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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MBRL3045FCT-BP	0.4126	RFQ	3023	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBRL3045	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBRL3045FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	30A	550 mV @ 15 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SD103AX-TP-HF	-	RFQ	9608	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523	SD103	Schottky		SOD-523	다운로드				353-SD103AX-TP-HF	귀 99	8541.10.0070	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	350ma	50pf @ 0V, 1MHz
3SMAJ5913B-TP	-	RFQ	2015	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5913		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.5 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v						3.3 v	10 옴
BZT52C3V3SHE3-TP	0.0488	RFQ	6751	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C3V3		300MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52C3V3SHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						3.3 v	95 옴
RA354-BP	-	RFQ	2414	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	라	RA354	기준		라	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1	짐		400 v		1 V @ 35 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	35a	100pf @ 4V, 1MHz
SK156-TP	-	RFQ	2117	마이크로 마이크로 공동	SK	대부분	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK156	Schottky		DO-214AB (HSMC)	다운로드	Rohs3 준수			353-SK156-TP	쓸모없는		1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		850 mV @ 15 a		1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15a	500pf @ 4V, 1MHz
DR7510-TP	0.3816	RFQ	5240	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	DR7510	기준		R-6	다운로드				353-DR7510-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		1000 v		1.1 v @ 6 a		10 µa @ 1000 v	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
DL5227B-TP	-	RFQ	1029	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5227		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.1 v @ 200 ma		15 µa @ 1 v						3.6 v	24 옴
SD101AWSHE3-TP	0.3800	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	SD101	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SD101AWSHE3-TPTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		60 v		1 V @ 15 ma	1 ns	200 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15MA	2pf @ 0V, 1MHz
SR5150H-BP	0.2222	RFQ	6236	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR5150	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-sr5150h-bp	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		850 mV @ 5 a		500 NA @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	-
1N5343C-TP	-	RFQ	1027	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5343		5 w	DO-15	-				353-1n5343c-tp	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		10 µa @ 5.7 v						7.5 v	1.5 옴
HER201-TP	-	RFQ	3698	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	HER201	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
RL101-BP	0.0397	RFQ	4161	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	축	RL101	기준		A-405	다운로드				353-RL101-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		50 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5250BHE3-TP	0.3200	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5250		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v						20 v	25 옴
MBR1090F-BP	0.3252	RFQ	9857	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	MBR109	Schottky		ITO-220AC	다운로드				353-MBR1090F-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		850 mv @ 10 a		500 µa @ 90 v	-50 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SK38HE3-TP	0.1972	RFQ	3879	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK38	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-SK38HE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mV @ 3 a		100 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
2EZ33D5-TP	0.4100	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ33		2 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 25.1 v						33 v	23 옴
SL32PL-TP	0.0894	RFQ	3393	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SL32	Schottky		SOD-123FL	다운로드			영향을받지 영향을받지	353-SL32PL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		450 mV @ 3 a		200 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
1N4007GP-AP	0.0408	RFQ	8394	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4007	기준		DO-41	다운로드				353-1N4007GP-AP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		1000 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
3SMAJ5931B-TP	0.4000	RFQ	46	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5931		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 13.7 v						18 v	12 옴
R3000GP-TP	-	RFQ	1562	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	R3000	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		R3000GP-TPMSTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		3000 v		2.3 V @ 500 MA	1.2 µs	5 µa @ 3000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	-
BAS70DW-06-TP	0.4500	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS70	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 양극 양극 공통	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C
GBPC3502-BP	1.2360	RFQ	6416	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	QC 터미널	4- 스퀘어, GBPC	GBPC3502	기준		GBPC	다운로드				353-GBPC3502-BP	귀 99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 17.5 a		5 µa @ 200 v		35 a		단일 단일	200 v
SMA3EZ160D5-TP	-	RFQ	5950	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA3EZ160		3 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA3EZ160D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 121.6 v						160 v	625 옴
SMA3EZ240D5-TP	-	RFQ	6277	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA3EZ240		3 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA3EZ240D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 180 v						240 v	850 옴
SFM16PL-TP	0.3300	RFQ	5494	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SFM16	기준		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	sfm16pl-tpmstr	귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
MUR1020CTB-BP	0.4261	RFQ	5416	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3	mur1020	기준		TO-220AB	-				353-MUR1020CTB-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	1.18 V @ 5 a	25 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SMB2EZ51D5HE3-TP	0.1501	RFQ	8295	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ10		2 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMB2EZ51D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 38.8 v						51 v	48 옴
MMBZ5235B-TP	0.0306	RFQ	3724	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5235		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		3 µa @ 5 v						6.8 v	5 옴
BZX584B20-TP	0.0381	RFQ	5261	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v						20 v	55 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²