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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
FR605-AP	-	RFQ	4108	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	FR605	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	450		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 6 a	250 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
MD120K16D1-BP	42.3700	RFQ	20	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	D1	MD120	기준		D1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MD120K16D1-BPMS	귀 99	8541.10.0080	100		짐	1 음극 음극 공통	1600 v	120a	1.35 V @ 300 a		6 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
SR106-TP	0.0474	RFQ	9275	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR106	Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
1N5241B-TP	-	RFQ	4562	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5241		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 8.4 v						11 v	22 옴
MMSZ4697-TP	0.1200	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4697		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						950 mV @ 10 ma		1 µa @ 7.6 v						10 v
HER603GP-TP	0.4120	RFQ	3421	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	HER603	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.1 v @ 6 a	50 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
1N4744AP-TP	0.0806	RFQ	8548	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4744		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1n4744ap-tptr	귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 11.4 v						15 v	14 옴
BZX584B3V3-TP	0.0381	RFQ	6145	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.12%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						3.3 v	95 옴
SRA255-TP	-	RFQ	4263	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SRA	SRA255	기준		SRA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		짐		600 v		1.1 v @ 25 a		25 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	25A	300pf @ 4V, 1MHz
SL54-TP	0.7000	RFQ	31	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SL54	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		450 mV @ 5 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
1N4701-TP	-	RFQ	9610	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4701		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 100 ma		50 na @ 10.6 v						14 v
MMSZ4691-TP	0.1200	RFQ	30	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4691		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						950 mV @ 10 ma		10 µa @ 5 v						6.2 v
SK13-LTP	0.2700	RFQ	27	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK13	Schottky		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	130pf @ 4V, 1MHz
RL105-N-0-3-AP	-	RFQ	2727	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	축	RL105	기준		A-405	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		RL105-N-0-3-APMS	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		600 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SMB3EZ19D5-TP	-	RFQ	2487	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ19		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ19D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 14.4 v						19 v	7 옴
FR3K-TP	0.2306	RFQ	1852	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	FR3K	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-FR3K-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 3 a	500 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
DZ23C6V8-TP	0.2700	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C6V8		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 음극 음극 공통							100 na @ 3 v						6.8 v	8 옴
smaz20he3-tp	0.1150	RFQ	3478	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz20		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAZ20HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 15.2 v						20 v	15 옴
RA253-BP	-	RFQ	5648	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	라	RA253	기준		라	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		짐		200 v		1.1 v @ 25 a	3 µs	5 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 150 ° C	25A	300pf @ 4V, 1MHz
MBR870-BP	0.2988	RFQ	7498	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR870	Schottky		TO-220AC	다운로드				353-MBR870-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		70 v		850 mV @ 8 a		150 µa @ 70 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	280pf @ 4V, 1MHz
SK1535-TP	-	RFQ	9601	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK1535	Schottky		DO-214AB (HSMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		35 v		550 mV @ 15 a		1 ma @ 35 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15a	500pf @ 4V, 1MHz
1H4G-TP	-	RFQ	6298	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1H4G	기준		R-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
MBRD10200CTS-TP	0.3786	RFQ	5888	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD10200	Schottky		DPAK (TO-252)	다운로드			영향을받지 영향을받지	353-MBRD10200CTS-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	930 MV @ 5 a		10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BR101-BP	0.8250	RFQ	1333	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, PB-6	BR101	기준		PB-6	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,600						1.1 v @ 5 a		10 µa @ 100 v		10 a		단일 단일	100 v
DL5267B-TP	-	RFQ	5015	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5267		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 56 v						75 v	270 옴
ER3CB-TP	0.0927	RFQ	6153	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	er3c	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-er3cb-tp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
SF25G-BP	0.0873	RFQ	4855	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF25	기준		DO-15	다운로드				353-SF25G-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
GBPC2501-BP	2.7300	RFQ	400	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, GBPC	GBPC2501	기준		GBPC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400						1.1 v @ 12.5 a		5 µa @ 100 v		25 a		단일 단일	100 v
GBL206-BP	0.2250	RFQ	4257	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBL	GBL206	기준		GBL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,400						1.05 V @ 1 a		10 µa @ 600 v		2 a		단일 단일	600 v
SF36G-TP	0.1261	RFQ	3325	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF36	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.27 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²