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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
RL101-N-2-2-BP	-	RFQ	9247	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	축	RL101	기준		A-405	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		RL101-N-2-2-BPMS	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		50 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N5399-TP	-	RFQ	4900	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5399	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	4,000	짐		1000 v		1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
DL5245B-TP	-	RFQ	8603	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5245		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 11 v						15 v	16 옴
BZT52C24-TP	0.1200	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C24		200 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 16.8 v						24 v	70 옴
BZX784C4V7-TP	-	RFQ	6969	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.38%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-723	BZX784C4V7		150 MW	SOD-723	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 2 v						4.7 v	80 옴
BAS21A-TP	0.1500	RFQ	58	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS21	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BAS21ATPMSTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	250 v	200MA (DC)	1.1 v @ 100 ma	50 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SF65G-AP	0.1461	RFQ	8233	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF65	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.3 V @ 6 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	90pf @ 4V, 1MHz
MD165A16D2-BP	161.0600	RFQ	80	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	D2	MD165A16	기준		D2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	80	짐	1 양극 양극 공통	1600 v	165a	1.4 V @ 300 a		9 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
DL5232B-TP	-	RFQ	6199	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5232		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v						5.6 v	11 옴
SMBJ5944BHE3-TP	0.1549	RFQ	6995	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5944		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5944BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 47.1 v						62 v	100 옴
RL253M-AP	-	RFQ	9564	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	RL253	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		200 v		1 V @ 2.5 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2.5A	35pf @ 4V, 1MHz
MD36A16D1-BP	39.5600	RFQ	10	마이크로 마이크로 공동	-	쟁반	활동적인			섀시 섀시	D1	MD36	기준		D1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10	짐	1 양극 양극 공통	1600 v	36a	1.4 V @ 100 a		5 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
FR2J-LTP	0.4000	RFQ	2247	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	FR2J	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 2 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
MUR120GP-AP	0.0736	RFQ	6413	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	MUR120	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.35 V @ 1 a	45 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
SK14-TP	-	RFQ	7751	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK14	Schottky		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
SIC1060PL8-TP	5.2700	RFQ	8693	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	4-powervsfn	SIC1060	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		DFN8080A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SIC1060PL8-TPTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.6 V @ 10 a	0 ns	44 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	452pf @ 0V, 1MHz
HER103-TP	-	RFQ	8141	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER103	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.1 v @ 1 a	50 ns	5 ma @ 200 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
BAS70-05-TP	0.2000	RFQ	280	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS70	Schottky		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	5 ns	200 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C
MBR1680FCT-BP	0.4650	RFQ	6707	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR1680	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBR1680FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	80 v	16A	850 mV @ 8 a		500 µa @ 80 v	-50 ° C ~ 125 ° C
MBRX140-TP	-	RFQ	9784	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123	MBRX140	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 1 a		300 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
BZX584B20HE3-TP	0.0515	RFQ	5890	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584B20HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v						20 v	55 옴
HER301-TP	-	RFQ	8801	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER301	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
BAS40V-TP	0.4400	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-563, SOT-666	BAS40	Schottky		SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 독립	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
gbu10m-bp	0.9500	RFQ	7	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU10	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20					1.1 v @ 5 a		5 µa @ 1000 v		10 a		단일 단일	1kv
BZT52C13HE3-TP	0.0426	RFQ	9169	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 6.54%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C13		500MW	SOD-123	다운로드				353-BZT52C13HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						13 v	30 옴
LLSD101B-TP	-	RFQ	2143	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LLSD101	Schottky		미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		50 v		950 mV @ 15 mA	1 ns	200 na @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15MA	-
MMSZ5223BHE3-TP	0.3200	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5223		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v						2.7 v	30 옴
BAV70M-TP	0.3800	RFQ	7	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-723	bav70	기준		SOT-723	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	75 v	200ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
ER2A-LTP	0.0783	RFQ	5157	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ER2A	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	er2a-ltpmstr	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
BZX84C22W-TP	0.0426	RFQ	9481	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84C22		200 MW	SOT-323	다운로드				353-BZX84C22W-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 100 ma		100 na @ 15.4 v						22 v	55 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²