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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SMBJ5359C-TP	-	RFQ	6185	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모 쓸모	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5359		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5359C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 18.2 v						24 v	3.5 옴
BZX584B24HE3-TP	0.0515	RFQ	6097	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584B24HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 16.8 v						24 v	70 옴
MD70A18D1-BP	33.9620	RFQ	6275	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준	MD70	기준		D1	다운로드				353-MD70A18D1-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐	1 연결 연결 시리즈	1800 v	70A	1.3 V @ 200 a		5 ma @ 1800 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5221BHE3-TP	0.0569	RFQ	8082	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5221		500MW	SOD-123	다운로드				353-MMSZ5221BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2.4 v	30 옴
RL107-TP	-	RFQ	8781	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			구멍을 구멍을	축	RL107	기준		A-405	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		1000 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4739AW-TP	-	RFQ	6946	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	1N4739		1 W.	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	3,000						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 7 v						9.1 v	5 옴
BZT52C43SHE3-TP	0.3000	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C43		300MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 32 v						43 v	100 옴
SMA3EZ15D5-TP	-	RFQ	6260	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA3EZ15		3 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA3EZ15D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 11.4 v						15 v	5.5 옴
3SMAJ5946B-TP	0.4000	RFQ	8093	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5946		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v						75 v	140 옴
BZX584B5V6-TP	0.0381	RFQ	9694	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.96%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		1 µa @ 2 v						5.6 v	40
1N4759A-TP	-	RFQ	2826	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4759		1 W.	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 47.1 v						62 v	125 옴
BAS40DW-05-TP	0.4500	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS40	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 음극 음극 공통	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
RB491D-TP	-	RFQ	7318	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RB491D	Schottky		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		450 mV @ 1 a		200 µa @ 20 v	125 ° C (°)	1A	-
1N4002-N-2-3-AP	-	RFQ	8995	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모 쓸모			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4002	기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		1N4002-N-2-3-APMS	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		100 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 100 v	-	1A	-
1N4448-TP	-	RFQ	8423	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4148	기준		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1 v @ 100 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-50 ° C ~ 150 ° C	150ma	-
MB84	-	RFQ	7914	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모 쓸모		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, BR-6	MB84	기준		BR-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MB84ms	귀 99	8541.10.0080	1						1.1 v @ 4 a		10 µa @ 400 v		8 a		단일 단일	400 v
GS1JFL-TP	0.3400	RFQ	8	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	GS1J	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1 V @ 1 a		10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
AZ23B6V2HE3-TP	0.0848	RFQ	8653	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 1.94%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B6V2		300MW	SOT-23	다운로드				353-AZ23B6V2HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							3 µa @ 4 v						6.2 v	10 옴
MMBZ5249C-TP	0.0488	RFQ	3400	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5249		350 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBZ5249C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 100 ma		100 na @ 14 v						19 v	23 옴
HER207G-AP	0.0625	RFQ	8440	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	HER207	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
SK1010H-LTP	0.3750	RFQ	6286	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK1010	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-SK1010H-LTP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		820 MV @ 10 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	-
SF53-AP	-	RFQ	6553	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모 쓸모			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF53	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 5 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	45pf @ 4V, 1MHz
1N5229B-TP	-	RFQ	4276	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5229		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v						4.3 v	22 옴
3SMBJ5940B-TP	-	RFQ	1461	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5940		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 32.7 v						43 v	53
SK310-TPS01	-	RFQ	9180	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK310	Schottky		DO-214AB (SMC)	-				353-SK310-TPS01TR	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
2EZ6.8D5-TP	0.1102	RFQ	9445	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ6.8		2 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 4 v						6.8 v	2 옴
HER303G-AP	-	RFQ	4403	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER303	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 3 a	50 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
SF26G-BP	0.1008	RFQ	9634	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF26	기준		DO-15	다운로드				353-SF26G-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
1N5948B3P-TP	0.1102	RFQ	5446	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5948		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5948B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 69.2 v						91 v	200 옴
2EZ22D5-TP	0.4100	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ22		2 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 16.7 v						22 v	12 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²