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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SF16G-BP	0.0559	RFQ	9426	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF16	기준		DO-41	다운로드				353-SF16G-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
ER2GBFL-TP	0.0497	RFQ	9233	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	er2g	기준		SMBF	다운로드				353-ER2GBFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	17pf @ 4V, 1MHz
FR505GP-TP	0.2472	RFQ	8536	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	FR505	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.35 V @ 5 a	250 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	65pf @ 4V, 1MHz
SR5010-AP	0.1487	RFQ	9983	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR5010	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR5010-AP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 5 a		1 ma @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	5a	200pf @ 4V, 1MHz
BZX584B3V9-TP	0.0381	RFQ	9789	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.05%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v				3.9 v	90 옴
BAS21-TP-HF	-	RFQ	1235	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS21	기준		SOT-23	다운로드				353-BAS21-TP-HF	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
SF35-TP	-	RFQ	5836	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF35	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.3 v @ 3 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
FR3DB-TP	0.1020	RFQ	3641	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	FR3D	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-FR3DB-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
SF38G-AP	0.1166	RFQ	4754	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF38	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.75 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
SK28-LTP	0.3300	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK28	Schottky		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mv @ 2 a		1 ma @ 80 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
SS210Q-LTP	0.4100	RFQ	2564	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		800 mV @ 2 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	62pf @ 4V, 1MHz
SS22-TP	-	RFQ	5816	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS22	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		550 mV @ 2 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	230pf @ 4V, 1MHz
UF5407GP-BP	0.1627	RFQ	1830	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UF5407	기준		Do-201ad	다운로드				353-UF5407GP-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
MBR3035CT-BP	0.5700	RFQ	7032	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR3035	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR3035CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	30A	840 mV @ 30 a		200 µa @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BAV23C-TP	0.1300	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV23	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BAV23C-TPMSTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	225MA (DC)	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 250 v	-65 ° C ~ 150 ° C
US2A-TP	0.0783	RFQ	6573	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US2A	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-US2A-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
B5819WSL-TP	0.0618	RFQ	4282	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	B5819	기준		SOD-323FL	다운로드				353-B5819WSL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		40 v		600 mV @ 1 a		50 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
6A6G-TP	0.2907	RFQ	2915	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	6A6G	기준		R-6	다운로드				353-6A6G-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		600 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
1N4937GP-TP	0.0418	RFQ	5043	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4937	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
ER3JBFL-TP	0.0625	RFQ	6889	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	ER3J	기준		SMBF	다운로드				353-er3jbfl-tp	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	29pf @ 4V, 1MHz
2EZ16D5-TP	0.4100	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ16		2 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 12.2 v				16 v	8 옴
S3G	-	RFQ	2671	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3G	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		400 v		1.2 v @ 3 a		10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
MURSD1060CTA-TP	0.3535	RFQ	4014	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MURSD1060	기준		DPAK (TO-252)	다운로드				353-MURSD1060CTA-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	10A	1.6 V @ 5 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
GL34J-TP	-	RFQ	6988	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	GL34J	기준		미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500	짐		600 v		1.3 v @ 500 ma		5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	-
M2FL-TP	0.0438	RFQ	6259	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	m2fl	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-M2FL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MURS1620CTA-BP	1.0600	RFQ	1450	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MURS1620	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	16A	1 V @ 8 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
mur610ct-bp	-	RFQ	6662	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3	MUR610	기준		TO-220AB	-				353-MUR610CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	6A	975 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SK34BHE3-LTP	0.5800	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK34	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SK34BHE3-LTPTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	210pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5246BW-TP	0.0363	RFQ	9152	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	MMBZ5246		200 MW	SOT-323	다운로드				353-MMBZ5246BW-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v				16 v	17 옴
murb2060c-tp	1.1388	RFQ	8946	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	murb2060	기준		D2PAK	다운로드				353-MUBR2060C-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.6 V @ 20 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²