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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
R2000FGP-TP	0.4400	RFQ	32	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	R2000	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		2000 v			500 ns	5 µa @ 2000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	30pf @ 4V, 1MHz
BZT52B7V5JS-TP	0.0592	RFQ	3374	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B7		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v				7.5 v	15 옴
1N5358C-TP	-	RFQ	5311	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5358		5 w	DO-15	-				353-1n5358c-tp	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 16.7 v				22 v	3.5 옴
MBRB1645CT-TP	0.5639	RFQ	9443	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB1645	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB1645CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	16A	700 mv @ 8 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 125 ° C
SMBJ5932B-TP	0.0890	RFQ	4329	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5932		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5932B-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 15.2 v				20 v	14 옴
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MMBD4148WTHE3-TP	0.2000	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	MMBD4148	기준		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-mmbd4148wthe3-tptr	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
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BZT52C6V2HE3-TP	0.2400	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C6V2		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZT52C6V2HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 4 v				6.2 v	10 옴
BZX584C5V1HE3-TP	0.0515	RFQ	8814	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5.88%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584C5V1HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v				20 v	60 옴
MBRB8100H-TP	0.6445	RFQ	4126	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB8100	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB8100H-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		750 MV @ 8 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	-
BZX584C22HE3-TP	0.3400	RFQ	16	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.68%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZX584C22HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v				22 v	55 옴
SK54AHE3-LTP	0.4500	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK54	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 5 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	200pf @ 4V, 1MHz
SL34PL-TP	0.1464	RFQ	9353	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SL34	Schottky		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		450 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N4942-AP	-	RFQ	1802	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4942	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SK26-LTP	0.0618	RFQ	1640	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK26	Schottky		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SK26-LTPMSTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
MMXZ5237C-TP	0.0488	RFQ	2961	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 1.95%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5237		200 MW	SOD-323	다운로드				353-MMXZ5237C-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mv @ 100 ma		3 µa @ 6 v				8.2 v	8 옴
SK1510-TP	-	RFQ	5109	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK1510	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 15 a		1 ma @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15a	500pf @ 4V, 1MHz
RL201GP-TP	0.0500	RFQ	7089	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	RL201	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	짐		50 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
MBRB15100CT-TP	0.6167	RFQ	2680	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB15100	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB15100CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	15a			1 ma @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
RM1200E-TP	-	RFQ	1128	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	RM1200	기준		DO-214AC (SMAE)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	6,000	짐		1200 v		2 v @ 500 ma		5 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	30pf @ 4V, 1MHz
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1N5928BP-AP	0.0921	RFQ	5360	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5928		1.5 w	DO-41	다운로드				353-1n5928bp-AP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 9.9 v				13 v	7 옴
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1EZ240D5-TP	0.1245	RFQ	6989	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ240		500MW	DO-41	다운로드				353-1EZ240D5-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 182.4 v				240 v	1800 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²