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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 - 최대	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f
MMBD301-TP	0.4300	RFQ	794	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)		TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD301			SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000			200 MW									-	Schottky- 싱글	30V			-
BAP50-03-TP	0.4300	RFQ	85	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		SC-76, SOD-323	BAP50			SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		50 MA	200 MW									0.35pf @ 5V, 1MHz	핀 - 단일	50V			5ohm @ 10ma, 100MHz
BR86DL-BP	-	RFQ	4924	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, BR-8D	BR86	기준		BR-8D	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	BR86DL-BPMS	귀 99	8541.10.0080	400							1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v		2 a		단일 단일	600 v
smaz39-tp	0.4400	RFQ	36	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz39		1 W.	DO-214AC (SMAJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500							1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 29.6 v						39 v	40
SMBJ5353B-TP	0.4800	RFQ	18	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5353		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							1.2 v @ 1 a		1 µa @ 12.2 v						16 v	2.5 옴
MB10M-BP	-	RFQ	5590	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.200 ", 5.08mm)	MB10	기준		MB-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	100							1 V @ 400 mA		5 µa @ 1000 v		500 MA		단일 단일	1kv
BAS40-06HE3-TP	0.3400	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BAS40-06HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도			1 양극 양극 공통	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C
BAS20WTHE3-TP	0.2000	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	BAS20	기준		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BAS20WTHE3-TPTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도				150 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
1N4741AP-TP	0.0806	RFQ	9525	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4741		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1N4741AP-TPTR	귀 99	8541.10.0050	5,000							1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 8.4 v						11 v	8 옴
1N5939bp-tp	0.0963	RFQ	6501	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5939		1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1N5939BP-TPTR	귀 99	8541.10.0050	5,000							1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 29.7 v						39 v	45 옴
1N4760AP-TP	0.0806	RFQ	8059	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4760		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1N4760AP-TPTR	귀 99	8541.10.0050	5,000							1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 51.7 v						68 v	150 옴
1N5936B-TP	-	RFQ	1054	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5936		1.5 w	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-1n5936B-tptr	귀 99	8541.10.0050	5,000							1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 22.8 v						30 v	28 옴
GBJL2008-BP	-	RFQ	9592	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJL	GBJL2008	기준		GBJL	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,200							1.05 V @ 10 a		10 µa @ 800 v		20 a		단일 단일	800 v
PB305-BP	-	RFQ	1449	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, PB-3	PB305	기준		PB-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,600							1.2 v @ 1.5 a		10 µa @ 50 v		3 a		단일 단일	50 v
PB38-BP	-	RFQ	7665	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, PB-3	PB38	기준		PB-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,600							1.2 v @ 1.5 a		10 µa @ 800 v		3 a		단일 단일	800 v
BR1005-BP	0.8250	RFQ	9787	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, PB-6	BR1005	기준		PB-6	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,600							1.1 v @ 5 a		10 µa @ 50 v		10 a		단일 단일	50 v
BR1010-BP	0.8250	RFQ	2609	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, PB-6	BR1010	기준		PB-6	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,600							1.1 v @ 5 a		10 µa @ 1000 v		10 a		단일 단일	1kv
SDB157L-TP	0.4500	RFQ	8993	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	4-SMD,, 날개	SDB157	기준		SDBL-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500							1.1 v @ 1.5 a		10 µa @ 1000 v		1.5 a		단일 단일	1kv
KBP310G-BP	0.7000	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBP	KBP310	기준		GBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	KBP310G-BPMS	귀 99	8541.10.0080	35							1.1 v @ 1 a		10 µa @ 1000 v		3 a		단일 단일	1kv
GBJL2010-BP	-	RFQ	9656	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJL	GBJL2010	기준		GBJL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,200							1.05 V @ 10 a		10 µa @ 1000 v		20 a		단일 단일	1kv
US2M-TP	0.4800	RFQ	2477	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US2M	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)				1000 v		1.7 V @ 2 a	100 ns	5 µa @ 1000 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
GBPC3501-BP	2.7300	RFQ	272	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, GBPC	GBPC3501	기준		GBPC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400							1.1 v @ 17.5 a		5 µa @ 100 v		35 a		단일 단일	100 v
GBPC3510-BP	2.7300	RFQ	744	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, GBPC	GBPC3510	기준		GBPC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400							1.1 v @ 17.5 a		5 µa @ 1000 v		35 a		단일 단일	1kv
SMA2EZ33D5HE3-TP	0.1404	RFQ	8512	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ33		2 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMA2EZ33D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1							1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 25.1 v						33 v	23 옴
MBR3030CT-BP	0.5700	RFQ	6621	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR3030	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR3030CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			1 음극 음극 공통	30 v	30A	840 mV @ 30 a		200 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C9V1LP-TP	-	RFQ	6258	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.04%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-882	BZT52C9V1		100MW	SOD-882	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000							900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v						9.1 v	15 옴
MMBZ5261C-TP	0.0488	RFQ	8187	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5261		350 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBZ5261C-TP	귀 99	8541.10.0050	1							1.2 v @ 100 ma		100 na @ 36 v						47 v	105 옴
SMBJ5358B-TP	0.1373	RFQ	2557	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5358		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							1.2 v @ 1 a		500 NA @ 16.7 v						22 v	3.5 옴
DR754-BP	0.1727	RFQ	8678	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	DR754	기준		R-6	다운로드				353-DR754-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐				400 v		1.1 v @ 6 a		10 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
1F6-TP	-	RFQ	4272	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1f6	기준		R-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)				800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²