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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N5338B-TP	0.7000	RFQ	714	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5338		5 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 1 a		1 µa @ 1 v				5.1 v	1.5 옴
1F2-AP	-	RFQ	8157	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1f2	기준		R-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5343B-TP	0.4800	RFQ	47	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5343		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		10 µa @ 5.7 v				7.5 v	1.5 옴
1N5926B3P-TP	0.1102	RFQ	8681	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5926		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5926B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 8.4 v				11 v	5.5 옴
1N5361C-TP	-	RFQ	2388	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5361		5 w	DO-15	-				353-1N5361C-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 20.6 v				27 v	5 옴
MF200K06F4-BP	-	RFQ	2234	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	f4 모듈	MF200K06	기준		F4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-1142-MF200K06F4-BP	귀 99	8541.10.0080	12	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	600 v	100A	1.15 V @ 100 a	105 ns	500 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
SB260-AP	0.0721	RFQ	9272	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB260	Schottky		DO-15	다운로드				353-SB260-AP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	140pf @ 4V, 1MHz
SS34HE-TP	-	RFQ	1237	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H	SS34	Schottky		SOD-123HE	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
GS1AE-TP	-	RFQ	5605	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS1A	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	6,000	짐		50 v			2 µs	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4746AP-AP	0.0797	RFQ	6424	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4746		1 W.	DO-41	다운로드				353-1N4746AP-AP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 13.7 v				18 v	20 옴
SMB3EZ68D5-TP	-	RFQ	8135	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ68		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ68D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 51.7 v				68 v	70 옴
BZT52C3V6-TP	0.1200	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C3V6		200 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				3.6 v	90 옴
1N4732A-TP	-	RFQ	3414	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4732		1 W.	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v				4.7 v	8 옴
R6000GP-TP	-	RFQ	1333	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	R6000	기준		DO-15	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-R6000GP-TPTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		6 v		5 v @ 500 ma	1.2 µs	5 µa @ 6 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	-
FR207-TP	-	RFQ	8680	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR207	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
1N5935B3P-TP	0.1102	RFQ	9941	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5935		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5935B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 20.6 v				27 v	23 옴
SF33G-TP	-	RFQ	1514	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF33	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
SMB3EZ33D5-TP	-	RFQ	1235	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ33		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ33D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 25.1 v				33 v	20 옴
MMBD4148cc-TP	0.1500	RFQ	101	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD4148	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	75 v	200ma	1 V @ 10 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SMD220PLHE3-TP	0.1053	RFQ	3152	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SMD220	Schottky		SOD-123FL	다운로드				353-SMD220PLHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 2 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V3-TP-HF	-	RFQ	9722	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6.06%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C3V3		500MW	SOD-123	다운로드				353-BZT52C3V3-TP-HF	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				3.3 v	95 옴
SMAJ4755A-TP	0.0705	RFQ	7311	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4755		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500							5 µa @ 32.7 v				43 v	70 옴
DL4750A-TP	-	RFQ	2548	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	DL4750		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 20.6 v				27 v	35 옴
BZX84B3V0-TP	0.0231	RFQ	7416	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B3V0		350 MW	SOT-23	다운로드				353-BZX84B3V0-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v				3 v	95 옴
MBRB10200CTQ-TP	0.8500	RFQ	3040	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB10200	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,600	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	900 mV @ 5 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
FS1JFL-TPS01	0.0511	RFQ	2060	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	FS1J	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-FS1JFL-TPS01	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MBR1560CT-BP	-	RFQ	1115	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR1560	Schottky		TO-220AB	-				353-MBR1560CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	15a			1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SF61-AP	-	RFQ	8145	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF61	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		975 MV @ 6 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 125 ° C	6A	120pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5237BHE3-TP	0.3200	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5237		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v				8.2 v	8 옴
MF200DU06FJ-BP	34.2900	RFQ	25	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	SOT-227-4	MF200DU06	기준		FJ/SOT-227	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	600 v	100A	1.4 V @ 100 a	105 ns	500 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²