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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZX84C3V0W-TP	0.0426	RFQ	1175	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84C3V0		200 MW	SOT-323	다운로드				353-BZX84C3V0W-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 100 ma		10 µa @ 1 v				3 v	95 옴
1N5397GP-TP	0.0618	RFQ	3985	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5397	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		짐		600 v		1.4 V @ 1.5 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
SR5200L-AP	0.1756	RFQ	1381	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR5200	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR5200L-AP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		800 mV @ 5 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
AZ23C36W-TP	0.0721	RFQ	6647	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-	표면 표면	SC-70, SOT-323	AZ23C36		200 MW	SOT-323	다운로드				353-AZ23C36W-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							100 na @ 27 v				36 v	90 옴
BZT52B4V3JS-TP	0.0592	RFQ	6066	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.09%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B4		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		2.7 µa @ 1 v				4.3 v	84 옴
SD103CWS-TP	0.2100	RFQ	12	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	SD103	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 10 v	-65 ° C ~ 125 ° C	350ma	-
SR108-AP	0.0410	RFQ	4608	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR108	Schottky		DO-41	다운로드				353-SR108-AP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
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AZ23C11HE3-TP	0.0721	RFQ	2970	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5.45%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C11		300MW	SOT-23	다운로드				353-AZ23C11HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							100 na @ 8 v				11 v	20 옴
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SICU0860P-TP	9.1100	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SICU0860	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		DPAK (TO-252)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.6 v @ 8 a	0 ns	36 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	346pf @ 0V, 1MHz
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RB520S-30EP-TP	-	RFQ	9532	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0201 (0603 메트릭)	RB520	Schottky		0201-B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		850 mV @ 100 ma		20 µa @ 30 v	125 ° C (°)	100ma	-
SL36PL-TP	0.4100	RFQ	3088	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SL36	Schottky		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SMB2EZ17D5-TP	-	RFQ	5146	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ17		2 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB2EZ17D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		500 na @ 13 v				17 v	9 옴
BZX84B6V8-TP	0.2700	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B6		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v				6.8 v	15 옴
BZX584B3V9HE3-TP	0.3400	RFQ	8	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZX584B3V9HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v				3.9 v	90 옴
1N5395-BP	0.0691	RFQ	8947	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5395	기준		DO-15	다운로드				353-1n5395-bp	귀 99	8541.10.0080	1		짐		400 v		1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
SK34B-TP	0.5200	RFQ	22	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK34	Schottky		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
MUR2020PT-BP	0.7641	RFQ	8575	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-247-3	MUR2020	기준		TO-247-3	다운로드				353-MUR2020PT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	20A	1 V @ 15 a	30 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
1N4698-TP	-	RFQ	7042	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4698		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 100 ma		50 na @ 8.4 v				11 v
MMSZ4709-TP	0.1200	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4709		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						950 mV @ 10 ma		10 na @ 18.2 v				24 v
BZT52B16-TP	0.0341	RFQ	5317	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B16		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v				16 v	40
DZ23C4V7HE3-TP	0.0636	RFQ	1240	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C4V7		300MW	SOT-23	다운로드				353-DZ23C4V7HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 음극 음극 공통							5 µa @ 2 v				4.7 v	78 옴
FR1006GP-AP	-	RFQ	8066	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	FR1006	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	450		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 V @ 10 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
S2G	-	RFQ	9433	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	S2G	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		400 v		1.15 V @ 2 a	2 µs	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MURS1JAL-TP	0.4000	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	murs1	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.4 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5936B-TP	0.0890	RFQ	9482	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5936		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5936B-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 22.8 v				30 v	28 옴
SR5200L-TP	0.1756	RFQ	6876	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR5200	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR5200L-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		800 mV @ 5 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²