				3.9 v	9 옴
1N4740A-TP	-	RFQ	4283	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4740		1 W.	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000		1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 7.6 v				10 v	7 옴
SMAJ4741A-TP	0.4200	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4741		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500		1.2 v @ 100 ma	5 µa @ 8.4 v				11 v	8 옴
BR82DL-BP	-	RFQ	7756	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, BR-8D	BR82	기준		BR-8D	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	BR82DL-BPMS	귀 99	8541.10.0080	500		1.1 v @ 1 a	10 µa @ 200 v	2 a	단일 단일	200 v
smaz33-tp	0.4400	RFQ	55	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz33		1 W.	DO-214AC (SMAJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500		1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 25.1 v				33 v	15 옴
AZ23C3V9-TP	0.2400	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C3V9		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통						3.9 v	95 옴
2EZ20D5-TP	0.4100	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ20		2 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000		1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 15.2 v				20 v	11 옴
2EZ39D5-TP	0.1102	RFQ	6025	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ39		2 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000		1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 29.7 v				39 v	30 옴
W06m-bp	-	RFQ	6844	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, WOM	W06	기준		WOM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		1 V @ 1.5 a	10 µa @ 600 v	1.5 a	단일 단일	600 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²