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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SF35-TP	-	RFQ	5836	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF35	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.3 v @ 3 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5250BW-TP	0.0363	RFQ	6662	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	MMBZ5250		200 MW	SOT-323	다운로드				353-MMBZ5250BW-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v						20 v	25 옴
UG1BPL-TP	0.0639	RFQ	2027	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	UG1B	기준		SOD-123FL	다운로드				353-ug1bpl-tp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SMBJ5952BHE3-TP	0.1549	RFQ	7222	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5952		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5952BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 98.8 v						130 v	450 옴
BZT52C5V1LP-TP	-	RFQ	5502	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-882	BZT52C5V1		100MW	SOD-882	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v						5.1 v	60 옴
BZX84C20W-TP	0.0426	RFQ	6001	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84C20		200 MW	SOT-323	다운로드				353-BZX84C20W-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 100 ma		100 na @ 14 v						20 v	55 옴
1N4750A-TP	-	RFQ	8143	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4750		1 W.	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 20.6 v						27 v	35 옴
BZX84C10-TP	0.1200	RFQ	40	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C10		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		200 na @ 7 v						10 v	20 옴
s8alhe3-tp	0.2136	RFQ	3542	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AB, SMC	s8al	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-S8ALHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.05 V @ 8 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	150pf @ 4V, 1MHz
GS2JHE3-LTP	0.0649	RFQ	2007	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS2J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-GS2JHE3-LTP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		1000 v		1.1 v @ 2 a	4 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
murb2060c-tp	1.1388	RFQ	8946	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	murb2060	기준		D2PAK	다운로드				353-MUBR2060C-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.6 V @ 20 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
MMBZ5246BW-TP	0.0363	RFQ	9152	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	MMBZ5246		200 MW	SOT-323	다운로드				353-MMBZ5246BW-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v						16 v	17 옴
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SR203-BP	0.0775	RFQ	2856	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR203	Schottky		DO-41	다운로드				353-SR203-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 2 a		1 ma @ 30 v	-50 ° C ~ 125 ° C	2A	-
1EZ7.5D5-TP	0.0797	RFQ	8738	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ7.5		125 MW	DO-41	다운로드				353-1EZ7.5D5-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 5 v						7.5 v	4 옴
AZ23C3V6-TP	0.3300	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C3V6		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통													3.6 v	95 옴
smb3ez6.2d5-tp	-	RFQ	1301	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ6.2		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ6.2D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v						6.2 v	1.5 옴
3SMAJ5922B-TP	0.4000	RFQ	41	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5922		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 6 v						7.5 v	3 옴
1N4007-N-0-4-AP	-	RFQ	2427	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4007	기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		1N4007-N-0-4-APMS	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		1000 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MP508W	-	RFQ	6938	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, MP-50W	MP508	기준		MP-50W	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1						1.2 v @ 25 a		10 µa @ 800 v		50 a		단일 단일	800 v
SM4007PL-TP	0.3000	RFQ	208	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SM4007	기준		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		짐		1000 v		1.1 v @ 1 a	1 µs	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
DL5258B-TP	-	RFQ	6820	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5258		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 27 v						36 v	70 옴
MBRJL30100CTL-BP	-	RFQ	5798	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	쓸모없는					MBRJL30100				-	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-MBRJL30100CTL-BP	귀 99	8541.10.0080	50
MUR1015CT-BP	0.4025	RFQ	5658	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3	mur1015	기준		TO-220AB	다운로드				353-MUR1015CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	10A	975 MV @ 5 a	35 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
2EZ17D5-TP	-	RFQ	6011	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ17		2 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2EZ17D5-TPMSTR	귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 13 v						17 v	9 옴
MBRJL30100CT-BP	-	RFQ	8513	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	MBRJL30100	Schottky		TO-262	-				353-MBRJL30100CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	30A	770 mV @ 15 a		50 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MUR6060B-BP	3.0000	RFQ	178	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-2	mur6060	기준		TO-247AD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	360		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 60 a	75 ns	15 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	60a	-
SK63L-TP	0.1597	RFQ	8712	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK63	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-SK63L-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		650 MV @ 6 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	200pf @ 4V, 1MHz
1N5400GP-TP	0.1632	RFQ	1117	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5400	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		짐		50 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5371C-TP	-	RFQ	3979	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5371		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5371C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 45.5 v						60 v	40

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²