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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
FR607GP-AP	-	RFQ	6968	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	FR607	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	450		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 6 a	500 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
SK54L-TP	0.4700	RFQ	182	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK54	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 5 a		1 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
SD103AWS-TP-HF	-	RFQ	5036	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	SD103	Schottky		SOD-323	다운로드				353-SD103AWS-TP-HF	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	350ma	50pf @ 0V, 1MHz
BZT52B9V1BS-TP	0.0355	RFQ	4271	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B9		400MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52B9V1BS-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v				9.1 v	15 옴
MBR15100-BP	-	RFQ	2580	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR15100	Schottky		TO-220AC	-				353-MBR15100-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v				100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
1N5924bp-tp	0.0963	RFQ	9366	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5924		1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1n5924bp-tptr	귀 99	8541.10.0050	5,000						1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 7 v				9.1 v	4 옴
BZT52B30-TP	0.0341	RFQ	2338	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B30		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 22.5 v				30 v	80 옴
FS2J-TP	-	RFQ	5475	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	FS2J	기준		DO-214AC (HSMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v			250 ns	5 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
6A2G-TP	0.2900	RFQ	5913	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	6A2G	기준		R-6	다운로드				353-6A2G-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		200 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
FR154S-AP	-	RFQ	9931	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	FR154	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
ER1J-TP	-	RFQ	1277	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	ER1J	기준		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v			75 ns	5 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	45pf @ 4V, 1MHz
AZ23C33HE3-TP	0.3900	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.06%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C33		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통							100 na @ 23.1 v				33 v	80 옴
MMSZ5222BHE3-TP	0.0569	RFQ	4877	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5222		500MW	SOD-123	다운로드				353-MMSZ5222BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v				2.5 v	30 옴
SK33B-LTP	0.4800	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK33	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
es2afl-tp	0.0822	RFQ	4081	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	ES2A	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-ES2AFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
DZ23C9V1HE3-TP	0.3300	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C9V1		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-DZ23C9V1HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 음극 음극 공통							100 na @ 7 v				9.1 v	10 옴
SMB2EZ24D5-TP	-	RFQ	9297	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ24		2 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB2EZ24D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 18.2 v				24 v	13 옴
MURS1060CTA-BP	0.4200	RFQ	9165	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MURS1060	기준		TO-220AB	다운로드				353-MURS1060CTA-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	10A	1.6 V @ 5 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SM4003PL-TP	0.3200	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SM4003	기준		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		짐		200 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N5356B-TP	-	RFQ	7388	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5356		5 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 14.4 v				19 v	3 옴
SMBJ5364B-TP	0.4800	RFQ	46	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5364		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 25.1 v				33 v	10 옴
SMBJ5356B-TP	0.6100	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5356		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 14.4 v				19 v	3 옴
HER106G-TP	0.0515	RFQ	3996	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER106	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
FR302-AP	-	RFQ	6782	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	FR302	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	65pf @ 4V, 1MHz
2A07-AP	-	RFQ	8953	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2A07	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		1000 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
MBR30150CT-BP	0.5700	RFQ	7065	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR30150	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR30150CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	30A	990 MV @ 30 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SK520BQ-LTP	0.6100	RFQ	1438	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)					3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 5 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	100pf @ 4V, 1MHz
SK210-TP	0.4100	RFQ	5111	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK210	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 2 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-
1N5397GP-AP	0.0583	RFQ	5714	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5397	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		600 v		1.4 V @ 1.5 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
SS16-TP	0.3300	RFQ	3784	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS16	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²