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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
RL201GP-TP	0.0500	RFQ	7089	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	RL201	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		짐		50 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
B0530WS-TP	0.2700	RFQ	60	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	B0530	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550MV @ 500 MA		300 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	500ma	-
BZX784C22-TP	-	RFQ	6209	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.68%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-723	BZX784C22		150 MW	SOD-723	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v				22 v	55 옴
MBRB15100CT-TP	0.6167	RFQ	2680	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB15100	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB15100CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	15a			1 ma @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5820-TP	0.3900	RFQ	30	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5820	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		475 MV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
1N5232B-TP	-	RFQ	6622	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5232		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v				5.6 v	11 옴
1N4001-N-0-1-BP	-	RFQ	4232	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4001	기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		1N4001-N-0-1-BPMS	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		50 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 50 v	-	1A	-
BZT52C13T-TP	0.1500	RFQ	7	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C13		100MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v				13 v	30 옴
MUR110GP-AP	0.0736	RFQ	2868	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	MUR110	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		970 MV @ 1 a	45 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
AZ23C4V7HE3-TP	0.3900	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C4V7		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통							3 µa @ 2 v				4.7 v	80 옴
MBRD1080CT-TP	0.2273	RFQ	1407	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD1080	Schottky		D-PAK	다운로드				353-MBRD1080CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	80 v	10A			500 µa @ 80 v	-65 ° C ~ 150 ° C
HER608GP-TP	0.4120	RFQ	7784	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	HER608	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 6 a	75 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	65pf @ 4V, 1MHz
RM1200E-TP	-	RFQ	1128	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	RM1200	기준		DO-214AC (SMAE)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	6,000		짐		1200 v		2 v @ 500 ma		5 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	30pf @ 4V, 1MHz
BAS70-TP	0.1800	RFQ	78	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS70	Schottky		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		70 v		1 V @ 15 ma	5 ns	200 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	70ma	2pf @ 0V, 1MHz
BZT52B20S-TP	-	RFQ	3503	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B20		200 MW	SOD-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v				20 v	50 옴
SIC05120B-BP	6.6100	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	SIC05120	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SIC05120B-BP	귀 99	8541.10.0080	50		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		1200 v		1.7 V @ 5 a		3 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	353pf @ 0V, 1MHz
RL106-BP	0.0397	RFQ	9499	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	축	RL106	기준		A-405	다운로드				353-RL106-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		800 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
S1D-LTP	0.0415	RFQ	7576	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S1D	기준		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		200 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
1N5928BP-AP	0.0921	RFQ	5360	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5928		1.5 w	DO-41	다운로드				353-1n5928bp-AP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 9.9 v				13 v	7 옴
BZT52C3V0L3P-TP	0.0360	RFQ	9373	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6.67%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	BZT52C3V0		100MW	2-DFN1006	다운로드				353-BZT52C3V0L3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v				3 v	95 옴
MF200K06F2-BP	39.2425	RFQ	6447	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	f2 모듈	MF200K06	기준		F2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	8		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 연결 연결 시리즈	600 v	200a	1.6 V @ 200 a	140 ns	500 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZT52C27-TP	0.1200	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C27		200 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 18.9 v				27 v	80 옴
MURS1B-TP	0.0782	RFQ	9469	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AC, SMA	murs1	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-MURS1B-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		920 MV @ 1 a	15 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SB1540-TP	-	RFQ	3684	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB1540			Do-201ad	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-SB1540-TPTR	귀 99	8541.10.0080	500
UF4003GP-TP	0.0876	RFQ	1583	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4003	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
1EZ240D5-TP	0.1245	RFQ	6989	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ240		500MW	DO-41	다운로드				353-1EZ240D5-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		100 na @ 182.4 v				240 v	1800 옴
MURS640FCT-BP	-	RFQ	7043	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MURS640	기준		ITO-220AB	-				353-MURS640FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	400 v	6A	1.25 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C
HER304-TP	-	RFQ	4760	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER304	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
ES2C-LTP	0.0612	RFQ	8070	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2C	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 2 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
MBR30100CT-BP	0.7200	RFQ	5758	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR30100	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	30A	850 mV @ 15 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²