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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
US3MBFL-TP	0.0566	RFQ	7137	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	US3M	기준		SMBF	다운로드				353-US3MBFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	24pf @ 4V, 1MHz
SK36B-LTP	0.4300	RFQ	259	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK36	Schottky		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 1v, 1MHz
SS24HE3-LTP	0.4000	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS24	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 2 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	90pf @ 4V, 1MHz
FR501GP-TP	0.2472	RFQ	7181	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	FR501	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.35 V @ 5 a	150 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	65pf @ 4V, 1MHz
BZV55C3V6-TP	-	RFQ	1443	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C3V6		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v						3.6 v	85 옴
SD101CWSHE3-TP	0.3800	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	SD101	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		900 mv @ 15 ma	1 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15MA	2.2pf @ 0v, 1MHz
BZT52B2V4LS-TP	0.0355	RFQ	7818	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 3.16%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B2V4		200 MW	SOD-323FL	다운로드				353-BZT52B2V4LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1							120 µa @ 1 v						2.4 v	100 옴
MBRX02540-TP	-	RFQ	5425	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-76, SOD-323	MBRX02540	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 250 mA		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	250ma	-
3SMAJ5954B-TP	0.4000	RFQ	7873	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5954		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 121.6 v						160 v	700 옴
BZT52B10LS-TP-HF	-	RFQ	3729	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B10		200 MW	SOD-323FL	다운로드				353-BZT52B10LS-TP-HF	귀 99	8541.10.0050	1							100 na @ 7.5 v						10 v	30 옴
MBRBL3045CT-TP	0.8286	RFQ	8474	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRBL3045	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRBL3045CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	30A	530 mV @ 15 a		50 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SMBJ5359C-TP	-	RFQ	6185	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5359		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5359C-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 18.2 v						24 v	3.5 옴
MB101-BP	-	RFQ	3436	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, BR-6	MB101	기준		BR-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,600					1.1 v @ 5 a		10 µa @ 100 v		10 a		단일 단일	100 v
BZX84B2V4-TP	0.0231	RFQ	1391	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B2V4		350 MW	SOT-23	다운로드				353-BZX84B2V4-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		50 µa @ 1 v						2.4 v	100 옴
1N5397GP-TP	0.0618	RFQ	3985	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5397	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	짐		600 v		1.4 V @ 1.5 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
ES1DHE3-LTP	0.0837	RFQ	3894	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-ES1DHE3-LTP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	200pf @ 4V, 1MHz
SR508-AP	0.1372	RFQ	6439	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR508	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR508-AP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mV @ 5 a		1 ma @ 80 v	-50 ° C ~ 150 ° C	5a	200pf @ 4V, 1MHz
RB153-BP	-	RFQ	4371	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 원, RB-15	RB153	기준		RB-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1 V @ 1.5 a		10 µa @ 200 v		1.5 a		단일 단일	200 v
SMBJ5942BHE3-TP	0.1549	RFQ	2475	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5942		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5942BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 38.8 v						51 v	70 옴
MB351W-BP	-	RFQ	8830	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, MB-35W	MB351	기준		MB-35W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MB351W-BPMS	귀 99	8541.10.0080	400					1.2 v @ 17.5 a		10 µa @ 100 v		35 a		단일 단일	100 v
1N5338B-TP	0.7000	RFQ	714	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5338		5 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 1 a		1 µa @ 1 v						5.1 v	1.5 옴
fs1ge-tp	-	RFQ	3399	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	fs1g	기준		smae	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SK2150-LTP	0.1075	RFQ	3525	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK2150	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SK2150-LTPMSTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		900 mV @ 2 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	170pf @ 4V, 1MHz
DB103-BP	0.5900	RFQ	910	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)	DB103	기준		DB-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1 a		10 µa @ 200 v		1 a		단일 단일	200 v
SMLJ60S6-TP	0.9500	RFQ	13	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SMLJ60S6	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		600 v		1 V @ 6 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
SR806-AP	0.2714	RFQ	4758	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR806	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR806-AP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 8 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	380pf @ 4V, 1MHz
SL56BFL-TP	0.2392	RFQ	3593	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	SL56	Schottky		SMBF	다운로드				353-SL56BFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		500 mV @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	270pf @ 4V, 1MHz
BZX584B18-TP	0.0381	RFQ	1116	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12.6 v						18 v	45 옴
PB68-BP	0.4944	RFQ	6955	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, PB-6	PB68	기준		PB-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,600					1.1 v @ 3 a		10 µa @ 800 v		6 a		단일 단일	800 v
SMAJ5933BHE3-TP	0.1215	RFQ	3561	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5933		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAJ5933BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 16.7 v						22 v	17.5 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²