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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
10A04-BP	0.1623	RFQ	5686	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	R-6, 축,	10A04	기준		R-6	다운로드				353-10A04-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		400 v		1 V @ 10 a		10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	150pf @ 4V, 1MHz
1A4-TP	-	RFQ	9863	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1A4	기준		R-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		400 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SR808-AP	0.1755	RFQ	3842	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR808	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR808-AP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mV @ 8 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	165pf @ 4v, 1MHz
RL104-BP	0.0411	RFQ	6230	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	축	RL104	기준		A-405	다운로드				353-RL104-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		400 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5243C-TP	0.0218	RFQ	3856	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5243		500MW	SOD-123	다운로드				353-MMSZ5243C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.9 v				13 v	13 옴
FR307GP-BPC01	-	RFQ	7076	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	FR307	기준		Do-201ad	-				353-FR307GP-BPC01	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 3 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
MURSB1020CTA-TP	0.6042	RFQ	7298	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MURSB1020	기준		D2PAK	다운로드				353-MURSB1020CTA-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	1 V @ 5 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
AZ23C10HE3-TP	0.0721	RFQ	7968	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C10		300MW	SOT-23	다운로드				353-AZ23C10HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							200 na @ 7 v				10 v	20 옴
UG3DAFL-TP	0.5900	RFQ	20	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	UG3D	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		930 MV @ 3 a	30 ns	2 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
SMA2EZ56D5HE3-TP	0.1404	RFQ	7426	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ56		2 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMA2EZ56D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 42.6 v				56 v	55 옴
HER505GP-TP	0.1487	RFQ	5734	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	헤르 505	기준		Do-201ad	다운로드				353-Her505GP-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 5 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	100pf @ 4V, 1MHz
SM5819PL-TP-HF	-	RFQ	6656	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SM5819	Schottky		SOD-123FL	다운로드				353-SM5819PL-TP-HF	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		530 mv @ 1 a		100 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5375BHE3-TP	0.2360	RFQ	2562	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5375		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5375BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 62.2 v				82 v	65 옴
MBRB10100CTH-TP	0.7049	RFQ	5059	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB10100	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB10100CTH-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	10A	800 mV @ 5 a		50 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SK34AHE3-LTP	0.3600	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK34	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SK34E3-LTPCT	귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
mur860-bp	0.3749	RFQ	2211	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	mur860	기준		TO-220AC	다운로드				353-MUR860-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.5 v @ 8 a	50 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
MURS2020CTA-BP	0.6300	RFQ	1940	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MURS2020	기준		TO-220AB	다운로드				353-MURS2020CTA-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	20A	1 V @ 10 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
MURS1620CTA-BP	1.0600	RFQ	1450	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MURS1620	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	16A	1 V @ 8 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR740-BP	0.3300	RFQ	5104	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR740	Schottky		TO-220AC	다운로드				353-MBR740-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v				100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	7.5A	400pf @ 4V, 1MHz
MBRBL40100CT-TP	1.9000	RFQ	800	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRBL40100	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MBRBL40100CT-TPTR	귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	40a	710 MV @ 20 a		80 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRB2540CT-TP	0.7049	RFQ	9159	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB2540	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB2540CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	40 v	30A	820 MV @ 30 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR1030FCT-BP	0.3126	RFQ	8268	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR1030	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBR1030FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐	1 음극 음극 공통	30 v	10A			100 µa @ 30 v	-50 ° C ~ 150 ° C
BZT52C56S-TP	0.0488	RFQ	7752	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C56		200 MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52C56S-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		50 NA @ 39.2 v				56 v	200 옴
SF45G-TP	-	RFQ	2638	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF45	기준		Do-201ad	-				353-SF45G-TPTR	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.27 V @ 4 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	4a	30pf @ 4V, 1MHz
S10KL-TP	0.2044	RFQ	2673	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S10K	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		800 v				10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MF200DU06FJ-BP	34.2900	RFQ	25	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	SOT-227-4	MF200DU06	기준		FJ/SOT-227	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	600 v	100A	1.4 V @ 100 a	105 ns	500 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MBRB850-TP	0.5639	RFQ	8255	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB850	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB850-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		750 MV @ 8 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
SMA2EZ19D5HE3-TP	0.1404	RFQ	6436	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ19		2 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMA2EZ19D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 14.4 v				19 v	11 옴
2EZ16D5-TP	0.4100	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ16		2 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 12.2 v				16 v	8 옴
SS210Q-LTP	0.4100	RFQ	2564	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		800 mV @ 2 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	62pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²