- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
다이오드 (5250)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 현재- 정류 평균 (IO) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4734A | - |  | 9354 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4734 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 2 v | 5.6 v | 5 옴 | |||||||||||
 | UZ7756L | 75.4800 | | 13 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | 축 | UZ7756 | 6 w | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 42.6 v | 56 v | 30 옴 | |||||||||||
 | APTDF100H120G | - | | 5216 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | 기준 | SP4 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 100 a | 100 µa @ 1200 v | 120 a | 단일 단일 | 1.2kV | ||||||||||||
| APTDF200H20G | - | | 5917 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | 기준 | SP6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 200 a | 150 µa @ 1200 v | 285 a | 단일 단일 | 200 v | |||||||||||||
| jantx1n4974d | 29.4600 | | 4531 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4974 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 35.8 v | 47 v | 25 옴 | ||||||||||
 | jantx1n4977dus | 30.7500 | | 5337 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4977 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 47.1 v | 62 v | 42 옴 | ||||||||||
| jantx1n4978c | 18.2550 | | 7882 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4978 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 51.7 v | 68 v | 50 옴 | ||||||||||
| jantx1n4979cus | 24.6000 | | 8662 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4979 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 56 v | 75 v | 55 옴 | ||||||||||
| jantx1n4980cus | 24.6000 | | 2603 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4980 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 62.2 v | 82 v | 80 옴 | ||||||||||
| jantx1n4981cus | 24.6000 | | 1424 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4981 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 69.2 v | 91 v | 90 옴 | ||||||||||
| jantx1n4983dus | 30.7500 | | 9852 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4983 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 83.6 v | 110 v | 125 옴 | ||||||||||
| jantx1n4984cus | 24.6000 | | 3547 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4984 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 91.2 v | 120 v | 170 옴 | ||||||||||
| jantx1n4984d | 29.4600 | | 4326 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4984 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 91.2 v | 120 v | 170 옴 | ||||||||||
| jantx1n4988c | 18.2550 | | 4806 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4988 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 136.8 v | 180 v | 450 옴 | ||||||||||
| jantx1n4988cus | 24.6000 | | 3919 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4988 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 136.8 v | 180 v | 450 옴 | ||||||||||
| jantx1n4988dus | 30.7500 | | 2061 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4988 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 136.8 v | 180 v | 450 옴 | ||||||||||
 | jantx1n4472cus | 28.1550 | | 6410 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4472 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 na @ 16 v | 20 v | 12 옴 | ||||||||||
| jantx1n4477cus | 28.1550 | | 2903 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4477 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 NA @ 26.4 v | 33 v | 25 옴 | ||||||||||
| jantx1n4480dus | 49.5750 | | 6784 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4480 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 na @ 34.4 v | 43 v | 40 | ||||||||||
| jantx1n4955c | 18.2850 | | 2601 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4955 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 100 µa @ 5.7 v | 7.5 v | 1.5 옴 | ||||||||||
| jantx1n4959dus | 32.2500 | | 7427 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4959 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µa @ 8.4 v | 11 v | 2.5 옴 | ||||||||||
| jantx1n4963c | 18.2850 | | 4941 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4963 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µa @ 12.2 v | 16 v | 3.5 옴 | ||||||||||
| jantx1n4964c | 18.2850 | | 2073 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4964 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µa @ 13.7 v | 18 v | 4 옴 | ||||||||||
| jantx1n4486dus | 49.5750 | | 4469 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4486 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 250 na @ 60 v | 75 v | 130 옴 | ||||||||||
 | jantx1n4491d | 41.5800 | | 6378 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4491 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 250 NA @ 96 v | 120 v | 400 옴 | ||||||||||
| jantx1n4491dus | 49.5750 | | 7293 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4491 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 250 NA @ 96 v | 120 v | 400 옴 | ||||||||||
| jantx1n4492dus | 49.5750 | | 6962 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4492 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 250 NA @ 104 v | 130 v | 500 옴 | ||||||||||
| jantx1n4495c | 33.2550 | | 3416 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4495 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 250 NA @ 144 v | 180 v | 1300 옴 | ||||||||||
| jantx1n4496cus | 38.7300 | | 9565 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4496 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 250 NA @ 160 v | 200 v | 1500 옴 | ||||||||||
 | APT2X60D20J | - | | 2292 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT2X60 | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 200 v | 60a | 1.3 V @ 60 a | 31 ns | 250 µa @ 200 v |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)