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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
RB717F-TP	0.3800	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	RB717F	Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	40 v	30MA (DC)	370 mV @ 1 ma		1 µa @ 10 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZX784C24-TP	-	RFQ	7100	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.83%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-723	BZX784C24		150 MW	SOD-723	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 16.8 v				24 v	70 옴
FR206GP-TP	0.0614	RFQ	4053	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR206	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
BZT52C13S-TP	0.2700	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C13		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v				13 v	30 옴
MD36C18D1-BP	16.7970	RFQ	7326	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준	MD36	기준		D1	다운로드				353-MD36C18D1-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐	1 연결 연결 시리즈	1800 v	36a	1.4 V @ 100 a		5 ma @ 1800 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZX584C39-TP	0.0381	RFQ	9111	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5.12%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584C39-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		100 na @ 27.3 v				39 v	130 옴
FR1B-LTP	0.0521	RFQ	6149	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	FR1B	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v			150 ns	5 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
LLSD103A-TP	-	RFQ	7694	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LLSD103	Schottky		미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	350ma	-
1N4004-N-0-4-AP	-	RFQ	6137	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4004	기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		1N4004-N-0-4-APMS	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		400 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 400 v	-	1A	-
SMAJ5952B-TP	0.0980	RFQ	4451	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5952		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAJ5952B-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 98.8 v				130 v	450 옴
RL206-BP	0.0660	RFQ	9586	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	RL206	기준		DO-15	다운로드				353-RL206-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		800 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
mur1060fct-bp	0.4296	RFQ	6832	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	mur1060	기준		ITO-220AB	다운로드				353-MUR1060FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	10A	1.5 v @ 5 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C
MF200K04F3-BP	31.4100	RFQ	10	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	F3 모듈	MF200K04	기준		F3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-1142-MF200K04F3-BP	귀 99	8541.10.0080	10	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	400 v	100A	1.35 V @ 100 a	95 ns	500 µa @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C
SF53G-AP	-	RFQ	5451	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF53	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 5 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
GS1Y-LTP	0.4400	RFQ	13	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	gs1y	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	짐		1600 v		1.25 V @ 1 a	2.5 µs	5 µa @ 1600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
3SMAJ5950BHE3-TP	0.1405	RFQ	5274	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5950		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-3SMAJ5950BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 83.6 v				110 v	300 옴
SK310Q-TP	0.5900	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		800 mv @ 3 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	100pf @ 4V, 1MHz
RL102GP-AP	0.0389	RFQ	5167	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	축	RL102	기준		A-405	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SS1200-LTP	0.4200	RFQ	11	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS1200	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		920 MV @ 1 a		50 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
DFLZ62-TP	0.0926	RFQ	2916	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	DFLZ62		1 W.	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 47.1 v				62 v	125 옴
1N5921B3P-TP	0.1102	RFQ	4435	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5921		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5921B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 5.2 v				6.8 v	2.5 옴
3SMBJ5931BHE3-TP	0.1613	RFQ	7873	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5931		3 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드				353-3SMBJ5931BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 13.7 v				18 v	12 옴
SMB2EZ11D5HE3-TP	0.1501	RFQ	2251	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ10		2 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMB2EZ11D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 8.4 v				11 v	4 옴
BZX84C22HE3-TP	0.2700	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C22		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZX84C22HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v				22 v	55 옴
FR152GP-AP	-	RFQ	9562	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR152	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
SMA2EZ16D5HE3-TP	0.1404	RFQ	4415	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ16		2 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMA2EZ16D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 12.2 v				16 v	8 옴
SMAJ5943B-TP	0.0980	RFQ	7181	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5943		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAJ5943B-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v				56 v	86 옴
SMBJ5345B-TP	0.4800	RFQ	12	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5345		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		10 µa @ 6.6 v				8.7 v	2 옴
SK18-TP (SMBSR108)	-	RFQ	4786	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK18	Schottky		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	30pf @ 4V, 1MHz
SMD1200PLHE3-TP	0.4400	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SMD1200	Schottky		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 1 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	30pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²