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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
HER107-AP	-	RFQ	3121	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER107	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5240BHE3-TP	0.3200	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5240		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		3 µa @ 8 v						10 v	17 옴
FRA804GF-BP	-	RFQ	2178	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	FRA804	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 8 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	60pf @ 4V, 1MHz
3SMAJ5938BHE3-TP	0.1405	RFQ	9967	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5938		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-3SMAJ5938BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 27.4 v						36 v	38 옴
1N5232B-TP	-	RFQ	6622	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5232		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v						5.6 v	11 옴
SMD16PLHE3-TP	0.0848	RFQ	4766	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SMD16	Schottky		SOD-123FL	다운로드				353-SMD16PLHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
DFLZ43-TP	0.0926	RFQ	6388	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	DFLZ43		1 W.	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 32.7 v						43 v	70 옴
US1JFL-TP	0.4800	RFQ	9	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	US1J	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
BZT52C5V1S-TP	0.1900	RFQ	133	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C5V1		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v						5.1 v	60 옴
1N4760A-TP	-	RFQ	4908	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4760		1 W.	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 51.7 v						68 v	150 옴
HER207G-AP	0.0625	RFQ	8440	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	HER207	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
SF18G-TP	0.0515	RFQ	4718	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF18	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
BZT52B51S-TP	-	RFQ	1133	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B51		200 MW	SOD-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 38 v						51 v	100 옴
1EZ16D5-TP	0.0797	RFQ	9051	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ16		150 MW	DO-41	다운로드				353-1EZ16D5-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 12.2 v						16 v	16 옴
SMD24PL-TP	0.4000	RFQ	86	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	smd24	Schottky		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
BAS40-04-TP-HF	-	RFQ	8136	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		SOT-23	다운로드				353-BAS40-04-TP-HF	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
DZ23C27HE3-TP	0.3300	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C27		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 음극 음극 공통							100 na @ 20 v						27 v	80 옴
BZT52B75JS-TP	0.3400	RFQ	7820	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B75		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 56 v						75 v	250 옴
DZ23C51-TP	0.0474	RFQ	6492	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C51		300MW	SOT-23	다운로드				353-DZ23C51-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 음극 음극 공통							100 na @ 38 v						51 v	100 옴
FR151-AP	-	RFQ	5083	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR151	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
MP502W-BP	3.5500	RFQ	285	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, MP-50W	MP502	기준		MP-50W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400						1.2 v @ 25 a		10 µa @ 200 v		50 a		단일 단일	200 v
1N4004	-	RFQ	4605	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4004	기준		DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		400 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N5353B-TP	0.4100	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5353		5 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 1 a		1 µa @ 12.2 v						16 v	2.5 옴
er1a-ltp	0.0592	RFQ	2730	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	er1a	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	er1a-ltpmstr	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
UG1C-TP	0.0599	RFQ	2191	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	UG1C	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-ug1c-tp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		920 MV @ 1 a	25 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
MBRLP2050-TP	-	RFQ	8697	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	8-powertdfn	MBRLP2050	Schottky		DFN5060-8L	다운로드	Rohs3 준수			353-MBRLP2050-TPTR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		510 mV @ 20 a		300 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
SMAJ5949B-TP	0.3700	RFQ	827	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5949		1.5 w	DO-214AC (SMAJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 76 v						100 v	250 옴
RL101-N-2-1-BP	-	RFQ	9086	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	축	RL101	기준		A-405	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		RL101-N-2-1-BPMS	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		50 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BZT52C15S-TP	0.1900	RFQ	4739	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C15		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 10.5 v						15 v	30 옴
SMA2EZ47D5HE3-TP	0.1404	RFQ	7115	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ47		2 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMA2EZ47D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 35.8 v						47 v	40

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²