RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MMSZ5257B-TP	0.1800	RFQ	12	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5257		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v						33 v	58 옴
SMBJ5942B-TP	0.0890	RFQ	4744	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5942		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5942B-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 38.8 v						51 v	70 옴
RB521S-30dp-TP	0.3400	RFQ	340	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0201 (0603 메트릭)	RB521	Schottky		0201	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	RB521S-30DP-TPMSTR	귀 99	8541.10.0070	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		800 mv @ 100 ma		50 µa @ 30 v	125 ° C (°)	100ma	-
1N5244B-TP	-	RFQ	7277	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5244		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 10 v						14 v	15 옴
MMBZ5243C-TP	0.0488	RFQ	2665	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5243		350 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBZ5243C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 100 ma		500 NA @ 9.9 v						13 v	13 옴
1N5406GP-AP	0.1174	RFQ	3659	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5406	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		짐		600 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
1N4756AW-TP	-	RFQ	6995	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	1N4756		1 W.	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	3,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 35.8 v						47 v	80 옴
3SMAJ5933B-TP	0.3800	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5933		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 16.7 v						22 v	17.5 옴
MBRD10100CTS-TP	0.3381	RFQ	1084	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD10100	Schottky		DPAK (TO-252)	다운로드				353-MBRD10100CTS-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	10A	830 mv @ 5 a		10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C
SMB2EZ10D5-TP	-	RFQ	6992	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ10		2 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB2EZ10D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		3 µa @ 7.6 v						10 v	3.5 옴
BZX584C15-TP	0.0381	RFQ	6470	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584C15-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 10.5 v						15 v	30 옴
SS12HE3-LTP	0.0901	RFQ	9734	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS12	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SS12HE3-LTP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 1 a		100 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	52pf @ 4V, 1MHz
BZT52C12-TP	0.1200	RFQ	110	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C12		200 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						12 v	25 옴
3SMBJ5956BHE3-TP	0.1613	RFQ	1156	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5956		3 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드				353-3SMBJ5956BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 152 v						200 v	1200 옴
BZT52C39-TP	0.1200	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C39		200 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 27.3 v						39 v	130 옴
1N5395GP-AP	0.0583	RFQ	6972	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5395	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		400 v		1.4 V @ 1.5 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
SDB204-TP	0.5800	RFQ	9392	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	SDB204	기준		SDB-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500						1.2 v @ 2 a		10 µa @ 400 v		2 a		단일 단일	400 v
MBRL40100FCT-BP	1.9800	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBRL40100	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MBRL40100FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	40a	710 MV @ 20 a		80 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5395-TP	-	RFQ	3700	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5395	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	4,000		짐		400 v		1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
FR157GP-TP	0.0616	RFQ	3270	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR157	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 1.5 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
BZT52C11HE3-TP	0.0426	RFQ	3242	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5.45%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C11		500MW	SOD-123	다운로드				353-BZT52C11HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						11 v	20 옴
SMB3EZ36D5-TP	-	RFQ	1857	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ36		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ36D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 27.4 v						36 v	22 옴
AZ23C4V7-TP-HF	-	RFQ	4326	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C4V7		300MW	SOT-23	다운로드				353-AZ23C4V7-TP-HF	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통													4.7 v	78 옴
SMA3EZ47D5-TP	-	RFQ	9783	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA3EZ47		3 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA3EZ47D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 35.6 v						47 v	38 옴
1N4109-TP	-	RFQ	2937	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4109		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		50 na @ 11.4 v						15 v	100 옴
MBRL40120FCT-BP	0.8491	RFQ	7061	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBRL40120	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBRL40120FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	120 v	40a	850 mv @ 20 a		100 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B8V2JS-TP	0.0592	RFQ	2179	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.95%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B8		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		700 na @ 5 v						8.2 v	15 옴
BZT52C5V6L3P-TP	0.0360	RFQ	8592	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 7.14%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	BZT52C5V6		100MW	2-DFN1006	다운로드				353-BZT52C5V6L3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		1 µa @ 2 v						5.6 v	40
3SMAJ5944BHE3-TP	0.1405	RFQ	7728	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	3SMAJ5944		3 w	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-3SMAJ5944BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 47.1 v						62 v	100 옴
SD103AW-TP	0.2000	RFQ	127	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	SD103	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	350ma	50pf @ 0V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²