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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
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KBP404G-BP	0.2306	RFQ	4268	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBP	KBP404	기준		GBP	다운로드	353-KBP404G-BP	귀 99	8541.10.0080	1					1.05 V @ 2 a		10 µa @ 400 v		4 a		단일 단일	400 v
LMB4S-TP	0.1086	RFQ	1480	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	LMB4	기준		LMBS-1	다운로드	353-LMB4S-TP	귀 99	8541.10.0080	1					950 mV @ 400 mA		5 µa @ 400 v		1 a		단일 단일	400 v
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SK3200-TP-HF	-	RFQ	7643	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK3200	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	353-SK3200-TP-HF	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		860 MV @ 3 a		500 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
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GBJA801-BP	0.4399	RFQ	1274	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, JA	GBJA801	기준		자	다운로드	353-GBJA801-BP	귀 99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 4 a		10 µa @ 100 v		8 a		단일 단일	100 v
BZT52B3V6T-TP	0.0371	RFQ	8585	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52B3		200 MW	SOD-523	다운로드	353-BZT52B3V6T-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						3.6 v	90 옴
SD103CWSL-TP	0.0355	RFQ	5554	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	SD103	Schottky		SOD-323FL	다운로드	353-SD103CWSL-TP	귀 99	8541.10.0070	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	350ma	50pf @ 0V, 1MHz
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SMAJ5932BHE3-TP	0.1215	RFQ	9546	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5932		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	353-SMAJ5932BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 15.2 v						20 v	14 옴
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SLMB6S-TP	0.1086	RFQ	3603	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	SLMB6	기준		LMBS-1	다운로드	353-SLMB6S-TP	귀 99	8541.10.0080	1					1.7 V @ 500 MA		10 µa @ 600 v		1 a		단일 단일	600 v
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MBL1S-TP	0.0886	RFQ	7980	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	MBL1	기준		MBLS-1	다운로드	353-MBL1S-TP	귀 99	8541.10.0080	1					1 V @ 400 mA		10 µa @ 100 v		500 MA		단일 단일	100 v
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SMAJ4746EHE3-TP	0.1150	RFQ	5300	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4746		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	353-SMAJ4746AHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 100 ma		5 µa @ 13.7 v						18 v	20 옴
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MBL10S-TP	0.0886	RFQ	9752	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	MBL10	기준		MBLS-1	다운로드	353-MBL10S-TP	귀 99	8541.10.0080	1					1 V @ 400 mA		10 µa @ 1000 v		500 MA		단일 단일	1kv
S5ALHE3-TP	0.1643	RFQ	3987	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5AL	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	353-S5ALHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.15 V @ 5 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	40pf @ 4V, 1MHz
3SMBJ5933BHE3-TP	0.1613	RFQ	7534	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5933		3 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드	353-3SMBJ5933BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 16.7 v						22 v	17.5 옴
TBS22B-TP	0.1227	RFQ	5093	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	4-SMD,, 리드	TBS22	기준		4-TB	다운로드	353-TBS22B-TP	귀 99	8541.10.0080	1					950 MV @ 2 a		5 µa @ 100 v		2.2 a		단일 단일	100 v
MBRB20100CTH-TP	0.7653	RFQ	9829	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB20100	Schottky		D2PAK	다운로드	353-MBRB20100CTH-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A	800 mV @ 10 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
MMXZ5246C-TP	0.0488	RFQ	1727	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5246		200 MW	SOD-323	다운로드	353-MMXZ5246C-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mv @ 100 ma		100 na @ 12 v						16 v	17 옴
SR545L-TP	0.1617	RFQ	2817	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR545	Schottky		Do-201ad	다운로드	353-SR545L-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		490 mV @ 5 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	320pf @ 4V, 1MHz
DB203-BP	0.1230	RFQ	4019	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)	DB203	기준		DB-1	다운로드	353-DB203-BP	귀 99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 2 a		10 µa @ 200 v		2 a		단일 단일	200 v
BZT52C12LS-TP	0.0355	RFQ	4213	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C12		200 MW	SOD-323	다운로드	353-BZT52C12LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						12 v	25 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²