RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZT52C68-TP	0.0355	RFQ	6076	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C68		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 51 v						68 v	200 옴
SK25HE3-LTP	0.0865	RFQ	5259	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK25	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SK25HE3-LTP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	700 mv @ 2 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	230pf @ 4V, 1MHz
MBR8U60-TP	0.7000	RFQ	11	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	mbr8u60	Schottky		TO-277	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	60 v	500 mV @ 8 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
GBU2506-BPC01	0.5210	RFQ	2952	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU2506	기준		GBU	다운로드				353-GBU2506-BPC01	귀 99	8541.10.0080	1			1 V @ 12.5 a		10 µa @ 600 v		25 a		단일 단일	600 v
SS13-TP	-	RFQ	4971	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS13	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	30 v	550 mV @ 1 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
1N5939B3P-TP	0.1102	RFQ	4162	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5939		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5939B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 29.7 v						39 v	45 옴
BZX84C8V2-TP	0.1200	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C8V2		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		700 na @ 5 v						8.2 v	15 옴
fr1a-ltp	0.0521	RFQ	2554	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	fr1a	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v		150 ns	5 µa @ 50 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N5941B3P-TP	0.1102	RFQ	5727	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5941		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5941B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 35.8 v						47 v	67 옴
3SMAJ5931BHE3-TP	0.1405	RFQ	3161	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5931		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-3SMAJ5931BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 13.7 v						18 v	12 옴
SFM15PL-TP	0.3300	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SFM15	기준		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	300 v	1.25 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
DL5231B-TP	-	RFQ	3111	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5231		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v						5.1 v	17 옴
MMSZ5262B-TP	0.1800	RFQ	7035	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5262		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MMSZ5262B-TPMSTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 39 v						51 v	125 옴
BZT52B36JS-TP	0.0592	RFQ	8215	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B36		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		45 NA @ 25.2 v						36 v	84 옴
smaz6v8-tp	0.4400	RFQ	355	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz6v8		1 W.	DO-214AC (SMAJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 4 v						6.8 v	2 옴
10A01-TP	0.2493	RFQ	2046	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	R-6, 축,	10A01	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	짐	50 v	1 V @ 10 a		10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	150pf @ 4V, 1MHz
RA505-BP	-	RFQ	4497	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	라	RA505	기준		라	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1	짐	600 v	1.1 v @ 50 a	3 µs	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	50a	300pf @ 4V, 1MHz
BZX84C8V2W-TP	0.0426	RFQ	8010	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84C8V2		200 MW	SOT-323	다운로드				353-BZX84C8V2W-TP	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 100 ma		700 na @ 5 v						8.2 v	15 옴
smaj4748ahe3-tp	0.1150	RFQ	5115	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4748		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAJ4748AHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 100 ma		5 µa @ 16.7 v						22 v	23 옴
BZX584B18HE3-TP	0.3400	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 12.6 v						18 v	45 옴
MBRD5100HL-TP	0.7700	RFQ	2310	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD5100	Schottky		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-1142-MBRD5100HL-TPCT	귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	730 MV @ 5 a		3.5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	-
6A8	-	RFQ	1514	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	6A8	기준		R-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	짐	800 v	950 MV @ 6 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	-
SM5819L2-TP	0.3200	RFQ	23	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)	SM5819	Schottky		2-DFN1006	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	600 mV @ 1 a		60 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	90pf @ 0V, 1MHz
RL102-N-0-2-BP	-	RFQ	3718	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	축	RL102	기준		A-405	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		RL102-N-0-2-BPMS	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐	100 v	1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SMD14HE-TP	-	RFQ	8466	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H	SMD14	Schottky		SOD-123HE	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
SK83L-TP	0.1916	RFQ	3223	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK83	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-SK83L-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	30 v	650 mV @ 8 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	400pf @ 4V, 1MHz
BZT52B12HE3-TP	0.2700	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B12		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZT52B12HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 9 v						12 v	20 옴
GS2M-LTP	0.2800	RFQ	21	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS2M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	짐	1000 v	1.1 v @ 2 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
SMA2EZ12D5-TP	-	RFQ	2676	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ12		2 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA2EZ12D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500			1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v						12 v	4.5 옴
R5000-AP	-	RFQ	2655	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	R5000	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	5000 v	5 v @ 200 ma		5 µa @ 5000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²