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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BAS28-TP	0.0964	RFQ	4061	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BAS28	기준		SOT-143	다운로드				353-BAS28-TP	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	85 v	215MA	1 V @ 50 ma	4 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SM4001PLHE3-TP	0.0853	RFQ	9181	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	SOD-123F	SM4001	기준		SOD-123FL	다운로드				353-SM4001PLHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	1 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
SS13HE3-LTP	0.0901	RFQ	7946	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS13	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SS13HE3-LTP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 1 a		100 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	52pf @ 4V, 1MHz
RM1800E-TP	-	RFQ	6668	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	RM1800	기준		DO-214AC (SMAE)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	6,000		짐		1800 v		2 v @ 500 ma		5 µa @ 1800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	30pf @ 4V, 1MHz
SR102-TP	-	RFQ	1875	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR102			DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-sr102-tptr	귀 99	8541.10.0080	5,000
murb15120c-tp	0.9832	RFQ	9226	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	murb15120	기준		D2PAK	다운로드				353-MUBR15120C-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1200 v		2.4 V @ 15 a	75 ns	10 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
R1500F-AP	-	RFQ	2094	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	R1500	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1500 v		2.4 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 1500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	30pf @ 4V, 1MHz
GS1JE-TPS06	-	RFQ	1261	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS1J	기준		SMA (DO-214AC)	-				353-GS1JE-TPS06TR	귀 99	8541.10.0080	1		짐		600 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SMLJ60S4-TP	0.2767	RFQ	5413	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	smlj60	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-SMLJ60S4-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		400 v		1 V @ 6 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
BZT52C16LS-TP	0.0355	RFQ	7475	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C16		200 MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52C16LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 11.2 v				16 v	40
FR202GP-AP	-	RFQ	4750	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR202	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
S3DB-TP	0.4800	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S3D	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		200 v		1.15 V @ 3 a		10 µa @ 200 v	-	3A	-
MBR0540L-TP	0.3300	RFQ	26	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	MBR0540	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		510mV @ 500 mA		20 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	500ma	170pf @ 0V, 1MHz
MUR405GP-BP	0.2581	RFQ	9988	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	MUR405	기준		Do-201ad	다운로드				353-MUR405GP-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 4 a	45 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	80pf @ 4V, 1MHz
SMD1150PLHE3-TP	0.4400	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SMD1150	Schottky		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		850 mv @ 1 a		10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	30pf @ 4V, 1MHz
MBR30200FCT-BP	0.5700	RFQ	9041	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR30200	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBR30200FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	30A	1.05 V @ 30 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
10A01GP-TP	0.2141	RFQ	9602	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	10A01	기준		R-6	다운로드				353-10A01GP-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		50 v		1.2 v @ 10 a		10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	150pf @ 4V, 1MHz
SM5395PL-TP	0.0426	RFQ	7907	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SM5395	기준		SOD-123FL	다운로드				353-SM5395PL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		400 v		1.1 v @ 1.5 a	4 µs	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	11pf @ 4V, 1MHz
smaz30he3-tp	0.1150	RFQ	7063	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz30		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAZ30HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 22.8 v				30 v	15 옴
SS14-LTP-HF	0.0572	RFQ	3123	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SS14-LTP-HF	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	52pf @ 4V, 1MHz
SMD315PL-TP	0.0890	RFQ	4920	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SMD315	Schottky		SOD-123FL	다운로드				353-SMD315PL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		900 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	65pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5237C-TP	0.0218	RFQ	4844	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5237		500MW	SOD-123	다운로드				353-MMSZ5237C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6 v				8.2 v	8 옴
DZ23C24HE3-TP	0.3300	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C24		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-DZ23C24HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 음극 음극 공통							100 na @ 18 v				24 v	80 옴
SMBJ5349B-TP	0.4800	RFQ	45	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5349		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 1 a		2 µA @ 9.1 v				12 v	2.5 옴
BZX584C6V2HE3-TP	0.0515	RFQ	5979	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 6.45%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584C6V2HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		3 µa @ 4 v				20 v	10 옴
BZT52B47LS-TP	0.0355	RFQ	6181	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2.49%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B47		200 MW	SOD-323FL	다운로드				353-BZT52B47LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1								100 na @ 36 v				47 v	170 옴
SMA2EZ20D5HE3-TP	0.1404	RFQ	1282	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ20		2 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMA2EZ20D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 15.2 v				20 v	11 옴
SF31G-AP	0.1119	RFQ	2881	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF31	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
SS18E-TP	-	RFQ	6526	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS18	Schottky		smae	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SS18E-TPTR	귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mv @ 1 a		10 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	30pf @ 4V, 1MHz
1N4948GP-AP	-	RFQ	5639	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4948	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²