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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MMBD1501-TP	0.1800	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD1501	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		180 v		1.3 v @ 200 ma		10 na @ 180 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	-
DL4001	-	RFQ	2181	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AB, MELF	DL4001	기준		멜프	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		50 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v	-	1A	-
SMAJ4734A-TP	0.1038	RFQ	5459	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4734		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500								10 µa @ 2 v						5.6 v	5 옴
MP5005W-BP	2.4772	RFQ	4253	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, MP-50W	MP5005	기준		MP-50W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MP5005W-BPMS	귀 99	8541.10.0080	400						1.2 v @ 25 a		10 µa @ 50 v		50 a		단일 단일	50 v
MB354W-BP	-	RFQ	6608	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, MB-35W	MB354	기준		MB-35W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400						1.2 v @ 17.5 a		10 µa @ 400 v		35 a		단일 단일	400 v
SMA2EZ30D5-TP	-	RFQ	2785	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ30		2 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA2EZ30D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 22.5 v						30 v	20 옴
MMXZ5225B-TP	0.0375	RFQ	4240	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5225		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 100 ma		50 µa @ 1 v						3 v	29 옴
BZX84C6V8W-TP	0.0426	RFQ	8681	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84C6V8		200 MW	SOT-323	다운로드				353-BZX84C6V8W-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 100 ma		2 µa @ 4 v						6.8 v	15 옴
FR506-AP	-	RFQ	9241	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	FR506	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.35 V @ 5 a	500 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	65pf @ 4V, 1MHz
MUR420GP-AP	0.1963	RFQ	8616	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	MUR420	기준		Do-201ad	다운로드				353-MUR420GP-AP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.35 V @ 4 a	60 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	80pf @ 4V, 1MHz
ES1B-LTP	0.2700	RFQ	87	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5345B-TP	0.4800	RFQ	12	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5345		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 1 a		10 µa @ 6.6 v						8.7 v	2 옴
BAT54V-TP	0.2000	RFQ	9957	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-563, SOT-666	Bat54	Schottky		SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 독립	30 v	200ma	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C
PB2501-BP	1.0820	RFQ	8961	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에시, pb	PB2501	기준		PB	다운로드				353-PB2501-BP	귀 99	8541.10.0080	1						1 V @ 12.5 a		5 µa @ 100 v		25 a		단일 단일	100 v
BZX584B10HE3-TP	0.3400	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZX584B10HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		200 na @ 7 v						10 v	20 옴
MURS1560FL-BP	0.6150	RFQ	7394	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	MURS1560	기준		ITO-220AC	다운로드				353-MURS1560FL-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.5 v @ 15 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	15a	95pf @ 4V, 1MHz
MB356W-BP	-	RFQ	2462	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, MB-35W	MB356	기준		MB-35W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400						1.2 v @ 17.5 a		10 µa @ 600 v		35 a		단일 단일	600 v
RB411D-TP	-	RFQ	8123	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RB411D	Schottky		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 500 mA		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	500ma	20pf @ 10V, 1MHz
1N5399GP-AP	0.0583	RFQ	6803	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5399	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		1000 v		1.4 V @ 1.5 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
MUR440GP-TP	0.2173	RFQ	2922	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	MUR440	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.35 V @ 4 a	60 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	80pf @ 4V, 1MHz
MURD560-TP	0.3689	RFQ	3653	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MURD560	기준		DPAK (TO-252)	다운로드				353-MURD560-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.4 v @ 5 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
SF15G-AP	0.0383	RFQ	3385	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF15	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
HER156-TP	-	RFQ	5792	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	HER156	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1.5 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1.5A	30pf @ 4V, 1MHz
1N4689-TP	-	RFQ	8996	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4689		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 3 v						5.1 v
SMBJ5338C-TP	-	RFQ	8629	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5338		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5338C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		1 µa @ 1 v						5.1 v	1.5 옴
RL257GPL-TP	0.0636	RFQ	6386	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	RL257	기준		DO-15	다운로드				353-RL257GPL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		1000 v		1.1 v @ 2.5 a		2.5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2.5A	22pf @ 4V, 1MHz
BZX584B3V0-TP	0.0381	RFQ	3888	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v						3 v	95 옴
AZ23C5V1-TP	0.2600	RFQ	92	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C5V1		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통													5.1 v	60 옴
ES2C-LTP	0.0612	RFQ	8070	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2C	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 2 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
6A10	-	RFQ	6527	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	6A10	기준		R-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		짐		1000 v		950 MV @ 6 a		10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²