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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N4148WHE3-TP	0.1800	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	1N4148	기준		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
SF14G-TP	0.0515	RFQ	2920	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF14	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
1EZ10D5-AP	0.0804	RFQ	7978	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ10		1 W.	DO-41	다운로드				353-1EZ10D5-AP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 7.6 v						10 v	7 옴
MB4S-TP	0.4500	RFQ	224	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	MB4	기준		MBS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000					1 V @ 400 mA		5 µa @ 400 v		500 MA		단일 단일	400 v
BZT52B18JSHE3-TP	0.3600	RFQ	6531	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B18		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12.6 v						18 v	45 옴
MGR1204-BP	-	RFQ	1817	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	MGR1204	기준		TO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,000	짐		400 v		1.1 v @ 12 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	12a	100pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5235C-TP	0.0488	RFQ	3240	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2.06%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5235		350 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBZ5235C-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 100 ma		3 µa @ 5 v						6.8 v	5 옴
1F2-TP	-	RFQ	1193	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1f2	기준		R-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
BZX84C24W-TP	0.3400	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84C24		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		100 na @ 16.8 v						24 v	70 옴
SF66-AP	-	RFQ	5993	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF66	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 6 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 125 ° C	6A	60pf @ 4V, 1MHz
MURD1060-TP	-	RFQ	3032	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	murd1060	기준		DPAK (TO-252)	-				353-MURD1060-TPTR	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.55 V @ 10 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	-
SF28-AP	-	RFQ	4434	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF28	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
BZT52B13S-TP	-	RFQ	4403	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B13		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v						13 v	25 옴
SF13M-TP	-	RFQ	1039	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	SF13	기준		DO-214AC (HSMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v			35 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
3SMBJ5954B-TP	0.1437	RFQ	1916	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5954		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-3SMBJ5954B-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 121.6 v						160 v	700 옴
BZT52B3V9LS-TP	0.0355	RFQ	9739	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2.05%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B3		200 MW	SOD-323FL	다운로드				353-BZT52B3V9LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1							5 µa @ 1 v						3.9 v	100 옴
MMBD1505-TP	0.1800	RFQ	4877	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD1505	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	180 v	200ma	1.3 v @ 200 ma		10 na @ 180 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5246BHE3-TP	0.3200	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5246		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v						16 v	17 옴
1N4942-TP	-	RFQ	4523	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4942	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
mur1100-tp	-	RFQ	1336	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	mur1100	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.75 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
SIC0860PL8-TP	4.6400	RFQ	1056	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	4-powervsfn	SIC0860	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		DFN8080A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SIC0860PL8-TPTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.6 v @ 8 a	0 ns	36 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	346pf @ 0V, 1MHz
MMXZ5239B-TP	0.2700	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5239		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		3 µa @ 7 v						9.1 v	10 옴
SS14E-TP	0.3700	RFQ	77	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky		smae	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5229B-TP	0.0306	RFQ	2837	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5229		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		5 µa @ 1 v						4.3 v	22 옴
BZX84C6V2-TP	0.1200	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C6V2		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 4 v						6.2 v	10 옴
UF1G-TP	0.0783	RFQ	5109	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	UF1G	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-UF1G-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.4 V @ 1 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
BZX584C11-TP	0.0385	RFQ	3498	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5.45%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드			영향을받지 영향을받지	353-BZX584C11-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						11 v	20 옴
SMBJ5931B-TP	0.0890	RFQ	1990	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5931		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5931B-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 13.7 v						18 v	12 옴
mur1040-bp	0.3993	RFQ	2610	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MUR1040	기준		TO-220AC	다운로드				353-MUR1040-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.5 V @ 10 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	160pf @ 4V, 1MHz
1N5940bp-tp	0.0963	RFQ	1648	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5940		1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1n5940bp-tptr	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 32.7 v						43 v	53

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²