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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SMBJ5372C-TP	-	RFQ	2807	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5372		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5372C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 47.1 v						62 v	42 옴
1N5382C-TP	-	RFQ	5438	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5382		5 w	DO-15	-				353-1N5382C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 106 v						140 v	230 옴
SMBJ5376CHE3-TP	-	RFQ	3744	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5376		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5376CHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 66 v						87 v	75 옴
1N5369C-TP	-	RFQ	6550	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5369		5 w	DO-15	-				353-1N5369C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 38.8 v						51 v	27
SMBJ5357C-TP	-	RFQ	3559	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5357		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5357C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 15.2 v						20 v	3 옴
SMBJ5375CHE3-TP	-	RFQ	8149	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5375		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5375CHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 62.2 v						82 v	65 옴
SMBJ5366C-TP	-	RFQ	9741	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5366		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5366C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 29.7 v						39 v	14 옴
SMBJ5371CHE3-TP	-	RFQ	7014	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5371		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5371CHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 45.5 v						60 v	40
SMBJ5351CHE3-TP	-	RFQ	5935	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5351		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5351CHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		1 µa @ 10.6 v						14 v	2.5 옴
SMBJ5342C-TP	-	RFQ	4820	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5342		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5342C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		10 µa @ 5.2 v						6.8 v	1 옴
SMBJ5356C-TP	-	RFQ	8826	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5356		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5356C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 14.4 v						19 v	3 옴
1N5362C-TP	-	RFQ	5508	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5362		5 w	DO-15	-				353-1N5362C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 21.2 v						28 v	6 옴
GBJL15005-BP	-	RFQ	2591	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJL	GBJL15005	기준		GBJL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,200						1.05 V @ 7.5 a		10 µa @ 50 v		15 a		단일 단일	50 v
SMBJ5933B-TP	0.0890	RFQ	5585	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5933		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5933B-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 16.7 v						22 v	17.5 옴
GBJ3510-BP	1.9800	RFQ	10	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ3510	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15						1.05 V @ 17.5 a		10 µa @ 1000 v		35 a		단일 단일	1kv
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DZ23C2V7-TP	0.0474	RFQ	3549	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C2V7		300MW	SOT-23	다운로드				353-DZ23C2V7-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 음극 음극 공통							75 µa @ 1 v						2.7 v	83 옴
6A8G-TP	0.2900	RFQ	5817	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	6A8G	기준		R-6	다운로드				353-6A8G-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		800 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
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BZX84B22-TP	0.0231	RFQ	4238	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B22		350 MW	SOT-23	다운로드				353-BZX84B22-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v						22 v	55 옴
SMBJ5375C-TP	-	RFQ	3808	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5375		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5375C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 62.2 v						82 v	65 옴
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BAS70X-TP	0.0371	RFQ	3747	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523	BAS70	Schottky		SOD-523	다운로드				353-BAS70X-TP	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		70 v		1 V @ 15 ma	5 ns	200 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	70ma	2pf @ 1v, 1MHz
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3EZ20D5-TP	0.1020	RFQ	6957	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	3EZ20		3 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 15.2 v						20 v	7 옴
MMXZ5252C-TP	0.0488	RFQ	1987	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5252		200 MW	SOD-323	다운로드				353-MMXZ5252C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mv @ 100 ma		100 na @ 18 v						24 v	33 옴
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FSM154PL-TP	0.2200	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	FSM154PL	기준		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
GBJA2510-BP	0.6180	RFQ	3644	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, JA	GBJA2510	기준		자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500						1.05 V @ 12.5 a		10 µa @ 1000 v		25 a		단일 단일	1kv

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²