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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	전류에 전류에 된 결합 결합 - 리버스 누출 @ vr	전압에 전압에 - 결합 (vf) (max) @ if
HER603-TP	-	RFQ	1031	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	HER603	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q4022195	귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.1 v @ 6 a	50 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
BZT52C9V1T-TP	0.2700	RFQ	7	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C9V1		100MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v				9.1 v	15 옴
MMSZ5230BHE3-TP	0.3200	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5230		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v				4.7 v	19 옴
MBRX140-TP	-	RFQ	9784	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123	MBRX140	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 1 a		300 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
DFLZ7V5-TP	0.0494	RFQ	5246	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	DFLZ7V5		1 W.	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v				7.5 v	2 옴
MMSZ4697-TP	0.1200	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4697		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					950 mV @ 10 ma		1 µa @ 7.6 v				10 v
BZX784C33-TP	-	RFQ	2773	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.06%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-723	BZX784C33		150 MW	SOD-723	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23.1 v				33 v	80 옴
MMBD4448HT-TP	0.1800	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	MMBD4448	기준		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	100 na @ 70 v	150 ° C (°)	250ma	3.5pf @ 6V, 1MHz
BA157-TP	-	RFQ	3498	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BA157	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SRA503GP-TP	-	RFQ	6267	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SRA	SRA503	기준		SRA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1	짐		200 v		1 V @ 25 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	50a	100pf @ 4V, 1MHz
FR604-AP	-	RFQ	3935	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	FR604	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	450	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 6 a	150 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
US1ME-TP	0.3800	RFQ	6592	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1M	기준		smae	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
ES1K-TP	-	RFQ	6448	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1K	기준		DO-214AC (HSMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)				1.7		5	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-			800	1
S3A-TP	0.4800	RFQ	7182	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3A	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		50 v		1.2 v @ 3 a		10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SM4937A-TP	-	RFQ	5845	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	SM4937	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v			200 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BZX584C24HE3-TP	0.0515	RFQ	4049	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5.83%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584C24HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		100 na @ 16.8 v				20 v	70 옴
MUR110-TP	-	RFQ	4945	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	MUR110	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		975 MV @ 1 a	45 ns	5 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
RL255M-TP	-	RFQ	3364	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	RL255	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	4,000	짐		600 v		1 V @ 2.5 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2.5A	35pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5368B-TP	0.4800	RFQ	9	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5368		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 35.8 v				47 v	25 옴
US2GA-TP	0.4800	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US2G	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.4 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
FR3A-TP	0.2306	RFQ	3856	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	FR3A	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-FR3A-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
HER104G-AP	0.0474	RFQ	7823	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER104	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
BZT52B5V8JS-TP	-	RFQ	4101	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.07%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B5		200 MW	SOD-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 1.5 v				5.8 v	30 옴
MBRB30100CT-TP	0.7049	RFQ	5145	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB30100	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB30100CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	30A	850 mV @ 15 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZV55C16-TP	-	RFQ	3980	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C16		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 12 v				16 v	40
1N4748AP-TP	0.0806	RFQ	5101	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4748		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-1n4748ap-tptr	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 16.7 v				22 v	23 옴
SR104-TP	-	RFQ	9061	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR104			DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-sr104-tptr	귀 99	8541.10.0080	5,000
SMA2EZ36D5-TP	-	RFQ	8115	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ36		2 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA2EZ36D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 27.4 v				36 v	25 옴
SM4935-TP	-	RFQ	4819	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	SM4935	기준		DO-214AC (HSMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v			200 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
HER102G-AP	0.0406	RFQ	9046	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER102	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²