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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZT52B6V8S-TP	-	RFQ	8898	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2.06%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B6		200 MW	SOD-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 3 v						6.8 v	8 옴
1N5400GP-TP	0.1632	RFQ	1117	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5400	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		짐		50 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
PB34-BP	-	RFQ	5019	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, PB-3	PB34	기준		PB-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,600						1.2 v @ 1.5 a		10 µa @ 400 v		3 a		단일 단일	400 v
2EZ17D5-TP	-	RFQ	6011	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ17		2 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2EZ17D5-TPMSTR	귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 13 v						17 v	9 옴
SMBJ5371C-TP	-	RFQ	3979	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5371		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5371C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		500 NA @ 45.5 v						60 v	40
DR7510-TP	0.3816	RFQ	5240	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	DR7510	기준		R-6	다운로드				353-DR7510-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		1000 v		1.1 v @ 6 a		10 µa @ 1000 v	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
SD103AX-TP-HF	-	RFQ	9608	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523	SD103	Schottky		SOD-523	다운로드				353-SD103AX-TP-HF	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	350ma	50pf @ 0V, 1MHz
MBRL3045FCT-BP	0.4126	RFQ	3023	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBRL3045	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBRL3045FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	30A	550 mV @ 15 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
GBU2510-BP	0.5552	RFQ	9666	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU2510	기준		GBU	다운로드				353-GBU2510-BP	귀 99	8541.10.0080	1						1 V @ 12.5 a		10 µa @ 1000 v		25 a		단일 단일	1kv
DL5227B-TP	-	RFQ	1029	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5227		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.1 v @ 200 ma		15 µa @ 1 v						3.6 v	24 옴
SMBJ5937BHE3-TP	0.1549	RFQ	5881	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5937		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5937BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 25.1 v						33 v	33 옴
FS2BFL-TP	0.0560	RFQ	8867	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	FS2B	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-FS2BFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
SD101AWSHE3-TP	0.3800	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	SD101	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SD101AWSHE3-TPTR	귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		60 v		1 V @ 15 ma	1 ns	200 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15MA	2pf @ 0V, 1MHz
SK156-TP	-	RFQ	2117	마이크로 마이크로 공동	SK	대부분	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK156	Schottky		DO-214AB (HSMC)	다운로드	Rohs3 준수			353-SK156-TP	쓸모없는		1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		850 mV @ 15 a		1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15a	500pf @ 4V, 1MHz
MBR1090F-BP	0.3252	RFQ	9857	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	MBR109	Schottky		ITO-220AC	다운로드				353-MBR1090F-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		850 mv @ 10 a		500 µa @ 90 v	-50 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SR5150H-BP	0.2222	RFQ	6236	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR5150	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-sr5150h-bp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		850 mV @ 5 a		500 NA @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	-
MMSZ5250BHE3-TP	0.3200	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5250		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v						20 v	25 옴
RL101-BP	0.0397	RFQ	4161	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	축	RL101	기준		A-405	다운로드				353-RL101-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		50 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
AZ23C5V1W-TP	0.0721	RFQ	8784	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-	표면 표면	SC-70, SOT-323	AZ23C5V1		200 MW	SOT-323	다운로드				353-AZ23C5V1W-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							100 NA @ 800 MV						5.1 v	60 옴
10A01-AP	0.2463	RFQ	2927	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	R-6, 축,	10A01	기준		R-6	다운로드				353-10A01-AP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		50 v		1 V @ 10 a		10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	150pf @ 4V, 1MHz
AZ23B3V6HE3-TP	0.4400	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.94%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B3V6		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-AZ23B3V6HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통							5 µa @ 1 v						3.6 v	90 옴
AZ23B22HE3-TP	0.0832	RFQ	5382	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B22		300MW	SOT-23	다운로드			영향을받지 영향을받지	353-AZ23B22HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							100 na @ 15.4 v						22 v	55 옴
AZ23C16W-TP	0.0721	RFQ	6331	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-	표면 표면	SC-70, SOT-323	AZ23C16		200 MW	SOT-323	다운로드				353-AZ23C16W-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							100 na @ 12 v						16 v	40
SRA257GP-TP	-	RFQ	4955	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SRA	SRA257	기준		SRA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		짐		1000 v		1.1 v @ 25 a		25 µa @ 1000 v	-	25A	300pf @ 4V, 1MHz
MBR10100CT-BP	1.0100	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR1010	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	10A	850 mV @ 5 a		200 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MD70A18D1-BP	33.9620	RFQ	6275	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준	MD70	기준		D1	다운로드				353-MD70A18D1-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐	1 연결 연결 시리즈	1800 v	70A	1.3 V @ 200 a		5 ma @ 1800 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MB84	-	RFQ	7914	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, BR-6	MB84	기준		BR-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MB84ms	귀 99	8541.10.0080	1						1.1 v @ 4 a		10 µa @ 400 v		8 a		단일 단일	400 v
DZW10500-02-BP	179.2000	RFQ	9774	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	DO-200AB, BPUK	DZW10500	기준		-	다운로드		1 (무제한)		353-DZW10500-02-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		200 v		1.01 V @ 5000 a		5 ma @ 200 v	-40 ° C ~ 180 ° C	10500A	-
BZT52C4V3L3P-TP	0.0360	RFQ	7965	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6.98%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	BZT52C4V3		100MW	2-DFN1006	다운로드				353-BZT52C4V3L3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v						4.3 v	90 옴
SMA3EZ15D5-TP	-	RFQ	6260	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA3EZ15		3 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA3EZ15D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 11.4 v						15 v	5.5 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²