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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SRA253GP-TP	-	RFQ	2801	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			표면 표면	SRA	SRA253	기준		SRA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1	짐		200 v		1.1 v @ 25 a		25 µa @ 200 v	-	25A	300pf @ 4V, 1MHz
GS1GHE3-LTP	0.0577	RFQ	3233	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS1G	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-GS1GHE3-LTP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1 V @ 1 a	2 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SS110HE3-LTP	0.4200	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS110	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SS110HE3-LTPTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 1 a		50 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	35pf @ 0V, 1MHz
US3GBFL-TP	0.0566	RFQ	2773	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	US3G	기준		SMBF	다운로드				353-US3GBFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
mur610fct-bp	-	RFQ	4554	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MUR610	기준		ITO-220AB	-				353-MUR610FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	6A	975 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZX84B47-TP	0.0231	RFQ	6038	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B47		350 MW	SOT-23	다운로드				353-BZX84B47-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		100 na @ 32.9 v						47 v	170 옴
1N5363C-TP	-	RFQ	9853	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모 쓸모	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5363		5 w	DO-15	-				353-1N5363C-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 22.8 v						30 v	8 옴
UF1B-TP	0.0783	RFQ	6508	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	UF1B	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-UF1B-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 1 a	50 ns	10 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
MBR30300CTH-BP	0.9182	RFQ	5816	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR30300	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR30300CTH-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	300 v	30A	1.3 V @ 15 a		10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 175 ° C
MBR2530CT-BP	0.5250	RFQ	8609	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR2530	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR2530CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	25A	820 MV @ 25 a		200 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TBSL40D-TP	-	RFQ	4839	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	4-SMD,, 리드	TBSL40	기준		TBSL	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1					1 V @ 4 a		5 µa @ 200 v		4 a		단일 단일	200 v
SF23G-BP	0.0873	RFQ	3891	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF23	기준		DO-15	다운로드				353-SF23G-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	60pf @ 4V, 1MHz
SS16FL-TP	0.3800	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SS16	Schottky		do-221ac (SMA-FL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
SFM17PL-TP	0.0618	RFQ	8364	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SFM17	기준		SOD-123FL	다운로드				353-SFM17PL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		500 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 500 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
BZT52B43JS-TP	0.0592	RFQ	9341	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B43		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 30.1 v						43 v	141 옴
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MBR40150CT-BP	1.7500	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR40150	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MBR40150CT-BP	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	40a	850 mv @ 20 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BZT52B30BS-TP	0.0355	RFQ	1700	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B30		400MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52B30BS-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		45 na @ 21 v						30 v	75 옴
60S1-BP	0.1827	RFQ	9198	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	60S1	기준		Do-201ad	다운로드				353-60S1-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		100 v		1 V @ 6 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
SMA1EZ270D5HE3-TP	0.1407	RFQ	6451	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	-	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA1EZ270		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMA1EZ270D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 205 v						270 v	2100 옴
1N5381C-TP	-	RFQ	3733	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모 쓸모	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5381		5 w	DO-15	-				353-1N5381C-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 98.8 v						130 v	190 옴
R2000FGP-TPS01	0.1731	RFQ	7607	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	R2000	기준		DO-41	다운로드				353-R2000FGP-TPS01	귀 99	8541.10.0070	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		2000 v		2.5 V @ 500 MA	500 ns	5 µa @ 2000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	30pf @ 4V, 1MHz
SR803-AP	0.1658	RFQ	4808	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR803	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR803-AP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		650 mV @ 8 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	500pf @ 4V, 1MHz
SR303-BP	0.1555	RFQ	5898	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR303	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR303-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 30 v	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	180pf @ 4V, 1MHz
SF26GS-AP	0.0618	RFQ	4126	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF26	기준		DO-15	다운로드				353-SF26GS-AP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5934BHE3-TP	0.1549	RFQ	4117	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5934		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5934BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 18.2 v						24 v	19 옴
BZX584B13-TP	0.0381	RFQ	3324	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						13 v	30 옴
BZT52B43LS-TP	0.0355	RFQ	5426	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 1.95%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B43		200 MW	SOD-323FL	다운로드				353-BZT52B43LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1							100 na @ 29.4 v						43 v	130 옴
MBR1540-BP	-	RFQ	7697	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR1540	Schottky		TO-220AC	-				353-MBR1540-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		630 mv @ 15 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²