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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
DZ23C9V1-TP	0.0474	RFQ	5038	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C9V1		300MW	SOT-23	다운로드				353-DZ23C9V1-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 음극 음극 공통							100 na @ 7 v				9.1 v	10 옴
SFM13PL-TP	0.0618	RFQ	2530	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SFM13	기준		SOD-123FL	다운로드				353-SFM13PL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
1N5952B3P-AP	0.1094	RFQ	5121	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5952		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5952B3P-AP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 98.8 v				130 v	450 옴
BZX84C24W-TP	0.3400	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84C24		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 100 ma		100 na @ 16.8 v				24 v	70 옴
MMBD1505-TP	0.1800	RFQ	4877	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD1505	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	180 v	200ma	1.3 v @ 200 ma		10 na @ 180 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5235C-TP	0.0488	RFQ	3240	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2.06%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5235		350 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBZ5235C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 100 ma		3 µa @ 5 v				6.8 v	5 옴
MURD1060-TP	-	RFQ	3032	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	murd1060	기준		DPAK (TO-252)	-				353-MURD1060-TPTR	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.55 V @ 10 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	-
SF28-AP	-	RFQ	4434	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF28	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
1F2-TP	-	RFQ	1193	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1f2	기준		R-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
SF13M-TP	-	RFQ	1039	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	SF13	기준		DO-214AC (HSMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v			35 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
3SMBJ5954B-TP	0.1437	RFQ	1916	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5954		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-3SMBJ5954B-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 121.6 v				160 v	700 옴
SF66-AP	-	RFQ	5993	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF66	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 6 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 125 ° C	6A	60pf @ 4V, 1MHz
BZT52B3V9LS-TP	0.0355	RFQ	9739	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2.05%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B3		200 MW	SOD-323FL	다운로드				353-BZT52B3V9LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1								5 µa @ 1 v				3.9 v	100 옴
MMSZ5246BHE3-TP	0.3200	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5246		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v				16 v	17 옴
MBR20150CTH-BP	0.5648	RFQ	7996	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20150	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR20150CTH-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	20A	850 mv @ 10 a		10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
MMBZ5259C-TP	0.0488	RFQ	5882	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5259		350 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBZ5259C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 100 ma		100 na @ 30 v				39 v	80 옴
BZT52B6V8JS-TP	0.0592	RFQ	1969	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.06%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B6		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v				6.8 v	15 옴
2A07-TP	-	RFQ	8886	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2A07	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	4,000		짐		1000 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
1N5375B-TP	0.1156	RFQ	4730	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5375		5 w	DO-15	다운로드				353-1N5375B-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 62.2 v				82 v	65 옴
BZT52B11JSHE3-TP	0.0616	RFQ	6284	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B11		200 MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52B11JSHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v				11 v	20 옴
SL54B-TP	0.1549	RFQ	8453	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SL54	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SL54B-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		450 mV @ 5 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
1N5357B-TP	0.4100	RFQ	18	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5357		5 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 15.2 v				20 v	3 옴
MBRX0520-TP	-	RFQ	3961	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-76, SOD-323	MBRX0520	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		450 mV @ 500 mA		300 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	500ma	-
SF18GL-TP	0.0763	RFQ	2182	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF18	기준		DO-41	다운로드				353-SF18GL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BZX584B6V2HE3-TP	0.3400	RFQ	8	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZX584B6V2HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		3 µa @ 4 v				6.2 v	10 옴
SK53L-TP	0.4700	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK53	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 5 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	200pf @ 4V, 1MHz
BZT52C33LS-TP	0.0355	RFQ	3757	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C33		200 MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52C33LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 23.1 v				33 v	80 옴
mur2030pt-bp	0.9991	RFQ	8248	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	MUR2030	기준		TO-247-3	다운로드				353-MUR2030PT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	300 v	20A	1.2 v @ 15 a	30 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 175 ° C
MMSZ5228B-TP-HF	-	RFQ	7152	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5228		500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	353-MMSZ5228B-TP-HF	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v				3.9 v	23 옴
1N4933GP-BP	0.0533	RFQ	6818	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4933	기준		DO-41	다운로드				353-1N4933GP-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²