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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MBR10150CTH-BP	0.4517	RFQ	4662	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR10150	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR10150CTH-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	10A	850 mV @ 5 a		10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SK58AFL-TP	0.0922	RFQ	2348	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SK58	Schottky		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-SK58AFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mV @ 5 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	170pf @ 4V, 1MHz
MBRD1545-TP	0.4186	RFQ	1538	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD1545	Schottky		DPAK (TO-252)	다운로드				353-MBRD1545-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		630 mv @ 15 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
MURS1JAL-TP	0.4000	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	murs1	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.4 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
R4000GPS-AP	0.1600	RFQ	5666	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	R4000	기준		DO-41	다운로드				353-R4000GPS-AP	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		4000 v		3.5 V @ 500 MA	1.2 µs	5 µa @ 4000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	-
SMB3EZ47D5-TP	-	RFQ	7041	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ47		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ47D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 35.6 v				47 v	38 옴
BZT52B15-TP	0.0341	RFQ	3011	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B15		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v				15 v	30 옴
SK310BHE3-LTP	0.5800	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK310	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SK310BHE3-LTPTR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	125pf @ 0V, 1MHz
60S05-TP	0.4326	RFQ	9064	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	60S05	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		짐		50 v		1 V @ 6 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	-
1SS355HE3-TP	0.2700	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	1SS355	기준		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1.2 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	3pf @ 6V, 1MHz
SMA3EZ43D5-TP	-	RFQ	8799	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA3EZ43		3 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA3EZ43D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 32.7 v				43 v	33 옴
es2gfl-tp	0.0822	RFQ	8627	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	ES2G	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-ES2GFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MD200K16D2-BP	64.0500	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	D2	MD200	기준		D2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	8		짐	1 음극 음극 공통	1600 v	200a	1.3 v @ 300 a		9 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MBRD1580-TP	0.4493	RFQ	1204	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD1580	Schottky		DPAK (TO-252)	다운로드				353-MBRD1580-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		840 mV @ 15 a		100 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
SK33A-LTP	0.4400	RFQ	15	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK33	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 30 v	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
SK56AHE3-LTP	0.4500	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK56	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mV @ 5 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	200pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V3LS-TP	0.0355	RFQ	4535	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C3V3		200 MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52C3V3LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				3.3 v	95 옴
S10K-TP	-	RFQ	1681	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	S10K	기준		DO-214AB (HSMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		짐		800 v		1.2 v @ 10 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
1N5404GP-TP	0.1632	RFQ	3594	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5404	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		짐		400 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
MBRB2045CT-TP	0.6848	RFQ	1680	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB2045	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB2045CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	20A	570 mV @ 10 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
DL5254B-TP	-	RFQ	6430	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5254		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 21 v				27 v	41 옴
S10GL-TP	0.2044	RFQ	3406	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S10G	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		400 v				10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
GS2BFL-TP	0.0438	RFQ	8503	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	GS2B	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-GS2BFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		100 v		1.1 v @ 2 a	4 µs	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
FR1J-LTP	0.0521	RFQ	9827	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	FR1J	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v			250 ns	5 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4760A-TP	-	RFQ	4908	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4760		1 W.	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 51.7 v				68 v	150 옴
DZ23C56-TP	0.0474	RFQ	8626	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C56		300MW	SOT-23	다운로드				353-DZ23C56-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 음극 음극 공통							100 na @ 42 v				56 v	135 옴
1N4003-N-0-1-BP	-	RFQ	4099	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4003	기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		1N4003-N-0-1-BPMS	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		200 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 200 v	-	1A	-
SK153-TP	1.6000	RFQ	567	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK153	Schottky		DO-214AB (HSMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 15 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15a	500pf @ 4V, 1MHz
MBRL30U100FCT-BP	0.8710	RFQ	5197	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBRL30	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBRL30U100FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	30A	640 mV @ 15 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MURS1JAFL-TP	0.0766	RFQ	9282	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	murs1	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-MURS1JAFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.4 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²