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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SR5010-BPC02	-	RFQ	5726	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR5010	Schottky		Do-201ad	-				353-SR5010-BPC02	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 5 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	200pf @ 4V, 1MHz
SMA1EZ110D5-TP	-	RFQ	7908	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA1EZ110		1 W.	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA1EZ110D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		100 na @ 83.6 v				110 v	450 옴
BAS40WT-04-TP	0.0426	RFQ	1958	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	BAS40	Schottky		SOT-323	다운로드				353-BAS40WT-04-TP	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	1 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
GPB2506C-TP	1.1597	RFQ	3668	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	GPB2506	기준		D2PAK	다운로드				353-GPB2506C-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		600 v		1.1 v @ 25 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	25A	-
MMBD1503-TP-HF	-	RFQ	8443	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD1503	기준		SOT-23	다운로드				353-MMBD1503-TP-HF	귀 99	8541.10.0080	1		짐	1 연결 연결 시리즈	180 v	200ma	1.5 v @ 300 ma		10 na @ 180 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BAT54W-TP	0.0315	RFQ	3941	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123	Bat54	Schottky		SOD-123	다운로드				353-BAT54W-TP	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma		2 µa @ 25 v	-55 ° C ~ 125 ° C	200ma	-
MBRDL2060CT-TP	0.4500	RFQ	2210	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRDL2060	Schottky		D-PAK	다운로드				353-MBRDL2060CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	20A	600 mV @ 10 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
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BZT52B43HE3-TP	0.2700	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B43		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZT52B43HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 32 v				43 v	100 옴
BZT52B28JS-TP	-	RFQ	9575	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B28		200 MW	SOD-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 22 v				28 v	80 옴
UF4005GP-BP	0.0533	RFQ	7083	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4005	기준		DO-41	다운로드				353-UF4005GP-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
SM4004PLHE3-TP	0.0853	RFQ	3184	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SM4004	기준		SOD-123FL	다운로드				353-SM4004PLHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
ER3GBFL-TP	0.0625	RFQ	4837	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	er3g	기준		SMBF	다운로드				353-ER3GBFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 3 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	35pf @ 4V, 1MHz
MUR3040PT-BP	1.1835	RFQ	6525	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	MUR3040	기준		TO-247-3	다운로드				353-MUR3040PT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	400 v	15a	1.25 V @ 15 a	60 ns	100 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C
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SMD110HE-TP	-	RFQ	3240	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H	SMD110	Schottky		SOD-123HE	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 2 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MBR15U100-TP	0.4200	RFQ	7494	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	MBR15U	Schottky		TO-277	다운로드				353-MBR15U100-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 15 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
1EZ14D5-TP	0.0797	RFQ	1006	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ14		200 MW	DO-41	다운로드				353-1EZ14D5-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 10.6 v				14 v	12 옴
DZ23C12HE3-TP	0.3300	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C12		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-DZ23C12HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 음극 음극 공통							100 na @ 9 v				12 v	20 옴
SMAJ5952BHE3-TP	0.1215	RFQ	9762	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5952		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAJ5952BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 98.8 v				130 v	450 옴
SR5150L-BP	0.2273	RFQ	7900	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR5150	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR5150L-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		800 mV @ 5 a		10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
GS1B-LTP	0.1900	RFQ	40	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS1B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		짐		100 v		1 V @ 1 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4715-TP	-	RFQ	3242	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4715		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 100 ma		10 NA @ 27.3 v				36 v
SRA257GP-TP	-	RFQ	4955	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SRA	SRA257	기준		SRA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		짐		1000 v		1.1 v @ 25 a		25 µa @ 1000 v	-	25A	300pf @ 4V, 1MHz
10A01-AP	0.2463	RFQ	2927	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	R-6, 축,	10A01	기준		R-6	다운로드				353-10A01-AP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		50 v		1 V @ 10 a		10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	150pf @ 4V, 1MHz
1N4148WXHE3-TP	0.2100	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	1N4148	기준		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	25 na @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
MBRB10150-TP	0.5934	RFQ	3925	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB10150	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB10150-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		900 mV @ 10 a		500 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
AZ23B3V6HE3-TP	0.4400	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.94%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B3V6		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-AZ23B3V6HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통							5 µa @ 1 v				3.6 v	90 옴
MBR10100CT-BP	1.0100	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR1010	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	10A	850 mV @ 5 a		200 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C4V3L3P-TP	0.0360	RFQ	7965	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6.98%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	BZT52C4V3		100MW	2-DFN1006	다운로드				353-BZT52C4V3L3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v				4.3 v	90 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²