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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BAV70M-TP	0.3800	RFQ	7	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-723	bav70	기준		SOT-723	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	8,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	75 v	200ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
FR601GP-AP	-	RFQ	1018	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	FR601	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	450		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 V @ 6 a	150 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
1N5919B3P-TP	0.1505	RFQ	7379	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5919		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5919B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v						5.6 v	2 옴
ER3K-TP	0.4800	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	ER3K	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
SMB2EZ27D5HE3-TP	0.1501	RFQ	1937	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ10		2 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMB2EZ27D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 20.6 v						27 v	18 옴
MURSD540A-TP	0.2459	RFQ	5080	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MURSD540	기준		DPAK (TO-252)	다운로드				353-MURSD540A-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 5 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	35pf @ 4V, 1MHz
SB2150-TP	0.0703	RFQ	2079	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB2150	Schottky		DO-15	다운로드				353-SB2150-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 2 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	65pf @ 4V, 1MHz
SMA2EZ11D5HE3-TP	0.1404	RFQ	7117	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ11		2 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMA2EZ11D5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 8.4 v						11 v	4 옴
HER307-AP	-	RFQ	5412	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER307	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
SS24Q-LTP	0.4000	RFQ	5880	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드		1 (무제한)					5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 2 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	115pf @ 4V, 1MHz
BAS116-TP	0.1800	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS116	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	2pf @ 0V, 1MHz
SMAJ4743AHE3-TP	0.1150	RFQ	3569	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4743		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAJ4743AHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 100 ma		5 µa @ 9.9 v						13 v	10 옴
1N4687-TP	-	RFQ	6774	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4687		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 100 ma		4 µa @ 2 v						4.3 v
SMD24PL-TPS06	0.0959	RFQ	4067	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	smd24	Schottky		SOD-123FL	다운로드				353-SMD24PL-TPS06	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 2 a		100 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	210pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5255C-TP	0.0488	RFQ	4853	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5255		350 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBZ5255C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 100 ma		100 na @ 21 v						28 v	44 옴
FR155S-TP	-	RFQ	6113	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	FR155	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 1.5 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
DFLZ68-TP	0.0926	RFQ	1276	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	DFLZ68		1 W.	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 51.7 v						68 v	150 옴
RB500V-40-TP-HF	-	RFQ	8000	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	RB500V-40	Schottky		SOD-323	다운로드			영향을받지 영향을받지	353-RB500V-40-TP-HF	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		450 mV @ 10 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
SK310-TP	0.4500	RFQ	9	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK310	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 3 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
1N4751AW-TP	-	RFQ	1241	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	1N4751		1 W.	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	3,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v						30 v	40
BA157-AP	-	RFQ	8555	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BA157	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MD100K16D1-BP	42.3700	RFQ	10	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	D1	MD100	기준		D1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10		짐	1 음극 음극 공통	1600 v	100A	1.4 V @ 300 a		5 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
SMBJ5368CHE3-TP	-	RFQ	2747	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5368		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5368CHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 35.8 v						47 v	25 옴
LMB310S-TP	0.2166	RFQ	5517	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	LMB310	Schottky		LMBS-1	다운로드				353-LMB310S-TP	귀 99	8541.10.0080	1						850 MV @ 1.5 a		500 µa @ 100 v		3 a		단일 단일	100 v
DL4761A-TP	-	RFQ	7655	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	DL4761		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 56 v						75 v	175 옴
SMBJ5344C-TP	-	RFQ	3569	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5344		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5344C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 ma		10 µa @ 6.2 v						8.2 v	1.5 옴
SK32HE3-TP	0.1972	RFQ	1650	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK32	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-SK32HE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 3 a		100 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
AZ23C16-TP	0.0402	RFQ	8227	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C16		300MW	SOT-23	다운로드			영향을받지 영향을받지	353-AZ23C16-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							100 na @ 12 v						16 v	40
HER101G-TP	0.0649	RFQ	6697	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER101	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
BAT54SDW-TP	0.4500	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bat54	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 연결 연결 시리즈	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²