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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 - 최대	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f
BAS16WXHE3-TP	0.2700	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	BAS16	기준		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도				75 v		1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	100ma	2pf @ 0V, 1MHz
BZX84C3V9HE3-TP	0.2700	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C3V9		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZX84C3V9HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000							900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v						3.9 v	90 옴
MMSZ5226BHE3-TP	0.3200	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5226		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v						3.3 v	28 옴
10A02-AP	0.2463	RFQ	6518	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	R-6, 축,	10A02	기준		R-6	다운로드				353-10A02-AP	귀 99	8541.10.0080	1	짐				100 v		1 V @ 10 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	150pf @ 4V, 1MHz
MBR20U100L-TP	0.4257	RFQ	3371	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	MBR20	Schottky		TO-277	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MBR20U100L-TPTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	-				100 v		700 mV @ 20 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
SMB3EZ5.6D5-TP	-	RFQ	1290	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ5.6		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ5.6D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000							1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v						5.6 v	2.5 옴
sma3ez8.2d5-tp	-	RFQ	1117	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA3EZ8.2		3 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA3EZ8.2D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500							1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 6 v						8.2 v	2.3
SMA3EZ13D5-TP	-	RFQ	5008	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA3EZ13		3 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA3EZ13D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500							1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 9.9 v						13 v	4.5 옴
SMB2EZ19D5-TP	-	RFQ	7335	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ19		2 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB2EZ19D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000							1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 14.4 v						19 v	11 옴
SB1580-TP	-	RFQ	3666	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB1580			Do-201ad	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-SB1580-TPTR	귀 99	8541.10.0080	500
S5GLHE3-TP	0.4500	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5GL	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-S5GLHE3-TPTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)				400 v		1.15 V @ 5 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	40pf @ 4V, 1MHz
mur6060pth-bp	3.6800	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	mur6060	기준		TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MUR6060pth-bp	귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			1 음극 음극 공통	600 v	60a	1.6 V @ 30 a	112 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SDB207-TP-HF	-	RFQ	1072	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	SDB207	기준		SDB-1	다운로드			영향을받지 영향을받지	353-SDB207-TP-HF	귀 99	8541.10.0080	1							1.2 v @ 2 a		10 µa @ 1000 v		2 a		단일 단일	1kv
DB206-BP	0.1230	RFQ	8122	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)	DB206	기준		DB-1	다운로드				353-DB206-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1.1 v @ 2 a		10 µa @ 800 v		2 a		단일 단일	800 v
3SMBJ5939BHE3-TP	0.1613	RFQ	9030	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5939		3 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드				353-3SMBJ5939BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1							1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 29.7 v						39 v	45 옴
SS18FL-TP	0.0575	RFQ	3773	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SS18	Schottky		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-SS18FL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)				80 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	30pf @ 4V, 1MHz
2EZ5.6D5-TP	0.1485	RFQ	4977	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ5.6		2 w	DO-41	다운로드				353-2EZ5.6D5-TP	귀 99	8541.10.0050	1							1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v						5.6 v	2.5 옴
MT3510A-BP	5.4060	RFQ	9673	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	5 3, MT-35A	MT3510	기준		MT-35A	다운로드				353-MT3510A-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1.2 v @ 17.5 a		10 µa @ 1000 v		35 a		3 단계	1kv
BAP64-06-TP	0.0698	RFQ	8402	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAP64-06			SOT-23	다운로드				353-BAP64-06-TP			1		100 MA	250 MW									0.35pf @ 20V, 1MHz	핀 -1 쌍 1 양극	175v			1.35ohm @ 100ma, 100mhz
RTBL610-TP	0.3053	RFQ	8611	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	RTBL610	기준		TBL	다운로드				353-RTBL610-TP	귀 99	8541.10.0080	1							1.3 v @ 3 a		5 µa @ 1000 v		6 a		단일 단일	1kv
GBU6J-BPS01	0.3505	RFQ	6460	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU6	기준		GBU	다운로드				353-GBU6J-BPS01	귀 99	8541.10.0080	1							1 V @ 3 a		5 µa @ 600 v		6 a		단일 단일	600 v
UD4KB10-BP	0.1958	RFQ	7678	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip	UD4K	기준		D3K	다운로드				353-UD4KB10-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1 V @ 2 a		10 µa @ 100 v		4 a		단일 단일	100 v
GBU3001-BP	0.6300	RFQ	7102	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU3001	기준		GBU	다운로드				353-GBU3001-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1 V @ 15 a		5 µa @ 100 v		30 a		단일 단일	100 v
KBJ1004G-BP	0.5250	RFQ	5806	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBJ	KBJ1004	기준		KBJ	다운로드				353-KBJ1004G-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1 V @ 5 a		5 µa @ 400 v		10 a		단일 단일	400 v
GBU30005-BP	0.6300	RFQ	6432	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU30005	기준		GBU	다운로드				353-GBU30005-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1 V @ 15 a		5 µa @ 50 v		30 a		단일 단일	50 v
GBJ5004-BP	0.8915	RFQ	7506	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ5004	기준		GBJ	다운로드				353-GBJ5004-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1 V @ 25 a		10 µa @ 400 v		50 a		단일 단일	400 v
MD250S12M5-BP	37.1733	RFQ	2486	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	MD250	기준		M5	다운로드				353-MD250S12M5-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1.6 V @ 300 a		500 µa @ 1200 v		250 a		3 단계	1.2kV
KBJ1008G-BP	0.5250	RFQ	9725	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBJ	KBJ1008	기준		KBJ	다운로드				353-KBJ1008G-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1 V @ 5 a		5 µa @ 800 v		10 a		단일 단일	800 v
GBU3006-BP	0.6300	RFQ	6135	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU3006	기준		GBU	다운로드				353-GBU3006-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1 V @ 15 a		5 µa @ 600 v		30 a		단일 단일	600 v
GBJ2510H-BP	0.7180	RFQ	3632	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ2510	기준		GBJ	다운로드				353-GBJ2510H-BP	귀 99	8541.10.0080	1							1.2 v @ 12.5 a		10 µa @ 1600 v		25 a		단일 단일	1.6kV

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²