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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f
JANTX1N4494CUS Microsemi Corporation jantx1n4494cus 38.7300
RFQ
ECAD 9876 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4494 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 250 NA @ 128 v 160 v 1000 옴
JANTX1N4989CUS Microsemi Corporation jantx1n4989cus 24.6000
RFQ
ECAD 1275 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4989 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 152 v 200 v 500 옴
MSD130-08 Microsemi Corporation MSD130-08 -
RFQ
ECAD 1638 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 M3 기준 M3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 300 a 300 µa @ 800 v 130 a 3 단계 800 v
MSD50-08 Microsemi Corporation MSD50-08 -
RFQ
ECAD 9148 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 M1 기준 MSD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.5 v @ 100 a 200 µa @ 800 v 50 a 3 단계 800 v
MSD50-12 Microsemi Corporation MSD50-12 -
RFQ
ECAD 3430 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 M1 기준 MSD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.5 v @ 100 a 200 µa @ 1200 v 50 a 3 단계 1.2kV
MSD100-08 Microsemi Corporation MSD100-08 -
RFQ
ECAD 3714 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SM3-20H 기준 M3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.9 v @ 300 a 300 µa @ 800 v 100 a 3 단계 800 v
UPP9401/TR7 Microsemi Corporation UPP9401/TR7 -
RFQ
ECAD 6961 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) DO-216AA UPP9401 DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 2.5 w 1pf @ 0V, 100MHz 핀 - 단일 50V 1ohm @ 50ma, 100MHz
1EZ120D/TR12 Microsemi Corporation 1EZ120D/TR12 -
RFQ
ECAD 2791 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ120 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 91.2 v 120 v 710 옴
SMAJ5956AE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5956AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 9306 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5956 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 152 v 200 v 1200 옴
1PMT5919B/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5919B/TR13 -
RFQ
ECAD 3803 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5919 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 2 옴
SMAJ5955AE3/TR13 Microsemi Corporation smaj5955ae3/tr13 -
RFQ
ECAD 8101 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5955 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 136.8 v 180 v 900 옴
SMBG4755A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4755A/TR13 -
RFQ
ECAD 1953 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4755 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
1N5917E3/TR13 Microsemi Corporation 1N5917E3/tr13 -
RFQ
ECAD 3954 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5917 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 5 옴
1N5351B Microsemi Corporation 1N5351B -
RFQ
ECAD 4764 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5351 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 10.1 v 14 v 2.5 옴
3EZ43DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ43DE3/TR12 -
RFQ
ECAD 5153 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ43 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 32.7 v 43 v 33 옴
1N5374B/TR8 Microsemi Corporation 1N5374B/TR8 -
RFQ
ECAD 7721 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5374 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 54 v 75 v 45 옴
1N5948BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5948BE3/tr13 -
RFQ
ECAD 4139 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5948 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 69.2 v 91 v 200 옴
JANTX1N4980DUS Microsemi Corporation jantx1n4980dus 30.7500
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4980 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 62.2 v 82 v 80 옴
1PMT4622CE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT4622CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 1862 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMite® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1 W. DO-216 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 3.9 v 1650 옴
1N4731AP/TR8 Microsemi Corporation 1N4731AP/TR8 -
RFQ
ECAD 6939 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4731 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
3EZ6.8D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ6.8D2E3/TR8 -
RFQ
ECAD 4706 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ6.8 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.8 v 2 옴
FST8145 Microsemi Corporation FST8145 -
RFQ
ECAD 5043 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 Schottky 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 40a 530 MV @ 40 a 3 ma @ 45 v
2EZ47D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ47D/TR8 -
RFQ
ECAD 5227 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ47 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 35.8 v 47 v 40
SMAJ5955BE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5955BE3/TR13 -
RFQ
ECAD 4901 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5955 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 136.8 v 180 v 900 옴
FST16045 Microsemi Corporation FST16045 -
RFQ
ECAD 9727 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 to-249aa 9 된베이스 된베이스 Schottky TO-249 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 80a 740 mV @ 80 a 2 ma @ 45 v
2EZ56D5/TR8 Microsemi Corporation 2EZ56D5/TR8 -
RFQ
ECAD 6959 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ56 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 42.6 v 56 v 55 옴
1EZ130DE3/TR12 Microsemi Corporation 1EZ130DE3/TR12 -
RFQ
ECAD 2805 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ130 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 98.8 v 130 v 910 옴
1N5945BG Microsemi Corporation 1N5945bg 3.4050
RFQ
ECAD 2477 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5945 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51.2 v 68 v 120 옴
3EZ200D5E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ200D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 3966 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ200 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 152 v 200 v 875 옴
SK34BE3/TR13 Microsemi Corporation SK34BE3/TR13 -
RFQ
ECAD 9058 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK34 Schottky SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고