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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MUR1020CTB-BP	0.4261	RFQ	5416	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3	mur1020	기준		TO-220AB	-				353-MUR1020CTB-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	1.18 V @ 5 a	25 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SF21G-TP	0.0592	RFQ	1772	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF21	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	60pf @ 4V, 1MHz
3SMBJ5940BHE3-TP	0.1613	RFQ	6694	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5940		3 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드				353-3SMBJ5940BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 32.7 v				43 v	53
MMBZ5235B-TP	0.0306	RFQ	3724	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5235		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 100 ma		3 µa @ 5 v				6.8 v	5 옴
BZX584B20-TP	0.0381	RFQ	5261	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v				20 v	55 옴
mur3060pth-bp	2.9500	RFQ	923	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	MUR3060	기준		TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MUR3060pth-BP	귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	30A	1.6 V @ 15 a	115 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C
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BZX584B12HE3-TP	0.3400	RFQ	8	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZX584B12HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v				12 v	25 옴
3SMBJ5936B-TP	0.4400	RFQ	15	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5936		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 22.8 v				30 v	28 옴
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SL22PL-TP	0.4100	RFQ	5311	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SL22	Schottky		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		420 MV @ 2 a		1 ma @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
GS1B-TP	-	RFQ	5613	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS1B	기준		DO-214AC (HSMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		100 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
FR2MBFL-TP	0.0488	RFQ	9719	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	FR2M	기준		SMBF	다운로드				353-FR2MBFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	11pf @ 4V, 1MHz
SMA2EZ15D5-TP	-	RFQ	8809	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ15		2 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA2EZ15D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 11.4 v				15 v	7 옴
SF34-TP	-	RFQ	6901	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF34	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	100pf @ 4V, 1MHz
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3SMBJ5955BHE3-TP	0.1613	RFQ	1558	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5955		3 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드				353-3SMBJ5955BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 136.8 v				180 v	900 옴
UF5405GP-AP	-	RFQ	4713	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UF5405	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		500 v			75 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
1N5361C-TP	-	RFQ	2388	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5361		5 w	DO-15	-				353-1N5361C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 20.6 v				27 v	5 옴
MF200K06F4-BP	-	RFQ	2234	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	f4 모듈	MF200K06	기준		F4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-1142-MF200K06F4-BP	귀 99	8541.10.0080	12		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	600 v	100A	1.15 V @ 100 a	105 ns	500 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
SB260-AP	0.0721	RFQ	9272	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB260	Schottky		DO-15	다운로드				353-SB260-AP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	140pf @ 4V, 1MHz
GS1AE-TP	-	RFQ	5605	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS1A	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	6,000		짐		50 v			2 µs	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4746AP-AP	0.0797	RFQ	6424	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4746		1 W.	DO-41	다운로드				353-1N4746AP-AP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 13.7 v				18 v	20 옴
SMB3EZ68D5-TP	-	RFQ	8135	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ68		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ68D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 51.7 v				68 v	70 옴
BZT52C3V6-TP	0.1200	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C3V6		200 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				3.6 v	90 옴
1N4732A-TP	-	RFQ	3414	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4732		1 W.	DO-41G	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v				4.7 v	8 옴
SF33G-TP	-	RFQ	1514	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF33	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
MMBD4148cc-TP	0.1500	RFQ	101	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD4148	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	75 v	200ma	1 V @ 10 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C3V3-TP-HF	-	RFQ	9722	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6.06%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C3V3		500MW	SOD-123	다운로드				353-BZT52C3V3-TP-HF	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				3.3 v	95 옴
DL4750A-TP	-	RFQ	2548	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	DL4750		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 20.6 v				27 v	35 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²