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다이오드 (8181)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SMBJ5949BHE3-TP	0.1549	RFQ	4136	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5949		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SMBJ5949BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 76 v				100 v	250 옴
SR1010-BP	0.0758	RFQ	6748	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR1010	Schottky		DO-41	다운로드				353-sr1010-bp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
SK154-TP	-	RFQ	3089	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK154	Schottky		DO-214AB (HSMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 15 a		1 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15a	500pf @ 4V, 1MHz
DL5224B-TP	-	RFQ	5437	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	DL5224		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.1 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v				2.8 v	30 옴
MBRB20200CTH-TP	0.7653	RFQ	8473	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB20200	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB20200CTH-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	20A	900 mV @ 10 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
DZ23C10HE3-TP	0.3300	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C10		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 음극 음극 공통							100 na @ 7.5 v				10 v	15 옴
AZ23C47-TP	0.0426	RFQ	8154	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C47		300MW	SOT-23	다운로드				353-AZ23C47-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							100 na @ 35 v				47 v	100 옴
MMSZ5242C-TP	0.0218	RFQ	1307	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5242		500MW	SOD-123	다운로드				353-MMSZ5242C-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		2 µA @ 9.1 v				12 v	30 옴
SMD16PLQ-TP	0.3900	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123FL	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	75pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5383CHE3-TP	-	RFQ	8093	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5383		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5383CHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 114 v				150 v	330 옴
ER5C-TP	0.1972	RFQ	7582	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	er5c	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-er5c-tp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1 V @ 5 a	35 ns	10 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 150 ° C	5a	100pf @ 4V, 1MHz
UF4002GP-AP	0.0408	RFQ	1277	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4002	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
US5A-TP	0.0954	RFQ	4031	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	US5A	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-US5A-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 5 a	50 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
HER304G-AP	-	RFQ	9211	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER304	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		950 MV @ 3 a	50 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
BAV199HE3-TP	0.2700	RFQ	682	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV199	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BAV199HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0070	3,000		짐	1 연결 연결 시리즈	85 v	215MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C
S10ML-TP	0.5800	RFQ	32	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S10M	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		1000 v		1.2 v @ 10 a		10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
3SMBJ5926B-TPS02	0.2439	RFQ	7795	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5926		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-3SMBJ5926B-TPS02	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 8.4 v				11 v	5.5 옴
BZT52C16L3P-TP	0.0360	RFQ	1342	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5.63%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	BZT52C16		100MW	2-DFN1006	다운로드				353-BZT52C16L3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 11.2 v				16 v	40
SMAJ4755HE3-TP	0.1150	RFQ	1551	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4755		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SMAJ4755AHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 100 ma		5 µa @ 32.7 v				43 v	70 옴
MMBD1505-TP-HF	-	RFQ	2195	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD1505	기준		SOT-23	다운로드				353-MMBD1505-TP-HF	귀 99	8541.10.0080	1		짐	1 양극 양극 공통	180 v	200ma	1.5 v @ 300 ma		10 na @ 180 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C33T-TP	0.0237	RFQ	3221	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C33		100MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 23.1 v				33 v	80 옴
BAT60B-TP	0.1044	RFQ	2681	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	BAT60	Schottky		SOD-323	다운로드				353-BAT60B-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		10 v		300 mV @ 10 ma		25 µa @ 8 v	150 ° C	3A	30pf @ 5V, 1MHz
MUR10100CT-BP	0.3366	RFQ	4197	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MUR10100	기준		TO-220AB	다운로드				353-MUR10100CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	1000 v	10A	1.7 V @ 5 a	75 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C
R4000-TP	-	RFQ	3211	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	R4000	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	4,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		4000 v		5 v @ 200 ma		5 µa @ 4000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	-
BZX584C27-TP	0.0381	RFQ	5469	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 7.04%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584C27-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 18.9 v				27 v	80 옴
BZT52C7V5HE3-TP	0.0426	RFQ	9356	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C7V5		500MW	SOD-123	다운로드				353-BZT52C7V5HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v				7.5 v	15 옴
UG1GPL-TP-HF	-	RFQ	8108	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	ug1g	기준		SOD-123FL	다운로드				353-ug1gpl-tp-hf	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
10A02-BP	0.1623	RFQ	9519	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	R-6, 축,	10A02	기준		R-6	다운로드				353-10A02-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐		100 v		1 V @ 10 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	150pf @ 4V, 1MHz
SMA2EZ11D5-TP	-	RFQ	5226	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMA2EZ11		2 w	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수			353-SMA2EZ11D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 8.4 v				11 v	4 옴
smaz12-tp	0.4400	RFQ	9	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz12		1 W.	DO-214AC (SMAJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v				12 v	7 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (8181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²